【产品】铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP30H80G，采用先进沟槽技术，栅极电荷低
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP30H80G，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
特点
漏源电压VDS=30V，连续漏极电流ID=70A
漏源导通电阻RDS(ON)<6mΩ@VGS=10V
漏源导通电阻RDS(ON)<12mΩ@VGS=4.5V
采用先进的沟槽技术
无铅产品
具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.EAS条件：TJ=25℃，VDD=15V，L=0.5mH，RG=25Ω，IAS=15A
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.表面贴装在FR4板，t≤10s
封装标识及订购信息
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