【产品】反向电压20V,峰值反向电压达到30V的肖特基势垒二极管RBE1VAM20A和RBE2VAM20A

2018-11-18 ROHM
肖特基势垒二极管,RBE1VAM20A,RBE2VAM20A,ROHM 肖特基势垒二极管,RBE1VAM20A,RBE2VAM20A,ROHM 肖特基势垒二极管,RBE1VAM20A,RBE2VAM20A,ROHM 肖特基势垒二极管,RBE1VAM20A,RBE2VAM20A,ROHM

RBE1VAM20ARBE2VAM20AROHM公司生产的两款肖特基势垒二极管,采用SOD-323HE封装,尺寸仅为2.5mm*1.4mm*0.6mm,节省了空间,降低了生产成本。RBE1VAM20A和RBE2VAM20A的存储温度范围均在-40℃~125℃,符合汽车级芯片温度要求,能够适应较为恶劣的工业环境。


图一:RBE1VAM20A和RBE2VAM20A封装图和内部电路图

 

RBE1VAM20A和RBE2VAM20A具有相同的反向电压20V,峰值反向电压达到30V。在反向电压为20V时,RBE1VAM20A漏电流最大值为200μA,RBE2VAM20A漏电流最大值为700μA,RBE1VAM20A的反向电流更小,具有更好的单向导电性,同时也确保电路关断的更为彻底。

RBE1VAM20A的平均整流电流为1A,正向浪涌峰值电流IFSM为3A,而RBE2VAM20A的平均整流电流为2A,正向浪涌峰值电流IFSM为5A,相比之下,RBE2VAM20A的整流电流更大,抗浪涌电流能力更强,更适合大电流整流,同时大抗浪涌电流能力可避免器件被来自电力线或系统内部的浪涌冲击损坏,保证器件稳定可靠。

在正向电流为1A时,RBE1VAM20A的正向电压为0.53V,RBE2VAM20A为0.39V,二者都具有超低的正向压降,可以减小正向导通损耗,同时也可以减小开关损耗。


        

图二.RBE1VAM20A(左)和RBE2VAM20A(右)正向电压与正向电流曲线图


订购信息如下图所示:


图三.RBE1VAM20A(左)和RBE2VAM20A(右)订购信息图



RBE1VAM20A和RBE2VAM20A肖特基势垒二极管的主要特点:

· 高可靠性

反向峰值电压为30V

• 平均正向整流电流1A(RBE1VAM20A),2A(RBE2VAM20A

• 可承受峰值正向浪涌电流达3ARBE1VAM20A),5ARBE2VAM20A

• 正向导通电压最大0.53V(RBE1VAM20A),0.39V(RBE2VAM20A

• 反向电流200μARBE1VAM20A,700μARBE2VAM20A

• 储存温度为-40℃~125°C


RBE1VAM20A和RBE2VAM20A肖特基势垒二极管的主要应用:

· 一般整流器

• 低压整流器

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