爱仕特携碳化硅MOSFET及模块新品亮相2023慕尼黑上海电子展
7月11日至13日,2023慕尼黑上海电子展在国家会展中心(上海)顺利举行,爱仕特携第三代碳化硅MOSFET系列新品以及全系车规级碳化硅功率模块、功率器件驱动器等产品亮相7.2B214展位,共话新能源行业高效发展路径。
爱仕特始终致力于碳化硅规律器件的研发与产业化,未来还会继续聚焦科技前沿,加大科研投入,努力提高科学服务水平,满足客户的各类需求,提供更优质的产品与服务。
第三代碳化硅MOSFET
爱仕特第三代碳化硅MOSFET系列,基于6英寸晶圆平台开发,驱动电压降至15V,降低了器件的开关损耗,实现了低导通电阻和高速开关性能的结合,有助于缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积,能更好兼容传统硅基IGBT的驱动电路,实现器件可靠性的提升,并降低了驱动损耗。
DCS12封装SiC模块
作为爱仕特新一代汽车级功率模块,拥有良好的散热性能、优异的可靠性以及优化的杂散电感水平,同时采用半桥的结构设计也为驱动器的设计带来了比较大的灵活性,可以把驱动器与电机更好的集成在一起。
EasyPACK封装SiC模块
采用1200V爱仕特新一代MOSFET技术,在简单易用的封装内实现效率最佳化,从而开发出尺寸更小、扩展性更好的电源系统,并显著提升其效率和性能。
深圳爱仕特科技有限公司,主要从事第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块,以及相关系统方案的开发。公司拥有独立自主的知识产权与品牌运营管理,是从事SiC MOS芯片设计、模块生产、系统开发全产业链的国家高新技术企业。产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片,高功率低耗损的SiC模块,以及基于SiC模块的整机应用系统方案,各项性能指标达到国际水平,提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务,满足不同行业需求。
自2017年成立以来,爱仕特致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。公司建立的车规级模块专用工厂,已实现全SiC功率模块的批量生产。爱仕特不断提升技术研发实力和产品创新能力,于2021年获得国家高新技术企业认定,并通过IATF16949、ISO9001等质量体系和AEC-Q101产品可靠性认证。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玉鹤甘茗转载自深圳爱仕特科技有限公司公众号,原文标题为:展会前沿 | 爱仕特携碳化硅MOSFET及模块新品亮相2023慕尼黑上海电子展,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
爱仕特连续三年荣获“中国SiC Fabless十强企业”
12月12日,“行家极光奖”颁奖典礼在深圳召开,现场揭晓极光奖的获奖名单。凭借2024年在碳化硅(SiC)领域的突出表现,爱仕特荣获“中国SiC Fabless十强企业”荣誉称号。爱仕特在SiC MOSFET芯片技术方面占据国内引领地位,以卓越的性能和创新方案推动行业发展,攻克“卡脖子”技术难题。公司已量产650V、1200V、1700V、3300V多电压等级的SiC MOSFET分立器件。
爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货,兼具超低导通和超快开关特性
爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户,填补了国内该系列产品研发及应用的空白,引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
爱仕特碳化硅器件助力深圳超充之城建设
不管是超充还是新能源汽车的增加,都需要用碳化硅芯片,整个碳化硅产业将迎来井喷式爆发,近几年将会是爱仕特快速成长的黄金发展时期。随着新能源汽车的销量增长,爱仕特每年的销售额翻番增长,目前还有积累的大量订单待交付。
爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南
目录- 公司简介和芯片/模块产品规则 芯片 模块 参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍
型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
ASC30N650MT7 650V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC30N650MT7型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅(SiC)技术,具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。
型号- ASC30N650MT7
ASC300N1200MEP2B 1200V SiC MOSFET模块
描述- 本文档介绍了ASC300N1200MEP2B这款1200V SiC MOSFET模块。该产品具有高电流密度、低感设计、低开关损耗和高频操作等特点,适用于高频切换应用、DC/DC转换器、电机驱动、伺服驱动、不间断电源系统和光伏系统等领域。
型号- ASC300N1200MEP2B
ASC40N1700MT4 1700V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC40N1700MT4型1700V N-Channel MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该产品采用碳化硅(SiC)技术,具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器等领域。
型号- ASC40N1700MT4
ASC300N1200MD3 1200V SiC MOSFET模块
描述- 本资料介绍了ASC300N1200MD3型1200V SiC MOSFET模块的特性、电学特性、热特性以及典型性能。该模块具备紧凑轻便的设计,适用于高温、高湿和偏置操作,具有超低损耗和高频运行能力。
型号- ASC300N1200MD3
ASC800N1200HPD 1200V SiC MOSFET模块\n
描述- 该资料详细介绍了ASC800N1200HPD这款1200V SiC MOSFET模块的特性、电气特性、热特性以及典型性能。它具备紧凑轻便的设计,适用于高温、高湿度和偏置操作,具有超低损耗和零关断尾电流等特点。
型号- ASC800N1200HPD
ASC75N1200MT4PB 1200V N沟道MOSFET
描述- 该资料详细介绍了ASC75N1200MT4PB型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气特性、热特性以及封装信息。该MOSFET采用碳化硅(SiC)技术,具有高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻等特性,适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。
型号- ASC75N1200MT4PB
爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号,以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展
2024年9月2日,深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单,爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出,特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著,获评了“小巨人”称号,得到了国家层面的高度认可。
【应用】耐压1200V的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块上,Rds为45mΩ
目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%,对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说,功率器件的选型尤为重要。本文推荐爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中,可以有效降低热损耗。
【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感,爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM
2024年8月28日,亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开,爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计,内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。
电子商城
现货市场
服务
可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量: 100000 提交需求>
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论