【技术】深紫外LED灯珠如何利用纳米阵列打破光效瓶颈？

时间： 2022-09-14 来源：福特电子

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本文福特电子为大家科普解答：深紫外LED灯珠利用纳米阵列打破光效瓶颈？详情请看下文：

由于AlGalGaN数据LED灯珠的外量子功率（EQE）一般小于10%，美国研究人员选择纳米阵列的共同结构来打破这一功率瓶颈。

研究人员认为，这种AlGan的纳米阵列结构可以克服高铝AlGan水平方向光传递的负面影响，因为横向磁（TM）偏振光效应会沿平面传递，从而抑制光子的激起。根据研究人员的估计，纳米阵列结构至少可以增加70%的光提取功率。

为了准确生长纳米阵列晶体，研究人员选择了选择性的区域延伸生长技能。

根据C平面GaN基蓝宝石衬底上的分子束外延生长技能（MBE），选择性生长。

模具表面渗氮处理后，Gan纳米阵列基底开始在995°C的环境中生长，而其上部的AlGan则在935-1025°C的环境中生长。富铝用于纳米阵列顶部。

利用光致发光（PL）曲线进行测量，不同份额的AlGan光谱规模为210-327nm。至于280nm的深紫外LED，其纳米阵列由厚度为300nmn型Gan、80nmn型Al0.64Ga0.36N、无掺杂Al0.48Ga0.52N和60nm的P型Al0.64Ga0.36N组成。

光致发光的光谱为283nm，全线宽为11nm。与不同温度的PL曲线相比，其内量子功率（IQE）约为45%。

50x50μm²大细设备的开启电压为4.4V，5V时电流密度达到100A/cm²。这一特性远高于传统的量子陷阱AlGaNLED。

当波长为279nm时，伴随着电流的增加和小蓝移，规模从279.6nm（50A/cm²）到278.9nm（252A/cm²）。

同时，研究人员估计，总输出功率为0.93W/cm²，电流密度达到252A/cm²。但在这种情况下，光效距离10%的政策仍有距离。

理论上，所有输出功率都可以通过优化纳米阵列的尺度和距离来。而且设备的功能也可以通过使用隧道结等结构来有效提高。

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产品型号	品类	颜色	规格（mm）	波长（nm）	正向电压@20mA(V)	亮度@20mA(mcd)
FT-0601CWAY1UDA-C	侧发光LED灯珠	白色	1.7mmx1.1mmx0.3mm	2200nm~25000nm	2.8V~3.2V	300mcd~350mcd

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