【产品】适用于RF天线端的ESD防护器件XE2FUC5VB和XE2XUC5VB，0402超小型封装

时间： 2020-09-29 来源：矽航

技术问答

苏州矽航半导体针对RF天线端的ESD防护，推出0402封装的XE2FUC5VB和0201封装的XE2XUC5VB两颗ESD产品，适用于GPS、移动电视、汽车遥控车门开关以及胎压监测系统等。

这两款ESD产品能可靠地吸收高达20kv的静电放电，Ipp电流能力大于5A，结电容仅0.3pf，并有双向低钳位电压的特性，非常适合敏感的RF天线应用。XE2XUC5VB的封装尺寸仅有0.62mm x 0.32mm（相当于0201英寸封装的0.024 inch x 0.012 inch），比目前具有相同特性产品大约缩小了70%，不仅在高密度pcb上显著的节约了空间和具有极大的灵活性，而且对于手机和其它便携设备的实现具有特殊价值，超小封装高度降低为0.31mm，可以满足最严格的高度需求。

XE2FUC5VB和XE2XUC5VB具体测试参数如下：

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【产品】单线双向ESD保护二极管XE2X3V3B/5VB/UC5VB，DFN0603-2L封装

由矽航推出的XE2X3V3B、XE2X5VB是一种双向ESD保护二极管，用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷电引起的过应力。XE2XUC5VB是单线双向低电容ESD保护二极管，设计用于保护连接到高速数据线和控制线的敏感电子元件免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷电引起的过应力。

新产品发布时间 : 2020-07-23

【产品】国产12V、13pF的ESD防护器件GESD1201OC，DFN1006超小封装

高特微电子的静电防护二极管（ESD防护器件）GESD1201OC，设计用于保护寄生敏感系统免受过电压和过电流瞬态事件。工作电压为12V，IPP为5A，钳位电压最低可达19V，工作电压下可达0.2uA的超低漏电电流，符合61000-4-2与61000-4-4防护标准。

新产品发布时间 : 2019-01-19

【产品】国产3.3V普容ESD防护器件GESD0301PB，DFN1006封装

高特微电子的静电防护二极管（ESD防护器件）GESD0301PB，工作电压为3.3V，IPP为7A，钳位电压最低可达8.0V，工作电压下可达1uA的超低漏电电流，符合61000-4-2与61000-4-4的防护标准。

新产品发布时间 : 2020-11-14

矽航TVS ESD二极管选型表

功率大、IPP电流高、箝位电压低，用于安防、网通、充电口、电池端的各类浪涌防护，电压覆盖3.3V-550V，封装兼容性强，能适应于不同的位置需求。电容最低0.2PF，最小封装0201，可提供单路、双路、四路、五路及六路的全系列产品

产品型号	品类	峰值脉冲电流Ipp(A)	箝位电压(VC)	最小包装	VRWM(V)	Cj(pF)	峰值脉冲功率(W)(tP=8/20μS)	工作温度(℃)	ESD(kV)	封装
XE0603NC5VB	双向ESD保护二极管	8A	12VC	10000	5V	14pF	80W	-55℃ to +125℃	±30kV(air),±30kV(contact)	DFN0603-2L

选型表 - 矽航立即选型

【应用】SIM卡ESD静电防护推荐TVS管XE6TLC5VU，结电容仅0.35pF，防护等级±30kV

由于SMI卡及数据线路易受到静电和浪涌损坏，因此需要外加ESD防护器件，要求ESD防护器件具有体积小、防护等级高的特性。本文推荐矽航的TVS管XE6TLC5VU，最大反向保持电压5V，击穿6V，最大漏电流1uA，ESD防护等级满足IEC61000-4-2标准±30kV（接触放电）/±30kV（空气放电）。

应用方案发布时间 : 2020-09-19

【元件】高特推出极低容值0.1pF静电防护器件，采用DFN封装，适用于RF天线等超高速信号传输接口

高特推出极低容值0.1pF静电防护器件GESD05F1BE和GESD05F6BE。采用先进芯片和封装制造工艺，容值压制到极低水平0.1pF，工作电压5.5V，关断状态下漏电电流＜100nA，8/20μs峰值电流2A。

产品发布时间 : 2024-09-24

【选型】超低电容tvs管是RF天线ESD防护器件的首选

射频电路不仅要考虑ESD安全，还要注意RF性能，不能因为用了ESD器件后，就不管RF天线和RF器件之间的阻抗匹配，同样会使得系统失配，进而影响系统性能甚至安全。我们知道，ESD防护器件比如二级管都是有寄生电容的，该电容在RF电路中有其等效电阻。因此，超低电容的tvs管是RF天线的首选，以高特半导体的GESD0501BU为例，其电容仅有0.25pf。

器件选型发布时间 : 2019-07-10

【选型】矽航（XI HANG）ESD/EOS防护器件、稳压/TVS/肖特基二极管、低/高压MOSFET选型指南

目录- ESD防护器件 EOS防护器件/稳压二极管 TVS二极管/肖特基二极管低压/高压MOSFET 封装种类

型号- XE3DLC5VB,XSBD1DF40V3,XNM05N50F,XSBD1DF40V2,XNM05N50E,XSBD1DF40V1,SMAFJ440CA,XE23T5VB,XNM10N65F,XE3DLC12VB,XNM10N65E,SMCJ440CA,XT1DTF15VB,XE2XLC5VU,SMAJ5_0(C)A-,XE3DHC3V3B,XE2XSC5VB,XBAT54,XZ5D75VB,XNMIRF630,SMF5.0CA,XNM02N65F,XNM02N65E,XT3D15VU,XE9DLC5VB,XT1DFT24VU,XSBD1DF120V2,XSBD1DF120V1,XSBD1DF120V3,XE23T12VU,XTDP4V5B,SMCJ5_0(C)A_,XE3DLC24VB,SMF220(C)A,XSBDBF40V2,XE2XLC5VB,XT1DFT24VB,XNM4946DS,XNM4422S,XE23T712B,XNM2N7002K,XNM05N60E,XT3D9VU,XNM05N60F,XPM2305N,SMBFJ5.0CA,XE10NLC5VU,XE23T24VU,XZ3D75VB,XNMIRF830F,XE9DSC5VB,XZ1D2V0B-,XTDP12VU,XE3F5VB,XNM9926TS,XE3DHC5VB,XE23T12VB,XE6TLC5VU,XNM4946S,XZ1D2V0B,XE23T36VU,XZ2F75VZ,SMF5.0A,XE5DHC12VU,XNM6968S,XTDP5VU,XE23T5VU,XE6TSC5VU,XE23T24VB,XT1DTF15VU,SMBFJ5.0(C)A-,XNM01N60SA,XE5DHC7VU,SMF220A,XZ2F2V0C-,XE23T3V3U,XT3N15VU,XNM01N60SI,XNM01N60SJ,XE2F5VB2,XE2FLC5VU,XNM02N60SI,XNM02N60SJ,XNM02N60SE,XE2X12VB,XE5D4V5B,SMCJ440(C)A,XNM02N60SF,XE23T36VB,XSBD1DF80V1,XNMIRF830,XE2FLC5VB,XSBD1DF80V3,XSBD1DF80V2,XE2FUC5VB,XNM6968CTS,XT3DHC15VB,XNM35N03J,XBAT54S,XT3N7V5U,SMBJ440CA,SMAFJ440(C)A,XNMSG301DK,XE23T3V3B,XE2F12VB,XBAT54C,XSBDAF100V2,XZ5D2V0B,XNMIRF840,XBAT54A,SMAJ5.0A,XT3D7VU,XSBDAF45V5,XPM2301N,XSBD1DF150V2,XSBD1DF20V1,XSBD1DF150V1,SMAFJ5.0CA,XE2FHC5VU,XE5DUC5VB,XZ2F2V0C,XE2FHC5VB,XNM04N60F,XT1DTF12VB,XNM04N60E,XNM2N7000,XNM2N7002,XE5DLC5VB,XNMIRF730,XE2X4V5B,XSBD1DF20V2,XSBD1DF20V3,XNM2N7002SN,XT1DTF7VB,XSBD1DF100V2,XSBD1DF100V1,XSBD1DF100V3,XE2F4V5B,XT1DTF7VU,XNM10N60F,XNM10N60E,XNMIRF740,XT2N26VU,XE5DHC5VU,XE3DHC12VB,XNMIRF630F,XE2XUC5VB,XE2F3V3B,SMAJ440(C)A,XNM50N03J,XTDP15VU,XE3D5VB,XE3FUC5VU,XZ3D2V0B-,XT3D4V5U,XNMIRF740F,XT3N24VU,XNM03N60F,XE9DUC5VB,XNM03N60E,XT3DHC36VB,SMF220CA,XE5D3V3B,XNM12N65F,XNM12N65E,XE9D4V5B,XT3F15VU,XT1DTF12VU,XNM2302N,XT3D12VU,SMAJ440A,XE3DLC15VB,XT1DTF18VB,XT3D5VU,XSBD1DF60V1,XSBD1DF60V2,XSBD1DF60V3,XE2X5VB,XE3FUC5VB,XSBD1DF200V2,XSBD1DF200V1,XE23TLC3V3B,XSBDC100V3,XNM07N60F,XT3D4V5B,XTDP9VU,XNM07N60E,SMAJ440CA,XE2FLC3V3B,XNM04N65E,XE2X3V3B,XNM04N65F,SMBJ5.0A,XNM8205,XNM9926N,XNMIRF840F,XNM9926S,XT2N4V5B,SMCJ440A,SMBJ5.0(C)A-,SMAJ5.0CA,XT3N4V5B,XE9D3V3B,XZ5D2V0B-,SMBFJ5.0A,XNM2N7002KSN,XNM02N60J,XNM02N60I,XNM02N60F,XNM02N60E,XT1DTF18VU,SMBJ440A,SMAFJ440A,XNM07N65F,XE2F5VB,XE3DLC8VB,XNM07N65E,SMCJ5.0CA,XPM4435S,XT3N12VU,XT3DHC24VB,SMBJ440(C)A,XNM3005LJ,XNM12N60F,XNM12N60E,XNM3055MJ,XE2FHC15VU,XZ3D2V0B,SMAFJ5.0(C)A-,XT3D3V3U,XNMIRF730F,SMF5.0(C)A-,XE10NLC3V3U,XE3DLC3V3B,SMCJ5.0A,SMAFJ5.0A,XE9D5VB,XE143TLC5VU,XTDP7VU,XZ1D75VB,XE143TUC5VU,XNM3055LJ,XNM8205A,XPM9435S,XNM06N60F,XNM06N60E,SMBJ5.0CA

选型指南 - 矽航 PDF 中文下载

矽航（XI HANG）是一家ESD方案专家，致力于ESD、TVS保护器件、稳压管、MOS管、肖特基二极管等产品研发生产，拥有独立自主的知识产权体系，多项专利在国内外都处于领先技术水平。矽航（XI HANG）严格遵行ISO9001，ISO14001体系，提供高质量绿色环保型产品，以及可定制化服务，在众多领域端口应用上皆有配套的防浪涌、防静电方案。

ESD防护器件 EOS防护器件稳压二极管大功率TVS二极管肖特基二极管低压MOSFET 高压MOSFET 防护器件二极管 MOSFET

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XE2XUC5VB Bi-directional 1 Line ultra low capacitance ESD Protection

型号- XE2XUC5VB

数据手册 - 矽航 - Rev.1.0 PDF 英文下载

【元件】高特推出DFN0603封装高压超低容系列静电防护器件，涵盖12V、15V、24V工作电压段

像射频天线、近距离无线通信等应用场景存在较高的工作电压，加上其通信频率越来越高，故高压超低容静电防护器件应运而生。本文将重点介绍高特12V、15V、24V等三个工作电压段，DFN0603封装外形的高压超低容系列静电防护器件。

产品发布时间 : 2023-10-28

【产品】高特DFN1006封装外形高压超低容静电防护器件，涵盖12V、15V、24V三个工作电压段

射频天线(RF)、近距离无线通信（NFC）等应用场景存在较高的工作电压，加上其通信频率越来越高，故高压超低容静电防护器件应运而生。高特就此推出12V、15V、24V三个工作电压段，本文重点介绍高特DFN1006封装外形的高压超低容系列静电防护器件。

产品发布时间 : 2023-08-03

矽航（XI HANG）公司及产品介绍

型号- XT3D7VU,XT1DFT24VU,XT3D12VU,XE2X5VB,XE2F5VB,XT3N24VU,XE2XUC5VB,XE3FUC5VB,XT3N15VU,XT3N7V5U,XE2F4V5B,XT3N12VU,XT3D4V5B,XT1DF24VU,XT2N4V5B,XT3D5VU,XE2XLC5VB,XE3F5VB,XT3N4V5B,XE2FLC5VB,XE2FUC5VB,XE6TLC5VU,XT3D15VU

商品及供应商介绍 - 矽航 PDF 中文下载

北斗定位模块RF天线ESD防护，需要一款反向工作电压3.3V或5V的TVS管，钳位电压小于10V@1A峰值脉冲电流，结电容小于0.5pF，封装尺寸越小越好，如0402封装，请问是否有合适型号推荐？

推荐PANJIT的超低电容ESD防护器件PE1403M1Q_R1_00001，采用DFN 2L封装，封装尺寸1.0mm x 0.6mm，反向工作电压 3.3V，钳位电压最大9V@1A峰值脉冲电流，典型结电容0.3pF，可满足设计需求。

技术问答发布时间 : 2019-11-18

【选型】TWS耳机天线ESD防护推荐国产ESD保护二极管，结电容典型值仅0.35pF

TWS耳机的天线端很容易产生静电，本文推荐矽航的低结电容ESD保护二极管XE2XUC5VB，最大反向工作电压5V，IEC61000-4-2高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护等级，并根据IEC61000-4-5承受高达5A（8/20μs）的峰值脉冲电流，DFN0603-2L小型封装，典型结电容0.35pF。

器件选型发布时间 : 2021-01-09