【产品】-60V/-2.3A P沟道功率MOSFET RM2A3P60S4，采用SOT-223封装
丽正国际推出的RM2A3P60S4是一款P沟道增强型MOSFET,该器件使用先进的沟槽技术和设计，具有低栅极电荷和低导通电阻的特点，可以用于多种应用。在环境温度为25°C时，RM2A3P60S4漏源电压最大额定值为-60V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-2.3A，工作时结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境的热阻为85℃/W。RM2A3P60S4采用SOT-223封装，其引脚分布图如图1所示，
图1 RM2A3P60S4引脚分布
RM2A3P60S4产品特性
•VDS = -60V,ID = -2.3A
RDS(ON) < 180mΩ @ VGS=-10V
RDS(ON) < 260mΩ @ VGS=-5V
•高密度单元设计，可实现超低 RDS(ON)
•雪崩电压和电流上具有完美的表现
•出色的封装性能，散热效果好
RM2A3P60S4应用领域
•电源开关应用
•硬开关和高频电路
•不间断电源
•无卤素
•P / N后缀V表示符合AEC-Q101认证，例如：RM2A3P60S4V
RM2A3P60S4订购信息
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