【产品】100V/15A N沟道增强型场效应晶体管，采用SGT MOSFET技术
扬杰科技推出的YJS15G10A为N通道增强型场效应晶体管，漏源电压100V，漏电流15A（@TA=25°C）。采用SGT MOSFET技术，具有出色散热能力的封装。静态漏源导通电阻典型值仅为8.0mΩ（@VGS=10V, ID=10A），较低的导通电阻可降低开关损耗。YJS15G10A非常适用于DC/DC初级侧开关、电信/服务器和同步整流等相关领域。
图1 YJS15G10A封装及电路图
YJS15G10A特点：
采用SGT MOSFET技术
出色的散热封装
高功率密度设计，低RDS（ON）
YJS15G10A应用：
DC/DC初级侧开关
电信/服务器
同步整流
YJS15G10A订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由两斤樱桃翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，SOP-8封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。
新产品 发布时间 : 2020-12-19
【产品】内置两个MOS管的DFN5060-8L封装N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，采用高密度单元设计
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，内置两个MOS管，MOS管的漏源电压均为100V，漏电流均为20A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），最大不超过22mΩ（@VGS= 10V, ID=15A），较低的导通电阻可降低开关损耗。
新产品 发布时间 : 2020-11-24
【产品】YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装
扬杰科技推出的YJQ50N03A型N沟道增强型场效应晶体管，采用DFN3.3×3.3封装，Trench低压功率MOSFET技术，可用于电源转换和电机驱动等领域。其结温和存储温度范围均为-55~+175℃，可以在严苛的温度环境下工作，稳态下结至外壳热阻典型值为3.9℃/W。
新产品 发布时间 : 2021-01-31
【产品】扬杰科技推出的YJJ03G10A型N沟道增强型场效应晶体管，静态漏源导通电阻不超过140mΩ
扬杰科技推出N沟道增强型场效应晶体管YJJ03G10A，采用SOT-23-6L封装，漏源电压最大额定值为110V，栅源电压最大额定值为±20V。器件具有低导通电阻RDS（ON），静态漏源导通电阻不超过140mΩ（VGS=10V，ID=3A）。产品具有出色的散热封装和低RDS（ON）等特性，结温和存储温度范围均为-55~+150℃，主要用于DC-DC转换器及电源管理功能等领域。
新产品 发布时间 : 2020-12-30
【产品】采用沟槽型中压功率MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管2N7002，漏源电压60V
扬杰科技推出的2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管，采用SOT-23封装，符合RoHS标准。其漏源电压极限值为60V，漏极电流极限值为340mA（@TA=25℃），漏源导通电阻＜3.0ohm@VGS=4.5V，且具有输入电容低、开关速度快、输入/输出漏电流小的特点。
新产品 发布时间 : 2020-11-07
【新产品】PDFN 5X6封装的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A
YJG40G10A为扬杰科技推出的N通道增强型场效应晶体管，非常适用于电源开关应用、硬开关和高频电路和不间断电源供应等相关领域。采用SGT MOSFET技术设计，漏源电压为100V，漏电流为40A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON）。
新产品 发布时间 : 2020-11-19
【选型】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A与友商NMOS SIJA58DP参数性能对比分析
一般NMOS用于同步整流，逆变等电路，在电源上应用广泛，现介绍一款扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A，其功能与Vishay的SIJA58DP相似，本文将针对二者的参数性能进行对比分析。
器件选型 发布时间 : 2022-01-15
【产品】60V/3A的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用SOT-23封装，漏源电压最大额定值为60V，栅源电压最大额定值为±16V。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可高速开关，产品可用于电池保护、负荷开关、电源管理等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-21
【应用】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A用于30W开关电源，RDS（ON）典型值仅为14mΩ
开关电源二次侧整流目前为了提升效率，常用同步整流来代替传统的肖特基整流，同步整流则需要用到要求导通阻抗较低的MOSFET，推荐扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A，采用高密度单元设计，漏源电压为100V，漏电流为40A，较低的导通阻抗满足开关电源降低损耗的需求。
应用方案 发布时间 : 2022-01-26
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论