【产品】单刀双掷反射开关带宽高达6GHz，助力太空环境高频应用

时间： 2018-04-29 来源：UMS

技术问答

United Monolithic Semiconductors (UMS)公司最新发布了一款工作带宽DC-6GHz气密性封装的单刀双掷（SPDT）反射开关，型号为CHS5104-FAA。CHS5104-FAA为工作带宽DC-6GHz的SPDT反射开关，采用6×6mm²的表面贴装的陶瓷气密性封装，可满足太空环境要求。

它的特点是线性度好，输入1dB功率压缩点为30dBm。具有较低的插入损耗，2GHz条件下，低损耗为0.6dB；4GHz条件下，低损耗为1dB；以及在6GHz条件下，低损耗为1.3dB。

CHS5104-FAA电路采用内置pHEMT 0.25μm工艺，具有很好的高频、高速性能。该开关的电路及外部引脚如图1所示，封装外观如图2所示。

图1 CHS5104-FAA电路及外部引脚

图2 CHS5104-FAA样品示意图

S参数频率特性和插入损耗分别如图3、4所示：

图3 S参数频率特性曲线

图4 插入损耗

CHS5104-FAA产品具有广泛的应用，包括在太空、军事、商业通信系统等领域。

CHS5104-FAA产品特点：

频率范围：DC-6GHz；

低插入损耗： 0.6dB@2GHz、1.0dB@4GHz、1.3dB@6GHz

输入1dB功率压缩点：30dBm

隔离度：30dB@4GHz

回波损耗：10dB

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由毛毛翻译自UMS，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】6-18GHz反射式单刀双掷开关，GaN工艺单片微波IC

UMS推出的反射式单刀双掷开关（SPDT）CHS8618-99F，切换时间典型值为30ns，在导通状态下的插入损耗极小，典型值仅为1.3dB，可应用于大多数军事或商业通信系统中。

新产品发布时间 : 2018-02-26

【产品】GaAs单片反射式SPDT开关CHS5100-99F, 超宽频DC-20GHz, 高隔离度53dB!

UMS的CHS5100-99F是单刀双掷射频开关，隔离度典型值为53dB@1GHz，插入损耗典型值低至2.1dB@20GHz。

新产品发布时间 : 2017-12-22

【产品】SMD无铅封装的单片式FET，插入损耗典型值仅1.3dB

UMS的CHS5104-FAA是一款基于反射开关的单片式FET，其电路采用pHEMT工艺制造，且应用无引脚表面贴装密封金属陶瓷6x6mm²封装，栅极长度为0.25μm，符合RoHS标准。它可以广泛的适用于从太空、军用到商用通信系统等应用。

新产品发布时间 : 2018-04-02

【选型】插入损耗1.4dB、隔离度53dB的SPDT开关IC在C波段卫星通信系统的推荐选型

对于C波段（4.0GHz~8.0GHz）的卫星通信系统，UMS提供了两种反射式SPDT开关IC选型方案，分别是CHS7012-99F、CHS5100-99F。它们的RF频率最小-1GHz，最大可达分别为12GHz和20GHz，符合C波段（4.0GHz~8.0GHz）的要求，可为整个通信系统提供双控制功能，具备低插入损耗、高隔离度等优势。

器件选型发布时间 : 2019-10-25

CHS5104-FAA: A DC-6GHz Reflective SPDT Switch in a 6x6mm2 SMD Ceramic Hermetic Package with Space Requirements

The CHS5104-FAA is a DC-6GHz reflective SPDT switch in a 6x6mm2 SMD ceramic hermetic package compatible with space requirements. It features an input P1dB of 30dBm and a low insertion loss of 0.6dB@2GHz, 1dB@4GHz, and 1.3dB@6GHz.

产品发布时间 : 2023-09-30

6GHz-18GHz Reflective SPDT GaN Monolithic Microwave IC Advanced Information

数据手册 - UMS - 21 Nov 16 PDF 英文下载查看更多版本

【应用】35dB！1.4dB！高隔离度、低插入损耗的DC~12GHz反射式SPDT开关助力C波段卫星通信系统设计

对于C波段卫星通信系统中SPDT开关的选取，本文推荐采用UMS公司提供的适用于DC~12GHz频段的反射式SPDT开关——CHS7012-99F，插入损耗典型值低至1.4dB，隔离度典型值为35dB，输入功率典型值为40.5dBm，尺寸为1.15mm x 1.65mm x 0.1mm，具备低插入损耗、高隔离度、小尺寸优势，可满足军事及商业通信系统的设计要求。

应用方案发布时间 : 2019-07-09

CHS5104-FAB DC-6GHz Reflective SPDT GaAs Monolithic Microwave IC in SMD leadless package

型号- CHS5104-FAB,CHS5104-FAB/XY

数据手册 - UMS - 27 Oct 20 PDF 英文下载

DC-12GHz Reflective SPDT GaN Monolithic Microwave IC

型号- CHS7012-99F

技术文档 - UMS - 28 Sep 17 PDF 英文下载

【应用】输入功率30dBm，RF带宽为DC~6GHz的反射式SPDT开关，助力S波段卫星通信系统

针对S波段卫星通信系统中SPDT开关的选取，UMS推出的基于FET的反射式SPDT开关——CHS5104-FAA，RF带宽为DC~6GHz，符合S波段的要求，并且具备低插入损耗优势（可低至0.6dB），在1dB增益压缩的条件下，输入功率的典型值为30dBm，开关时间为10ns（典型值），在关闭状态下的隔离度可达30dB，具备出色的开关性能。

应用方案发布时间 : 2019-07-31

【应用】频带范围DC~12GHz、开关时间20ns的反射式SPDT开关CHS7012-99F，用于X波段卫星通信

针对X波段卫星通信中的SPDT开关，本文推荐UMS公司推出的一款基于单片FET的反射式SPDT开关CHS7012-99F，频带范围宽至DC~12GHz，插入损耗低至1.4dB，关闭状态隔离度高达35dB，开关时间典型值仅为20ns，在1dB增益压缩下输入功率可达40.5dBm，控制电压典型值仅为-25V/0V，采用GaN/SiC pHEMT工艺制造，非常适合用于X波段卫星通信。

应用方案发布时间 : 2019-08-13