【产品】42mΩ 650VSiC共源共栅器件UF3C065040K3S，具有出色的反向恢复特性
UnitedSiC推出的UF3C065040K3S是一款42mΩ 650V SiC共源共栅器件。United Silicon Carbide的共源共栅产品将其高性能 G3 SiC JFET与具有共源共栅优化的MOSFET共同封装，从而生产出目前市场上唯一的标准栅极驱动SiC器件。这个系列具有超低的栅极电荷，而且在多数具有类似额定值的器件中具有最佳的反向恢复特性。这些设备与推荐的RC缓冲器一起使用时，非常适合切换感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
产品特征
●典型导通电阻 RDS(on),typ为42mΩ
●最高工作温度175℃
●出色的反向恢复特性
●低的栅极电荷
● 低固有电容
● ESD保护，HBM2级
● 非常低的开关损耗（在典型工作条件下所需的 RC 缓冲器损耗可以忽略不计）
典型应用
● 电动汽车充电
● 光伏逆变器
● 开关电源
● 功率因数校正模块
● 电机驱动
● 感应加热
最大额定值:
漏源电压VDS： 650V；
DC条件下，栅源电压VGS：-25~+25V；
连续漏极电流ID：
在TC=25℃时 ：54A；
在TC=100℃时：40A；
在TC=25℃时，脉冲漏极电流IDM为125A；
L=15mH, IAS=3.19A时，单脉冲雪崩能量EAS：76mJ；
在TC=25℃时，功率损耗Ptot：326W；
最高结温TJ,max：175℃；
工作与存储温度TJ, TSTG：-55~175℃；
最高焊接时铅的温度，1/8”距离外壳5秒 TL：250℃
注：
连续漏极电流：受TJ,max限制；
脉冲漏极电流：脉冲宽度tp受TJ,max限制；
单脉冲雪崩能量：起始TJ = 25℃
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现货市场
服务
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
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