【产品】42mΩ 650VSiC共源共栅器件UF3C065040K3S，具有出色的反向恢复特性

时间： 2022-02-15 来源：UnitedSiC

技术问答

UnitedSiC推出的UF3C065040K3S是一款42mΩ 650V SiC共源共栅器件。United Silicon Carbide的共源共栅产品将其高性能 G3 SiC JFET与具有共源共栅优化的MOSFET共同封装，从而生产出目前市场上唯一的标准栅极驱动SiC器件。这个系列具有超低的栅极电荷，而且在多数具有类似额定值的器件中具有最佳的反向恢复特性。这些设备与推荐的RC缓冲器一起使用时，非常适合切换感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

产品特征

●典型导通电阻 R_DS(on),typ为42mΩ

●最高工作温度175℃

●出色的反向恢复特性

●低的栅极电荷

● 低固有电容

● ESD保护，HBM2级

● 非常低的开关损耗（在典型工作条件下所需的 RC 缓冲器损耗可以忽略不计）

典型应用

● 电动汽车充电

● 光伏逆变器

● 开关电源

● 功率因数校正模块

● 电机驱动

● 感应加热

最大额定值:

漏源电压V_DS： 650V；
DC条件下，栅源电压V_GS：-25~+25V；
连续漏极电流I_D：
在T_C=25℃时：54A；
在T_C=100℃时：40A；
在T_C=25℃时，脉冲漏极电流I_DM为125A；
L=15mH, I_AS=3.19A时，单脉冲雪崩能量E_AS：76mJ；
在T_C=25℃时，功率损耗P_tot：326W；
最高结温T_J,max：175℃；
工作与存储温度T_J, T_STG：-55~175℃；
最高焊接时铅的温度，1/8”距离外壳5秒 T_L：250℃

注：

连续漏极电流：受T_J,max限制；

脉冲漏极电流：脉冲宽度t_p受T_J,max限制；

单脉冲雪崩能量：起始T_J= 25℃

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