【产品】爱仕特推出1200V碳化硅MOSFET模块ASC700N1200HPD，耐高温高湿，超低损耗小于10nH

时间： 2023-01-14 来源：爱仕特

代理服务

技术支持

采购服务

爱仕特推出1200V碳化硅MOSFET模块（型号为ASC700N1200HPD），采用HPD封装，工作及存储范围温度为-40℃至+150℃，耐高温高湿，实现小巧轻便的高效系统，适用于更高的工作频率。

产品特性

·耐高温高湿，可偏置操作

·超低损耗，小于10nH

·高频工作

·MOSFET零关断尾电流

·常关，失效保护设备工作

·易并联

·带铜基板和氮化硅绝缘子

系统优势

·可实现小巧轻便的高效系统

·可安装于恶劣的室外环境

·减轻过电压保护

·减少热需求

·降低系统成本

封装154.5mm*126.5mm*32mm

绝对最大额定值（除非另有规定，否则Tc=25℃）

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由努力搬砖的Cindy翻译自爱仕特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感，爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日，亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开，爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。

2024-08-29 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】1200V碳化硅MOSFET模块ASC300N1200MEP2B，具有高电流密度、低电感设计等特点

爱仕特推出的1200V碳化硅MOSFET模块ASC300N1200MEP2B，具有高电流密度，低电感设计，开关损耗低，高频操作，易于并联等特点，并且集成NTC温度传感器，有非常多的潜在应用，如：高频开关应用，DC/DC转换器，UPS系统以及光伏。

2023-03-01 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET，内置陶瓷片优化绝缘和导热性能，为高效能应用提供新选项

爱仕特始终秉承创新理念，近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸，通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能，背面散热器做了悬浮电位设计，减少了外部绝缘材料依赖，降低了材料老化导致的长期运行故障风险，增强了产品可靠性和耐用性。

2024-09-29 - 产品代理服务技术支持采购服务

爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号，以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展

2024年9月2日，深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单，爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出，特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著，获评了“小巨人”称号，得到了国家层面的高度认可。

2024-09-11 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【应用】耐压1200V的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块上，Rds为45mΩ

目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%，对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说，功率器件的选型尤为重要。本文推荐爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中，可以有效降低热损耗。

2022-12-02 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

ASC30N650MT7 650V N沟道MOSFET

描述- 该资料详细介绍了ASC30N650MT7型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。

型号- ASC30N650MT7

2023/11/29 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

爱仕特携新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案亮相SEMI-e深圳国际半导体展

作为业内资深的碳化硅功率器件及应用方案提供商，爱仕特受邀参加此次展会，将在4号馆【4A30-8】展位进行创新成果展示。展品范围涵盖650～3300V的碳化硅MOSFET（包括最新3300V大电流产品）、650～1700V的碳化硅功率模块以及在新能源汽车、光储充用等领域的前沿应用解决方案。

2024-07-04 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

ASR80N1200MD02 1200V N沟道MOSFET

描述- 该资料详细介绍了ASR80N1200MD02型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该MOSFET采用碳化硅(SiC)技术，具有高速开关、低电容、低导通电阻等特性，适用于电动汽车充电、高压DC/DC转换器、开关电源和功率因数校正模块等应用。

型号- ASR80N1200MD02

2023/12/28 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

ASC700N1200HPD 1200V SiC MOSFET模块\n

描述- 该资料介绍了ASC700N1200HPD这款1200V SiC MOSFET模块的特性、电气特性、热特性以及典型性能。它具有紧凑轻便的设计，适用于高温、高湿和偏置操作，具备超低损耗、高频运行等特点。

型号- ASC700N1200HPD

2021/8/25 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

ASC600N1200MED 1200V SiC MOSFET模块

描述- 本资料介绍了ASC600N1200MED型1200V碳化硅MOSFET模块的特性。该模块具备高温度、湿度和偏置操作能力，适用于低损耗、高频操作的电力转换器和电机驱动器等领域。

型号- ASC600N1200MED

2022/7/28 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

ASC30N1200MT7 1200V N沟道MOSFET

描述- 该资料详细介绍了ASC30N1200MT7型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅(SiC)技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻等特性，适用于电动汽车充电、高压DC/DC转换器、开关电源和功率因数校正模块等应用。

型号- ASC30N1200MT7

2023/11/10 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

爱仕特邀您共赴2024慕尼黑上海电子展，全面展示650~3300V 碳化硅器件及应用方案

慕尼黑上海电子展览会是全球最具影响力的慕尼黑系列电子展，作为业内领先的碳化硅功率器件及应用方案提供商，爱仕特将携650～3300V的碳化硅MOSFET（包括最新3300V大电流产品）、650～1700V的碳化硅功率模块以及在新能源汽车、光储充用等领域的碳化硅功率转换解决方案等产品隆重亮相，于【E3.3225】展位进行全方位展示。

2024-07-03 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

ASR12N650MD02 650V N沟道MOSFET

描述- 该资料详细介绍了ASR12N650MD02型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数、热特性以及应用领域。该MOSFET采用碳化硅(SiC)技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻等特性，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。

型号- ASR12N650MD02

2024/1/26 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

ASC30N1200MT4 1200V N沟道MOSFET

描述- 本资料详细介绍了ASC30N1200MT4型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数、应用领域和订购信息。该产品采用碳化硅(SiC)技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压、低RDS(on)等特点，适用于电动汽车充电、高压DC/DC转换器、开关电源和功率因数校正模块等领域。

型号- ASC30N1200MT4

2023/11/10 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

ASC100N650MT3 650V N沟道MOSFET

描述- 本资料详细介绍了ASC100N650MT3型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数、应用领域和订购信息。该产品采用碳化硅（SiC）技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻等特性，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。

型号- ASC100N650MT3

2024/1/10 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务