【产品】结温高达150°C的P沟道小信号MOSFET BSS84WAHZG，适用于高侧负载开关

时间： 2022-07-27 来源：ROHM

技术问答

BSS84WAHZG是ROHM推出的一款采用沟槽MOSFET技术的P沟道小信号MOSFET。该器件具有非常快的开关速度，4.5V驱动电压，符合AEC-Q101标准的特点。绝对最大额定值（T_a=25°C）方面，其漏源电压为-60V，连续漏极电流为±0.21A，脉冲漏极电流为±0.84A（Pw≦10μs，占空比≦1%），耗散功率为300mW（安装在陶瓷板上(7.0x5.0x0.8mm)），结温高达150°C。电气特性（T_a=25°C）方面，在V_GS=-10V、I_D=-0.21A条件下，其静态漏源导通电阻R_DS(on)（脉冲）最大值为5.3Ω。该器件采用SOT-323封装，适用于开关电路、高侧负载开关、继电器驱动器领域，其产品外形及内部电路如下图所示。

包装规格:

特点：

1)采用沟槽MOSFET技术

2)非常快的开关速度

3)4.5V驱动

4)符合AEC-Q101标准

应用：

•开关电路

•高侧负载开关

•继电器驱动器

绝对最大额定值（T_a=25°C，除非另有说明）

*1Pw≦10μs，占空比≦1%

*2安装在陶瓷板上(7.0x5.0x0.8mm)

*3脉冲

外形尺寸：

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