爱仕特携碳化硅MOSFET及模块新品亮相2023慕尼黑上海电子展
![模块,碳化硅MOSFET,SiC模块,SiC MOS芯片](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
![模块,碳化硅MOSFET,SiC模块,SiC MOS芯片](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
7月11日至13日,2023慕尼黑上海电子展在国家会展中心(上海)顺利举行,爱仕特携第三代碳化硅MOSFET系列新品以及全系车规级碳化硅功率模块、功率器件驱动器等产品亮相7.2B214展位,共话新能源行业高效发展路径。
爱仕特始终致力于碳化硅规律器件的研发与产业化,未来还会继续聚焦科技前沿,加大科研投入,努力提高科学服务水平,满足客户的各类需求,提供更优质的产品与服务。
第三代碳化硅MOSFET
爱仕特第三代碳化硅MOSFET系列,基于6英寸晶圆平台开发,驱动电压降至15V,降低了器件的开关损耗,实现了低导通电阻和高速开关性能的结合,有助于缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积,能更好兼容传统硅基IGBT的驱动电路,实现器件可靠性的提升,并降低了驱动损耗。
DCS12封装SiC模块
作为爱仕特新一代汽车级功率模块,拥有良好的散热性能、优异的可靠性以及优化的杂散电感水平,同时采用半桥的结构设计也为驱动器的设计带来了比较大的灵活性,可以把驱动器与电机更好的集成在一起。
EasyPACK封装SiC模块
采用1200V爱仕特新一代MOSFET技术,在简单易用的封装内实现效率最佳化,从而开发出尺寸更小、扩展性更好的电源系统,并显著提升其效率和性能。
深圳爱仕特科技有限公司,主要从事第三代半导体碳化硅大功率电力电子芯片与模块,以及相关系统方案的开发。公司拥有独立自主的知识产权与品牌运营管理,是从事SiC MOS芯片设计、模块生产、系统开发全产业链的国家高新技术企业。产品涵盖电压650V-3300V、电流5A-150A的SiC MOS芯片,高功率低耗损的SiC模块,以及基于SiC模块的整机应用系统方案,各项性能指标达到国际水平,提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务,满足不同行业需求。
自2017年成立以来,爱仕特致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。公司建立的车规级模块专用工厂,已实现全SiC功率模块的批量生产。爱仕特不断提升技术研发实力和产品创新能力,于2021年获得国家高新技术企业认定,并通过IATF16949、ISO9001等质量体系和AEC-Q101产品可靠性认证。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玉鹤甘茗转载自深圳爱仕特科技有限公司公众号,原文标题为:展会前沿 | 爱仕特携碳化硅MOSFET及模块新品亮相2023慕尼黑上海电子展,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
爱仕特连续三年荣获“中国SiC Fabless十强企业”
12月12日,“行家极光奖”颁奖典礼在深圳召开,现场揭晓极光奖的获奖名单。凭借2024年在碳化硅(SiC)领域的突出表现,爱仕特荣获“中国SiC Fabless十强企业”荣誉称号。爱仕特在SiC MOSFET芯片技术方面占据国内引领地位,以卓越的性能和创新方案推动行业发展,攻克“卡脖子”技术难题。公司已量产650V、1200V、1700V、3300V多电压等级的SiC MOSFET分立器件。
爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号,以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展
2024年9月2日,深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单,爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出,特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著,获评了“小巨人”称号,得到了国家层面的高度认可。
爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货,兼具超低导通和超快开关特性
爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户,填补了国内该系列产品研发及应用的空白,引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南
公司简介和芯片/模块产品规则 芯片 模块 参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍
爱仕特 - SIC MODULES,半导体碳化硅芯片,碳化硅MOS器件,SIC MOS模块,单芯片,SIC功率模块,SIC MOS芯片,六英寸SIC MOS芯片,SIC模块,SIC CHIPS,碳化硅芯片,ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200,电机控制器,变频器,适配器,充电机,舰船,地铁,电磁炉,混合动力汽车,电焊机,家电电器,医疗电源,电厂除尘设备,变频空调,坦克,变频洗衣机,动车,雷达,牵引变流器,智能电网,风电换流器,轻型直流输电,辅助电源,有源滤波器,太阳逆变器,车载充电机,电磁炮,消费电子,车载电源,节能环保,电动汽车,PFC电源,核磁共振仪,微波炉,计算机断层扫描,医疗设备,新能源发电,电池储能电站,充电桩,潜艇,充电器,激光炮,鱼雷,新能源汽车,CT,感应加热,电子计算机断层扫描仪,国防军工,轨道交通,无功补偿器
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
ASC30N650MT7 650V N沟道MOSFET
该资料详细介绍了ASC30N650MT7型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅(SiC)技术,具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。
爱仕特 - SIC场效应晶体管,碳化硅MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SIC MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,ASC30N650MT7,EV CHARGING,电动汽车充电,DC/DC CONVERTERS,POWER FACTOR CORRECTION MODULES,SOLAR PV INVERTERS,功率因数校正模块,太阳能光伏逆变器,DC/DC转换器,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
【元件】爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET,导通电阻低至58mΩ
近日,爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、更高功率密度的发展需求,爱仕特成功研制出耐压为3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率,使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。
ASC40N1700MT4 1700V N沟道MOSFET
该资料详细介绍了ASC40N1700MT4型1700V N-Channel MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该产品采用碳化硅(SiC)技术,具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器等领域。
爱仕特 - SIC场效应晶体管,碳化硅MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SIC MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,ASC40N1700MT4,电动汽车充电,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,EV MOTOR DRIVE,EV电机驱动,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,EV CHARGING,太阳能逆变器,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
【元件】爱仕特全新34mm封装碳化硅模块适用于大功率工业应用,具有高过载和高耐温循环能力
深圳爱仕特科技有限公司新增一款34mm工业标准封装模块,具有更多灵活性和可靠性,主要应用于工业焊机、电机传动、UPS电源、高频开关、大功率变流器等工业领域。
【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感,爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM
2024年8月28日,亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开,爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计,内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。
ASC75N1200MT4PB 1200V N沟道MOSFET
该资料详细介绍了ASC75N1200MT4PB型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气特性、热特性以及封装信息。该MOSFET采用碳化硅(SiC)技术,具有高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻等特性,适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。
爱仕特 - SIC场效应晶体管,碳化硅MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SIC MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,ASC75N1200MT4PB,电动汽车充电,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,EV MOTOR DRIVE,EV电机驱动,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,EV CHARGING,太阳能逆变器,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
爱仕特D21系列三相桥碳化硅模块,具有高效能、高功率密度和优秀的散热性能,引领车载空调压缩机发展
在2024年上海慕尼黑电子展上,爱仕特隆重推出了创新力作D21系列模块——1200V三相全桥碳化硅模块。这款模块采用紧凑型顶部散热塑封结构,以其高效能、高功率密度和优秀的散热性能,展现了碳化硅材料在高压、高频、低损耗方面的优势,为电动汽车空调压缩机、车载充电机及工业驱动系统等提供了创新解决方案,推动行业向更高效、更环保的方向迈进。
ASC800N1200HPD 1200V SiC MOSFET模块\n
该资料详细介绍了ASC800N1200HPD这款1200V SiC MOSFET模块的特性、电气特性、热特性以及典型性能。它具备紧凑轻便的设计,适用于高温、高湿度和偏置操作,具有超低损耗和零关断尾电流等特点。
爱仕特 - SIC MOSFET MODULE,SIC MOSFET模块,ASC800N1200HPD
ASR80N1200MD02 1200V N沟道MOSFET
该资料详细介绍了ASR80N1200MD02型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该MOSFET采用碳化硅(SiC)技术,具有高速开关、低电容、低导通电阻等特性,适用于电动汽车充电、高压DC/DC转换器、开关电源和功率因数校正模块等应用。
爱仕特 - SIC场效应晶体管,碳化硅MOSFET,N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SIC MOSFET,SILICON CARBIDE MOSFET,ASR80N1200MD02,EV CHARGING,电动汽车充电,高压DC/DC变换器,POWER FACTOR CORRECTION MODULES,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,功率因数校正模块,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
电子商城
现货市场
服务
![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2022/08/20afd0384d0f8bf7046fcc4f273a702c.png)
根据用户的蓝牙模块,使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B,测试蓝牙1.0至5.1,包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度,生成测试报告。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2023/08/b622db00d5870d27a414e4457118d435.png)
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论