UnitedSiC新推第四代SiC FET UJ4C系列,750V额定电压,具有同类最佳的性能指标
UnitedSiC推出的新的第四代UJ4C系列SiC FET具有突破性的性能水平,旨在加速汽车和工业充电、电信整流器、数据中心PFC DC-DC转换以及可再生能源和储能应用中的功率性能提升。 新型SiC FET系列的重点包括:
750V VDS额定值
同类最佳的性能指标,可在更高的成本效益水平下降低传导损耗并提高速度下的效率
用标准0V至12V或15V栅极驱动电压安全驱动
真正的5V阈值电压可保持出色的阈值噪声容限
在所有Si IGBT,Si MOSFET和SiC MOSFET驱动电压下工作
内置ESD栅极保护
所有设备均符合AEC-Q101标准
使用行业标准的TO247-3L和TO247-4L(开尔文)封装
这些新型SiC FET基于UnitedSiC的第四代技术,具有卓越的功能,可为电源设计人员提供直接途径,以提高其自身系统的性能和效率。
主要特征
750V
低RDS(on)从18mohm至60mohm
优异性能指标可实现下一代高性能电源设计
同类最佳RDS(on)x面积
在给定的RDS(on)下改善Qrr和Eon / Eoff损耗
降低Coss(er)/ Eoss和Coss(tr)
出色的反向恢复性能
出色的体二极管性能(Vf <2V)
低栅极电荷
ESD保护,HBM 2级
TO247-3L和TO247-4L(开尔文)封装
符合AEC-Q101标准
产品规格:
最好的品质因数
品质因数(FoM)比较对于电源设计人员评估竞争技术的性能潜力至关重要。 通过基于FoM评估技术,设计人员不仅可以基于特定的产品规格,还可以为他们的设计确定最佳技术,而且可以广泛比较各种拓扑、功率水平等方面的性能。
UnitedSiC的新型750V第4代SiC FET在RDS(on)x Area,RDS(on)x Coss,tr和RDS(on)x Eoss等方面具有新的基准,从而为功率开关FoM达到了业界领先的性能。 下面显示的数据表结果说明了与竞争对手的SiC FET器件相比,新型高性能Gen 4系列器件如何在硬开关和软开关电路中实现更低的传导损耗,简单的栅极驱动以及更低的开关损耗。
RDS(on)x面积
对于给定的封装或封装类型,在有用温度范围内的导通损耗最低:
25°C时传导损耗降低65-75%
125°C时传导损耗降低45-70%
硬开关
基于低Eoss / Qoss x RDS(on)的最低总损失:比竞争对手高出近2倍
软开关
维持低RDS(on)x Coss,tr,可在软开关应用中实现更高的功率密度:Qg x VDrive将栅极驱动器损耗降低5-10倍;出色的体二极管可实现可靠的工作而不会产生共振
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