【应用】基于MOSFET的高效LLC谐振隔离DC/DC

时间： 2016-10-27 来源：松哥电源

技术问答

本方案利用新一代1000V、65毫欧4脚TO247封装碳化硅（SiC）MOSFET（C3M0065100K）实现了高频LLC谐振全桥隔离变换器，如图所示。由于碳化硅的高阻断电压，快速开关及低损耗等特点，高压输入隔离DC/DC变换器的拓扑可以得到简化（从原来的三电平简化为传统全桥拓扑）。

碳化硅MOSFET在软开关桥式上具有以下明显的优势：
1）高阻断电压可以简化拓扑设计，电路从复杂三电平变为两电平全桥电路，提高可靠性；
2）由于拓扑简化，采用硅基650V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通，所以实际等效导通损耗会比采用全桥拓扑的1000V碳化硅MOSFET要大；
3）低寄生电容如输入电容（Ciss），输出电容(Coss)及反向传输电容（Crss），使得器件快速开关，从而减少关断损耗，开关表现更好并适合用于更高频开关变换器；
4）体二极管具有极低反向恢复时间（trr）及反向恢复电荷（Qrr）从而降低二极管开关损耗及操声，便于实现宽范围工作；
5）较短的导通（td_on）及关断（td_off）延迟时间和低Qrr能承受更短死区时间，低死区时间可以降低绕组回流损耗；
6）较低栅极总电荷（Qg）在高频应用上得到更低栅极开关驱动损耗。

图1：SiC方案和Si方案对比

碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。如图所示，同一额定电流900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二极管反向电荷只有同等电压规格硅基MOSFET的5%。对于桥式电路来说（特别当LLC变换器工作在高于谐振频率的时候），这个指标非常关键，它可以减小死区时间以及体二极管的反向恢复带来的损耗和噪音，便于提高开关工作频率。

图2：碳化硅MOSFET和硅MOSFET体二极管反向恢复的比较

图3给出了本设计主要参数指标，其中输出最大电流为35A，输出电压范围在300V-550之间。工作频率范围在150KHZ-400KHZ之间。目标最高效率超过98.4%，功率密度达到60瓦/立方英寸。

碳化硅器件包括主开关MOSFET C3M0065100K；输出碳化硅二极管C5D50065D；单端反激Flyback辅助电源的MOSFET C2M1000170D。

方案能广泛应用于新能源电动汽车充电、通信电源和高压直流工业电源等三相隔离变换器中。

图3：20KW高效LLC谐振全桥变换器主要参数

图4比较了15KW市面上量产硅MOSFET方案和本碳化硅MOSFET的20KW方案的尺寸和拓扑，从结果上看，该碳化硅MOSFET器件由于自身的高频高压以及低体二极管反向恢复的优势能简化拓扑设计，提高了隔离DC/DC变换器的功率密度。

图4：15KW硅MOSFET方案和本碳化硅MOSFET的20KW方案比较

方案每个开关采用两颗1000V、65毫欧碳化硅MOSFET(C3M0065100K)并联，总共有８颗碳化硅在变压器原边，输出电压范围是300V-550V直流，输出恒定电流为35A。

其中谐振电感采用两颗8uH的PQ3540串联，主变压器为两个PQ6560、Lm=150uH变压器并联。次边采用恒压加恒流控制策略实现全谐振变频控制。

图5：20KW高效LLC谐振全桥变换器结构

图6给出了20KW高效LLC谐振全桥变换器的试验样机图。其中包括有LLC控制反馈电路，辅助电源电路，谐振LLC等无源器件，原边碳化硅MOSFET散热器，次边碳化硅650V二极管散热器，驱动电路以及两个12W风扇。整体板子尺寸为：275mmX220mmX65mm。

图6：20KW高效LLC谐振全桥变换器的试验样机图

在LLC电路设计时候，一个重要参数是谐振点的设定，设定好谐振频率意味着最高效率的确定，这个需要考虑实际工作情况以及器件自身特性来决定。

1）对于宽输入输出电压的应用来说，就是要设定谐振点对应的额定输入输出电压，在此额定输入输出电压下实现最高效率工作，变换器实现ZVS开通，关断实现接近ZCS关断；

2）当工作在谐振点左面时，变换器工作在低于谐振频率的升压状态，输出二极管实现零电流ZCS关断，碳化硅MOSFET关断瞬间主要存在励磁电流的较小关断损耗。但其主要缺陷原边励磁电流有效值增加，从而在原边产生环流损耗，此环流损耗并不传输能量同时会在变压器、电感以及碳化硅MOSFET上产生导通环流损耗和温升等问题。这个损耗与采用碳化硅器件与否没有直接关系，即便采用碳化硅MOSFET设计环流损耗还是依然存在的；

3）工作在谐振点右面时，变换器工作在高于谐振频率的降压状态，其特点是高频率工作可以减小原边励磁电流有效值，从而降低环流带来的导通环流损耗。但此时碳化硅MOSFET和输出二极管工作在硬关断状态，会增加关断损耗。另外，对于传统硅器件来讲，其体二极管反向恢复时间trr一般大于200ns以上，这样会产生较大体二极管反向恢复带来的开关损耗和噪音，这是限制硅MOSFET工作在LLC更宽范围的最主要原因。碳化硅MOSFET的反向恢复损耗更低（一般在14ns左右），同时关断速度较快，这就便于变换器更多的工作在高于谐振频率的范围内工作，实现宽输出电压范围。因此，在此模式下使用碳化硅MOSFET可以减小关断损耗和体二极管带来的开关损耗，实现更高频率更低输出电压工作。

图7：LLC电路模式分析

图8为20KW LLC设计的在35A输出电流条件下的DC增益曲线。从图中可以看到，最高效率谐振频率设定在700V输入500V输出条件下，谐振频率为200KHZ。同时谐振频率设计较为靠近最高输出电压下的最低工作频率，从而降低励磁电流带来的环流损耗，这个环流损耗对效率影响非常大。此时适当增加K=Lm/Lr=4.7的比值，可实现更宽范围工作。

同时，最低工作频率是150KHZ，实现输入750V输出550V变换。最高工作频率为400KHZ，实现输入650V输出300V变换。　

图8：20KW LLC设计的在35A输出电流条件下的DC增益曲线

图9给出了变压器和谐振电感的设计。特别是谐振电感设计是实现高频LLC工作的难点，在该碳化硅方案中采用了下面措施降低谐振电感温升的问题：
1）采用分段气隙设计方法，降低气隙漏磁与线包耦合带来的高频集肤效应问题，降低内层线包温度。同时可以减小过大高频漏磁带来的EMI问题；
2）电感和变压器都采用Litz线多股绕制，减小高频电阻损耗，线包层数需要控制在三层以内；
3）利用高温印制板将磁芯中柱和线包隔开3mm-5mm的距离，使得自然风既能冷却外部线包和磁芯，又能冷却内部线包和磁芯中柱。

图9：变压器和谐振电感的设计

最高效率在额定700输V入和500V输出条件下超过98.4%。满载条件下效率为97.7%。该效率测试包括辅助电源的损耗。

图10：20KW碳化硅LLC变换器实测效率

图11：图10为500V/20A输出半载条件下的波形和效率，最高效率达到98.4%，工作在谐振频率200KHZ。

图12：图为500V/35A输出满载条件下的波形和效率，最高效率达到98.2%，工作在谐振频率200KHZ。

图13：550V/30A输出满载条件下的波形

给出了实际测试满载20KW（550V/35A输出）工作下主要器件（MOSFET，二极管，变压器和电感）温度，测试环境问题为30度，测试采用风冷散热，变换器没有外壳处于开放式工作状态。实测碳化硅MOSFET工作壳温低于70摄氏度。

图14：400V/35A输出条件下的波形。工作频率260KHZ，大于谐振频率。在300V输出电压下工作频率将达到400KHZ。

方案研究了基于新一代1000V碳化硅MOSFET软开关LLC谐振DC/DC全桥变换器，工作频率范围为150KHZ至400KHZ的20KW谐振变换器证明了碳化硅MOSFET能简化高压输入隔离DC/DC变换器拓扑且具备高效能、高可靠性等明显优势，适合应用在中大功率新能源领域。

其主要特点如下：
1）碳化硅MOSFET高阻断电压（一般大于1000V）能够简化拓扑电路设计，利用传统Ｈ桥电路设计高输入电压（大于600V）隔离变换电路，而不需要三电平等复杂电路，简化电路和驱动设计。同时每个开关状态导通损耗降低；
2）碳化硅体二极管反向恢复时间和电荷远小于650V硅MOSFET器件的体二极管反向恢复时间和电荷，因此它降低了寄生体二极管反向恢复的开关损耗和噪音，便于实现宽工作频率工作；
3）碳化硅MOSFET的Coss小，降低了器件的关断损耗；
4）碳化硅MOSFET延迟时间小，可以进一步减小死区提高效率，本方案最高效率达到98.4%；
5）碳化硅MOSFET驱动电荷Qg只有硅650VMOSFET的10%，减小了开关驱动损耗，能实现更高频率工作，该方案最高工作频率为400KHZ。

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全部评论（5）

用户73650817 Lv4 资深工程师 2019-02-18

《【应用】基于MOSFET的高效LLC谐振隔离DC/DC》一文中，有没有完整原理图和BOM？文章链接：https://www.sekorm.com/news/3996.html
- 用户34872353_世强回复：目前无法提供完整的原理图和BOM表，但是核心的器件推荐Silicon Labs的SI823X隔离驱动芯片做LLC全桥或半桥的MOS管驱动；另外如果是做高效率，建议用Littelfuse的SIC MOS管做LLC转换的功率管，低导通电阻及低反向恢复电流利于系统效率提高；具体资料可以在世强平台搜索；
  查看全部1条回复
用户73650817 Lv4. 资深工程师 2019-02-20

悬赏完整实施方案
咚咚1219 Lv6. 高级专家 2018-12-03

收藏了
用户26377676 Lv3. 高级工程师 2017-12-16

本人正在做一款SICMOS的LLC谐振电路，学习了
用户43424351 Lv3. 高级工程师 2017-12-15

讲解很细致，是篇很不错的学习文章。

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HI-SEMICON（深鸿盛）MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南

目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装

型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T

选型指南 - HI-SEMICON - 2022/11/18 PDF 中文下载

250W开关电源对碳化硅功率器件的需求正逐渐加大，碳化硅二极管KS10065-A的应用可提升电源效率

碳化硅二极管以其高效的导电性、耐高温和低能耗特点，在高频开关电源设计中显得尤其重要。相比于传统的硅二极管，森国科KS10065-A二极管能在更高的频率下工作，同时保持较低的热量输出，这直接提高了开关电源的效率和可靠性。

应用方案发布时间 : 2024-08-20

蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。

应用方案发布时间 : 2024-07-17

蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核

为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。

应用方案发布时间 : 2024-07-20

1700V SiC MOSFET在低功率辅助电源中的应用，具有更轻便、更低成本的特点

650V-1200V碳化硅功率器件的市场应用越发普遍。随着额定电压为1700V-3300V的功率器件的推出，碳化硅半导体技术的众多优势已惠及电源、储能、电车、工业应用等各个细分市场。SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划，并将于2024年下半年实现大批量量产。

应用方案发布时间 : 2024-05-31

ROHM（罗姆）一次电源元器件选型指南（中文）

目录- 一次电源综合解决方案一次电源产品矩阵 AC/DC转换器产品开发方针各类电源方式的产品概要各类产品的特点和产品阵容第3代沟槽结构SiC MOSFET 第3代SiC肖特基势垒二极管第2代超级结MOSFET(600V、650V) 第4代快速恢复二极管RFS/RFL系列第3代快速恢复二极管RFNL7RFV系列齐纳二极管分流电阻器高可靠性电阻器

型号- BD7673AG,BD768XFJ,UDZGVTE-1713B,RFV12TG6S,BM2P141W,R6009JND3,BM1P105FJ,BM2P141X,KN 系列,R6507KNJ,BM2P249TF,R6025JNZ,PDZV,UDZFVFHTE-173.9B,UDZGVFHTE-173.9B,R6025JNX,UDZFVTE-178.2B,R6507KNX,UDZFVTE-177.5B,UDZGVFHTE-1718B,UDZFVTE-176.8B,SDR,BM2P131E,MCR01,SCT3022AL,BM2P104QF,UDZGVTE-1724B,MCR03,SCS306AHG,UDZGVTE-1712B,R6509KND3,SDZ,GMR,UDZGVTE-1736B,UDZGVFHTE-176.2B,R6047KNZ4,SCT3120AL,RFS20TJ6S,BM1PXXBFJ,BM2PA15,EDZV,UDZGVTE-1711B,PML50,SCT2280KE,BM2P137QK,R6009ENX,SCS210KGHR,BM1R001XXF,KTR25,SCS240AE2HR,UCR01,UCR03,BM2P131X,BM2P131W,UDZFVFHTE-176.2B,R6003KND3,BM1QXXX,R6009ENJ,SCT3080KL,SCS312AM,SFR,UDZGVFHTE-1716B,UDZGVTE-1722B,BM2P011,UDZGVTE-1710B,R6024KNZ4,BM2P139TF,RFV5BM6S,UCR18,BM2P016,R6547KNZ4,SCS240AE2,BM2P014,BM2P015,BM2P012,UCR10,BM2P013,BM1P101,SCT2750NY,R6070JNZ4,UDZGVFHTE-174.7B,UDZFVFHTE-174.7B,BM2P0361,BZX84B,BM1PXXCFJ,BZX84C,BM2PA35,RFNL10TJ6S,UDZGVTE-1733B,BM2P134E,BM1C102,BM1C101,UDZFVTE-1716B,AC/DC系列,R6511KND3,UDZGVTE-174.3B,SCS210AGHR,BM2P121W,BM2P134EF,BM1P107FJ,BM2P121X,BM2P012T,R6004KNX,UDZGVTE-173.6B,BM1P062FJ,BM2P137TKF,SCT2160KE,R6004JNJ,BD7672BG,R6030JNZ4,RFV,R6524ENZ,R6524ENX,UDZFVTE-1715B,UDZGVTE-1720B,UDZFVTE-1727B,UDZGVTE-175.1B,BM1Q001FJ,BM2P101GK,UDZGVFHTE-1715B,R6515KNX1,R6524ENJ,SCS210KE2,BM2P134Q,BM2P0141,UDZGVFHTE-1727B,R6011ENX,R6015KNX,R6015KNZ,RFVS8TG6S,RFNL10TJ6S*3,BM2P129TF,PML10,UDZFVTE-1718B,MCR10,BM1051F,BM2P133EK,UDZGVFHTE-175.6B,UCR006,UDZGVFHTE-1736B,UDZFVFHTE-175.1B,UDZGVFHTE-1724B,UDZGVFHTE-1712B,BM1P061FJ,BM2P014T,BMXFJ,BM2P0391,R6035ENZ4,UDZFVTE-179.1B,BM2P0151,PML18,R6020ENZ4,R6004KNJ,R6576KNZ4,BM2P101E,MCR25,SCS215AM,SCS215AG,UDZGVTE-1730B,BM1Q002FJ,BM2SCQ124T-LB,RFS30TZ6S,SCS215AE,UDZFVFHTE-173.6B,R6015KNJ,UDZFVFHTE-174.3B,UDZGVFHTE-1713B,R6011ENJ,BM1PXXX,BM2P0161,SCS220AGHR,RFL60TZ6S,MCR18,BM1050AF,BM2P181W,UDZFVTE-1724B,TFZV,UDZFVTE-1736B,R6007ENX,UDZFVTE-1712B,R6504KNJ,RFVS8TJ6S,BM2PXX1,UDZGV,RFL60TS6D,BM2P135TF,R6007ENJ,SCS230AE2,R6504KND3,BD7671FJ,PSR400,SCS210AM,R6035KNZ,SCS210AG,UDZFVTE-1711B,R6515KNX,UDZGVFHTE-179.1B,R6515KNZ,SCS210KE2HR,SCS215KG,R6030ENZ,R6030ENX,BM2P134QF,R6004JND3,BM2P061E,R6504KNX,BM1C102F,R6030KNZ4,R6507KND3,SCS220AM,BM1P06CFJ,PML100,BM2PXXX,R6011KNX,MCR50,SCS220AE,R6007END3,SCS220AG,ESR25,R6511ENX,SDR03,SDR05,R6511ENJ,BM2P064EF,R6515KNJ,BM1C101F,R6530ENZ,ESR,SCS310AHG,R6530ENX,UDZFVTE-1713B,UDZGVFHTE-176.8B,UDZGVFHTE-177.5B,SCT3080AL,UDZGVFHTE-178.2B,ESR10,UDZFV,ESR18,R6011KNJ,SCH2080KE,RGCL,MCR,BM2P051F,TDZV,SCS205KG,UDZFVTE-1720B,BM2P0922F,BM2P131GK,SCS212AGHR,R60XXENX,R6530KNZ4,R6535ENZ4,SCS205KGHR,BM2P0161K,ESR03,ESR01,BM1P066FJ,BD7692FJ,BM2P064E,BM2P052F,SCS212AM,R6012JNX,BM2P159PF,SCS212AG,UFZV,BM2P131FK,RFNL5TJ6S,SCS320AM,R6020ENX,R6024KNX,R6011KND3,R6020ENZ,R6524KNZ4,SCS206AGHR,R6024KNZ,BM2P053F,BD7681FJ,R6520ENZ4,BM1Q103FJ,R6509ENJ,R6020ENJ,BM2P151X,UDZFVTE-1722B,R6024KNJ,R6050JNZ4,RFNL20TJ6S,BM2P151W,R6535KNZ,RFV12TJ6S,UDZFVTE-1710B,MCR100,R6530KNX1,SCS320AHG,SCS310AM,R6509ENX,BM1P065FJ,PSR100,R6012JNJ,BM2P054F,BD7691FJ,BD7679G,SCS308AHG,R6076ENZ4,R6524KNX1,RFS60TZ6S,UDZFVTE-1733B,PML,BM2P0322,RFL30TZ6S,SCT3105KL,PMR,BM1Q104FJ,R6035KNZ4,R60XXKNX,R65XXENX,BM2P26CK,BM2PXXXC,SFR10,R6020JNJ,SCS308AM,UDZFVFHTE-1727B,UDZFVFHTE-1715B,SFR03,R60XX,BM2SCQ12XT,SFR01,R6520ENX,R6524KNX,R6520ENZ,BM1P068FJ,BD7690FJ,R6524KNZ,BD85506F,SCT3060AL,R6520ENJ,UDZV,UDZFVFHTE-1716B,R6009END3,R6524KNJ,SCT3030KL,UDZGVTE-179.1B,BM2SCQ121T-LB,PMR03,RFNL5BM6S,R6020KNZ4,RFV8BM6S,R6002END3,R6020KNX,SCS312AHG,BM2P189TF,R6020KNZ,PMR01,R6006KND3,BM2P061FK,R6015ENZ,BM2P074KF,R6007JNJ,R6020KNJ,UDZFVTE-1730B,BM2P107QKF,SFR25,RFV15TG6S,PMR18,BM1P067FJ,R6042JNZ4,BM2P061GK,PMR10,UDZFVFHTE-1718B,R6004ENJ,R6018JNX,R6004ENX,R6047ENZ4,UDZGVTE-176.8B,R6030JNZ,PMR25,R6509END3,R6015ENJ,R6502END3,SFR18,UDZGVTE-178.2B,KDZV,SCS210KG,RFV8TG6S,UDZGVTE-177.5B,R6007JNX,BM2P091F,R6015ENX,SCS215AGHR,BM2PXXXP,SCT3160KL,R6009JNX,R6020JNZ4,RFNL15TJ6S,R6009JNJ,R6507ENJ,SCT2450KE,R6007KND3,SCS220AE2,R6030ENZ4,R6507ENX,BM2P092F,RFV15TJ6S,SCS220KE2HR,PSR,R6511KNX,R6547ENZ4,SDR10,R6024ENZ4,BM2P093F,R6576ENZ4,UDZLV,RFNL5BGE6S,SCS208AGHR,R6009KNJ,SCT3040KL,SCS310A,RFNL,PTZ,BM2P094F,PSR500,R6511KNJ,SCT3017AL,PFC系列,R6006JND3,R80XXKNX,R6009KNX,R6020JNX,R6020JNZ,BM2P095F,BM2P109TF,SCS220KE2,SCS206AG,SCS304AM,SCT2H12NY,SCT2H12NZ,BM2P0522F,BM2P101W,BM1P101FJ,BM2P101X,BM2SCQ12XT-LB,BM2P101V,R6004END3,UDZFVFHTE-177.5B,UDZGVFHTE-1722B,BM2SCQ123T-LB,R6507END3,UDZFVFHTE-178.2B,UDZGVFHTE-1710B,BM2P016T,UDZFVFHTE-1730B,UDZGVTE-174.7B,BM2P091,UDZFVFHTE-176.8B,BM2P01XT,BM1Q001,UDZFVTE-173.9B,YFZV,R6076KNZ4,LTR18,RFV30TG6S,UDZFVFHTE-1720B,KDZLV,SCS315AM,UDZGVTE-176.2B,SCT2080KE,R6024ENZ,R6024ENX,UDZGVFHTE-1711B,SCS220AE2HR,R6535ENZ,SCS220KGHR,PMR100,LTR10,RFS30TS6D,R6024ENJ,CDZV,SCT3030AL,UDZFVTE-175.1B,BM2P104E,UDZFVFHTE-1733B,R6509KNJ,R6511END3,BM1Q011FJ,BM2P101FK,R6004JNX,UDZFVFHTE-179.1B,R6504END3,UDZGVFHTE-1720B,R6509KNX,SCS315AHG,R6025JNZ4,SCT2120AF,BM2P094,SCS304AHG,UDZFVTE-174.3B,BM2P092,BM2P093,UDZFVFHTE-1710B,UDZGVTE-1718B,BM2P107QK,UDZFVFHTE-1722B,R6007JND3,SCS230AE2HR,R65XXKNX,BM2PA96

选型指南 - ROHM - Ver.1.1 - 2019年11月 PDF 中文下载

在设计一款低压大电流直流电源时，输入为直流发电机产生的28V电压、200A电流的直流电，需要选择合适的肖特基二极管串联在电源输入端作为防反接使用，请问哪款器件可以满足要求？

根据该直流电源的参数需求，推荐使用Shindengen公司的低压大电流肖特基二极管模块，具体型号为D240SC4M，其反向耐压为40VDC，正向电流最大可达240A。具有极低的Vf和结电阻，适合于直流电源应用。

技术问答发布时间 : 2017-05-05

SMC整流桥、碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等多种规格产品可用在可编程电源架构上

SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。本文介绍SMC产品在可编程电源架构上的应用。

应用方案发布时间 : 2024-03-09

ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件介绍

描述- 在功率元器件领域，碳化硅作为新一代材料备受瞩目。与以往的硅(Si)材料元器件相比，碳化硅(SiC)材料功率元器件可以实现低导通电阻、高速开关、高温作业。碳化硅元器件活跃于各种领域，包括电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费类电子设备等。

商品及供应商介绍 - ROHM - vol.3 - 2013年10月1日 PDF 中文下载

【应用】1200V SiC MOSFET ASC60N1200MT4用于车载充电机，有效提高电源系统转换效率

国产爱仕特碳化硅（SiC）MOSFET ASC60N1200MT4用于车载充电机，有效提高电源系统转换效率降低电能损耗，易实现小型化、耐高温高压，在充电桩、公交大巴、电机控制器、车载充电机上有大量成功应用案例，采用SiC MOS 4/ 6英寸晶圆。

应用方案发布时间 : 2022-05-18

森国科推出KS系列碳化硅二极管，零反向恢复的特性大幅降低损耗，有效应用于3KW通信电源

在3KW高效通信电源无桥交错PFC电路中，可以采用2颗森国科半导体650V的碳化硅肖特基二极管KS20065-R2、KS30065-R2等，也可以选用森国科1200V碳化硅二极管KS20120-E、KS20120-R2。这些二极管具有零反向恢复的特性，可以大幅降低反向恢复带来的损耗，从而提升整体效率。

应用方案发布时间 : 2024-01-18