【应用】反向峰值电压1200V的碳化硅肖特基二极管G5S12002C用于光储一体机，耗散功率最大仅51W
随着光伏逆变器向高效率、高功率密度、高可靠性等方向发展，基于SiC优异的性能，SiC在光伏领域的应用将逐渐成熟。客户之前使用某厂牌1200V，2A的SIC二极管，现有国产化需求，推荐泰科天润碳化硅肖特基二极管G5S12002C。以下是应用框图：
图 G5S12002C用于光储机的应用
G5S12002C用于光储一体机的优势：
（1）反向峰值电压1200V，高压范围宽，系统运行更稳定；
（2）耗散功率最大仅51W，功耗低，降低耗能；
（3）工作温度-55℃~175℃，可以克服高温环境。提高使用稳定性；
G5S12002C满足反向峰值电压1200V，正向电流2A，可以工作在-55℃~175℃的环境中。耗散功率最大仅51W，极大降低开关损耗，并联器件中没有热崩溃，降低系统对散热片的依赖，TO-252封装。
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泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型，覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等，覆盖常规功率段，晶圆尺寸：4寸/6寸，VRRM(V)：650V-3300V。
|
产品型号
|
品类
|
晶圆尺寸
|
Package
|
Config.
|
VRRM(V)
|
IF(A)(Tc=160℃)
|
IF(A)(Tc=125℃)
|
IF(A)(Tc=25℃)
|
IFSM(A)(Tc=25℃)
|
RTH-JC(Typ.)(℃/W)
|
Qc(nc)(Tj=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=25℃)
|
Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
|
IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
|
IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
|
|
G51XT
|
碳化硅肖特基功率二极管
|
4寸
|
SOD123
|
单芯
|
650
|
0.65
|
1
|
1.84
|
18
|
32.74
|
3.6(VR=400V)
|
3.8
|
1.2
|
1.38
|
1.6
|
1.57
|
2
|
0.07
|
50
|
0.2
|
100
|
选型表 - 泰科天润 立即选型
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
HI-SEMICON（深鸿盛）碳化硅肖特基二极管选型表
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时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T，光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择
在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢？本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势，帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。
碳化硅肖特基二极管的优势及应用
肖特基二极管，又称热载流子二极管，通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒，实现整流。与普通PN结二极管相比，肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅（SiC）是一种高性能的半导体材料，基于SiC的肖特基二极管（SiC Schottky Diode）具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限。
【产品】直流阻断电压高达1200V的碳化硅肖特基二极管AS3D005120A，具有零反向恢复电流
安邦推出的碳化硅肖特基二极管AS3D005120A，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压。其优势有用单极器件代替双极器件，减小了散热器尺寸。其直流阻断电压高达1200V（TC=25℃），正向电流19A（TC ≤25℃），175℃的工作结温，可应用在开关电源，电机驱动。
电子商城
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
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