【产品】采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2716SD，适用于脉冲宽度调制应用、电源管理等领域
铨力半导体推出具有无铅产品认证的N和P沟道增强型MOSFET AP2716SD，采用SOP-8封装。适用于脉冲宽度调制应用、负载开关、电源管理。
特点
N沟道
◆VDD=40V，ID=10A
◆RDS（ON）＜22mΩ@VGS=10V TYP=17mΩ
◆RDS（ON）＜30mΩ@VGS=4.5V TYP=22mΩ
P沟道
◆VDD=-40V，ID=-10A
◆RDS（ON）＜54mΩ@VGS=-10V TYP=44mΩ
◆RDS（ON）＜70mΩ@VGS=-4.5V TYP=55mΩ
无铅产品认证
高功率和电流处理能力
表面贴装封装
应用
脉冲宽度调制应用
负载开关
电源管理
包装标识和订购信息
绝对最大额定值（Ta=25℃除非另有说明）
N-CH电气特性（Ta=25℃ 除非另有说明）
P-CH电气特性（Ta=25℃ 除非另有说明）
Notes：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温度限制
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%
3.表面贴装FR4板，t≤10 sec
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|
产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
|
选型表 - 铨力半导体 立即选型
AP2005 N和P沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了AP2005型N沟道和P沟道增强型MOSFET的特性。该器件具有高电流处理能力和低导通电阻，适用于开关、负载切换和电源管理等领域。
型号- AP2005
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描述- 该资料详细介绍了HM4622A N和P-Channel增强型功率MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于负载开关和PWM应用。资料中包含了产品的电气特性、热特性、开关特性、封装信息以及典型应用电路。
型号- HM4622A
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型号- SLM30L03A
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型号- PTQ25C03
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型号- NX2301PVL
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型号- SI2301DS
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型号- JMT,JMTQ240C03D
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型号- APG068N04G
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型号- AP3906GD
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