国产1200V/80mΩ碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH，TO-247-3L封装，符合RoHS要求

时间： 2022-12-10 来源：瑶芯微

技术问答

瑶芯微1200V 、80mohm碳化硅功率MOSFET AKCK2M080WMH具备高耐压、低漏源导通电阻，高速开关速度、低电容，低反向恢复电流、快速本征二极管等特性，无卤素，符合RoHS要求，适用于可再生能源，EV电池充电器，高压DC/DC转换器，开关电源。

（1）栅极，（2）漏极，（3）源极

特性：

· 高耐压、低漏源导通电阻

· 高速开关速度、低电容

· 低反向恢复电流、快速本征二极管

· 无卤素、符合RoHS （备注1：如需具体信息，请联系ALKAIDSEMI销售）

适用范围：

· 可再生能源

· EV电池充电器

· 高压DC/DC转换器

· 开关电源

关键性能参数

订购信息

最大额定参数表（（环境温度T_A=25℃，除特别说明之外）

热特性表格

备注1：受最大结温限制的最大脉冲漏极电流

备注2：重复定额：脉宽受限于最大结温

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解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

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碳化硅MOSFET 碳化硅MOSFET晶圆碳化硅MOSFET单管碳化硅二极管碳化硅EJBS晶圆碳化硅EJBS单管二极管栅控二极管晶圆 MCR单管肖特基二极管

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