【产品】结温高达150°C的P沟道小信号MOSFET BSS84WAHZG，适用于高侧负载开关

时间： 2022-07-27 来源：ROHM

技术问答

BSS84WAHZG是ROHM推出的一款采用沟槽MOSFET技术的P沟道小信号MOSFET。该器件具有非常快的开关速度，4.5V驱动电压，符合AEC-Q101标准的特点。绝对最大额定值（T_a=25°C）方面，其漏源电压为-60V，连续漏极电流为±0.21A，脉冲漏极电流为±0.84A（Pw≦10μs，占空比≦1%），耗散功率为300mW（安装在陶瓷板上(7.0x5.0x0.8mm)），结温高达150°C。电气特性（T_a=25°C）方面，在V_GS=-10V、I_D=-0.21A条件下，其静态漏源导通电阻R_DS(on)（脉冲）最大值为5.3Ω。该器件采用SOT-323封装，适用于开关电路、高侧负载开关、继电器驱动器领域，其产品外形及内部电路如下图所示。

包装规格:

特点：

1)采用沟槽MOSFET技术

2)非常快的开关速度

3)4.5V驱动

4)符合AEC-Q101标准

应用：

•开关电路

•高侧负载开关

•继电器驱动器

绝对最大额定值（T_a=25°C，除非另有说明）

*1Pw≦10μs，占空比≦1%

*2安装在陶瓷板上(7.0x5.0x0.8mm)

*3脉冲

外形尺寸：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由零点翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】ROHM P沟道小信号MOSFET BSS84W，漏源电压为-60V，具有非常快的开关速度

BSS84W是ROHM推出的一款P沟道小信号MOSFET，该器件采用沟槽MOSFET技术，具有非常快的开关速度。绝对最大额定值（Ta=25°C）方面，其漏源电压为-60V，连续漏极电流为±0.21A。

产品发布时间 : 2022-07-30

【产品】集电极电流1.5A的低噪声NPN型晶体三极管SS8050，适用于低功率放大电路和开关电路

SLKOR推出的SS8050是一款PNP型晶体管，具有高电流放大系数和低噪声等特点，适用于低功率放大电路和开关电路；采用SOT-23封装，方便焊接和安装；集射极击穿电压为25V，集电极电流为1.5A，功率为300mW；工作温度范围-55℃~150℃。

产品发布时间 : 2023-08-30

采用PDFN5X6封装的中低压MOS管：合科泰HKTG50N03，特别适用于驱动电路和开关电路上

NMOS是一种常见的分立器件，其可以实现高速开关和电流控制的功能，通常具有低开关损耗和快速开关特性，适用于做电路开关等。本文给大家介绍一款中低压MOS管HKTG50N03，它在驱动电路和开关电路上具有非常广泛的应用。

产品发布时间 : 2024-09-10

【产品】 -60V/-0.23A的P沟道小信号MOSFET BSS84，采用SOT-23封装

ROHM推出的型号为BSS84的P沟道小信号MOSFET，采用沟槽MOSFET技术，VDSS为-60V，RDS(on)(Max.)为5.3Ω，ID为±0.23A，PD为350mW，可以快速开关，采用SOT-23封装，可应用于开关电路等领域。

新产品发布时间 : 2020-03-01

【产品】内置G-S保护二极管的双通道P沟道MOSFET QH6J1系列，导通电阻仅215mΩ

罗姆（ROHM）公司近期推出了一款-20V双路P沟道小信号MOSFET——QH6J1，如图1所示。其采用无铅镀层，符合RoHS标准。QH6J1具备较低的导通电阻（215mΩ），并且内置G-S保护二极管，安全性高，非常适用于开关应用。

新产品发布时间 : 2018-09-19

BSS84WAHZG LTspice Model

型号- BSS84WAHZG

设计模型 - ROHM - 2023/05/08 ZIP 英文下载

【产品】P沟道车载小信号MOSFET RQ1A070ZPHZG，导通电阻最大仅12mΩ

RQ1A070ZPHZG是ROHM推出的P沟道车载小信号MOSFET，通过了AEC-Q101认证，导通电阻低，最大仅12mΩ，采用表面贴装型小封装—TSMT8，符合RoHS标准，适用于开关应用。

新产品发布时间 : 2019-08-13

【产品】-60V /-0.23A的车载级P沟道小信号MOSFET BSS84HZG，采用SOT-23表面贴装式封装

ROHM（罗姆）推出的车载级P通道小信号MOSFET BSS84HZG，通过了AEC-Q101认证，采用SOT-23表面贴装式封装。其漏极-源极电压VDSS= -60V，最大导通电阻RDS（ON）(Max.)=5.3Ω，漏极电流ID=±0.23A，功耗PD=350mW，适用于开关电路、高压侧负荷开关及继电器驱动等领域。

新产品发布时间 : 2020-03-16

BSS84WAHZG SPICE Model

型号- BSS84WAHZG

设计模型 - ROHM - 2022/09/02 ZIP 英文下载

EM6M2 20V Nch + Pch Small Signal MOSFET Datasheet

型号- EM6M2

数据手册 - ROHM - Rev.002 - 20221214 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】导通电阻仅3.0Ω的双路互补型N沟道/P沟道MOSFET

CMLM0708A是CENTRAL半导体公司推出的一款双路互补型N沟道/P沟道MOSFET，其内部的两个MOSFETs（Q1和Q2）均具有较低的rDS（ON），以及较低的阈值电压。CMLM0708A双路互补型MOSFET采用小型SOT-563表面贴装封装，专为小信号通用型应用而设计，其尺寸和运行效率是首要考虑的因素。

新产品发布时间 : 2018-06-22