【产品】100V/15A N沟道增强型场效应晶体管，采用SGT MOSFET技术
扬杰科技推出的YJS15G10A为N通道增强型场效应晶体管，漏源电压100V，漏电流15A（@TA=25°C）。采用SGT MOSFET技术，具有出色散热能力的封装。静态漏源导通电阻典型值仅为8.0mΩ（@VGS=10V, ID=10A），较低的导通电阻可降低开关损耗。YJS15G10A非常适用于DC/DC初级侧开关、电信/服务器和同步整流等相关领域。
图1 YJS15G10A封装及电路图
YJS15G10A特点：
采用SGT MOSFET技术
出色的散热封装
高功率密度设计，低RDS（ON）
YJS15G10A应用：
DC/DC初级侧开关
电信/服务器
同步整流
YJS15G10A订购信息：
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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|
2N7002
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MOSFET
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SOT-23
|
Active
|
No
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Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
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150
|
1.5
|
1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
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