【选型】LLC半桥电源应用的超结MOSFET推荐：紫光微Multi-EPI SJMOS，品质因数较CoolMOS低37%

时间： 2020-03-12 来源：世强

代理服务

技术支持

采购服务

Multi-EPI SJMOS,超结MOSFET,65R400MFD,TPA65R400MFD

LLC半桥电源是一种非常常见的电源拓扑类型，适用于相对较大容量的电源应用，如户外LED屏电源、路灯电源、UPS电源等，是150W至1kW应用的理想选择。LLC半桥电源的功率转换主要分为三部分，如图1所示，是LLC半桥电源的拓扑框图，分为前级PFC电路、功率逆变电路和输出整流电路。

图1：LLC半桥电源

其中功率逆变电路采用的是LLC半桥电路，LLC半桥电源因采用零电压开关（ZVS）而实现了非常高的工作效率。开关频率高，需要MOS产品具有低Qg值，实现快速开关，降低开关损耗。工作电流大，需要MOS产品低Rds(on）设计，降低导通损耗；EMI要求高，需要MOS产品高EMI抗干扰能力；零电压开关，需要体二极管反向恢复时间短。随着半桥电源的工作开关频率越做越高，其功率器件开始采用超结MOSFET，同时功率器件国产化也是未来趋势，针对这一应用，紫光微推出了一系列高可靠性的Multi-EPI SJMOS，集成了快恢复二极管，适用于半桥LLC电路应用。

无锡紫光微推出的Multi-EPI SJMOS是一种新型功能器件，基于超结(SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性；基于电荷平衡理论及采用先进的多次沟槽刻蚀技术，可显著降低MOSFET的品质因数FOM（Rdson*Qg），从而实现更高的效率和功率密度。以紫光微的TPA65R400MFD为例，这是11A、650V的SJMOS，导通电阻典型值仅为350mΩ，对比I公司CoolMOS的导通电阻和栅电荷，如图2所示。在品质因数FOM（Rdson*Qg）上，紫光微的SJMOS相对于竞争对手的CoolMOS要低37%；在导通电阻的温度特性上，紫光微的SJMOS受温度影响明显低于竞争对手的CoolMOS。这样在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率，改善其静态和动态特性。在产品综合性能上已经大领先于竞争对手。

图2：紫光微SJMOS与竞争对手CoolMOS的参数对比图

针对LLC半桥电源应用，本文推荐紫光微的600V和650V产品，如图3所示，电流分布从11A至72A，其中11A/15A/20A可以选择集成或者不集成快恢复二极管。在PFC电路部分，选择不集成快恢复二极管的产品，在功率逆变的LLC 半桥电路中，为了应用调试的方便，选择集成了快恢复二极管的产品。

图3：紫光微Multi-EPI SJMOS系列600V和650V产品框图

由以上可以看出，紫光微推出的Multi-EPI SJMOS在LLC半桥电源中选型非常灵活，电压从600V到650V，电流从11A到72A，是否集成快恢复二极管，都可以有相对应的产品可选。同时由于其低损耗和不错的EMI特性，是LLC半桥电源功率器件国产化的不错选择。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由WJL提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【选型】LLC谐振电路中推荐超结MOSFET TPP60R160MFD，Trr仅112ns

LLC拓扑高效和高功率密度受到广大工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却高于以往硬开关拓扑，MSOFET体二极管的反向恢复时间（TRR）尤为重要。本文推荐无锡紫光微电子的超结MOSFET，TPP60R160MFD为例，这是20A、600V的SJMOS，开关速度快，最大导通电阻190mR，TRR典型值仅为112ns。

2020-06-21 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【选型】全桥式电源应用上的超结MOSFET如何选型？

全桥式电源比半桥电路提供更高效率，所以它们主要用于大功率应用（超过1kW）。在一些要求输出功率较高的领域，全桥式开关电源变换技术占有者十分重要的地位。本文介绍全桥式电源的超结功率MOSFET如何选型，并以3kW DCDC产品为例推荐无锡紫光微TPW65R100MFD。

2020-03-02 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【选型】PFC电源应用上推荐Multi-EPI超结MOSFET，耐压高、耐电流冲击能力强、雪崩能量高

PFC对电路中MOS要求高的主要原因在于：（1）PFC输入电压范围很宽，要求MOSFET的耐压足够高，一般选用600V/650V耐压MOS；（2）PFC电路启动时由于控制环路响应问题，启动时电流尖峰较大，对于MOSFET耐电流冲击能力要求较高；（3）MOS管与感性负载连接，对EAS（雪崩能量）要求高。国产无锡紫光微Multi-EPI超结MOSFET很适合此处应用，本文以TPP65R170M说明。

2020-03-06 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【产品】650V超结功率MOSFET TPW65R044MFD ，漏源导通电阻最大值仅0.044Ω

无锡紫光微推出的 TPW65R044MFD 是一款650V超级结功率MOSFET，其采采用TO-247封装，漏源电压最大额定值高达650V，可以适用高电压高功率情况，漏源导通电阻最大值仅为0.044欧姆，连续漏极电流在25℃情况下最大额定值为72A，标准总栅极电荷典型值为165nC，脉冲漏极电流最大额定值为216A。

2019-11-21 - 新产品代理服务技术支持采购服务

AT18NF65S N沟道超级结功率MOSFET

AT18NF65S是一款650V N-Channel Super Junction Power MOSFET，具有优化的体二极管反向恢复性能、低导通电阻和低传导损耗，以及超低栅极电荷，适用于功率因数校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LLC半桥等应用。

安邦 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,AT18NF65S,LLC半桥,LLC HALF-BRIDGE,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,UPS,SMPS

2024/5/28 - 数据手册 - Revision:B 代理服务技术支持采购服务

无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表

无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ：15.6~2000，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max：18~2200。

产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

选型表 - 无锡紫光微立即选型

亚成微高雪崩高可靠性超结MOSFET在DJI大疆100W双USB-C口氮化镓桌面充电器的应用

大疆这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+DC-DC的架构设计，PFC使用镓未来氮化镓功率芯片配合瑞能二极管整流，LLC采用亚成微RMD65R380SN MOS管组成半桥。滤波电容来自冠坤电子，输出使用两颗维安的低压MOS管用于同步整流，电源初级主控芯片和同步整流控制器均来自NXP恩智浦。

2024-06-07 - 应用方案

无锡紫光微MOS选型表

无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型

产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

选型表 - 无锡紫光微立即选型

AFT109N65S N沟道超级结功率MOSFET

本资料介绍了AFT109N65S型N通道超级结功率MOSFET的特性。该器件具有优化的体二极管反向恢复性能，低导通电阻和传导损耗，适用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LLC半桥等应用。

安邦 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,AFT109N65S,LLC半桥,LLC HALF-BRIDGE,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,功率因素矫正,全氟化碳,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER FACTOR CORRECTION,UPS,SMPS,PFC

2023/12/15 - 数据手册 - Revision B 代理服务技术支持采购服务

【产品】650V 超结功率MOSFET TPA65R100MFD，漏源电压高达650V（VGS=0V）

超结功率MOSFET是一种基于SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。Multi-EPI SJ MOSFET提供了非常快速且耐用的体二极管。还提供了一种极低损耗开关、高可靠的通信和传导器件，使其在工业级应用中更可靠，更高效，更轻，发热更少。TPA65R100MFD是无锡紫光微电子推出的一款超结功率MOSFET，采用TO-220F封装，漏源电压高达650V

2020-10-06 - 新产品代理服务技术支持采购服务

紫光微电子开发生产一系列高压超MOSFET、IGBT、IGTO等产品，广泛应用于新能源汽车充电桩和电机驱动

无锡紫光微电子早已推出了与充电桩相关的650V/72A(TPW65R044MFD)、700V/72A(TPW70R044MFD)、700V/47A(TPW70R100MFD)等多规格高压超结MOSFET新工艺产品，可显著降低器件的导通电阻和栅电荷，很好地兼容具有PFC、正激、反激等多种拓扑形式的电路结构，对于高效解决新能源汽车行业目前的充电难问题。

2020-08-07 - 新产品代理服务技术支持采购服务

AT38N65S N沟道超级结功率MOSFET

本资料介绍了AT38N65S型N通道超级结功率MOSFET的特性。该器件具有650伏的耐压能力，低导通电阻和优化体二极管反向恢复性能，适用于电源因子校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和LLC半桥等应用。

安邦 - N沟道超结功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET,AT38N65S,LLC半桥,LLC HALF-BRIDGE,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,功率因素矫正,全氟化碳,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER FACTOR CORRECTION,UPS,SMPS,PFC

2023/12/04 - 数据手册 - Revision B 代理服务技术支持采购服务