【应用】页擦除10ms、最高时钟频率104MHz的国产NOR FLASH TH25Q-80HA助力400G光模块
随着数据中心建设加速，400G光模块需求量迅猛增长。如下图1，在400G QSFP-DD光模块电路系统中，为协助DSP工作，需要放置一块NOR FLASH用于存储代码及数据，而鉴于400G光模块特性，它要求该存储芯片应具备擦除快、读写快、体积小等特性。
图1 400G QSFP-DD光模块电路结构框图
作为国产存储芯片厂商杰出代表的紫光青藤，推出了一款新型NOR FLASH：TH25Q-80HA系列，在擦除时间、读写速率、接口形式、体积等指标上，相较其他品牌，更能提升400G光模块的性能。
TH25Q-80HA的每个可编程页面为256Byte，总体容量为8Mb。它每个可擦除最小单元是256Byte，这给400G光模块对FLASH的操作提供了灵活性。最特别的在于擦除时间，页擦除、段擦除、块擦除，统统10ms（典型值）！大大优于同行动辄50ms、100ms的水平！如下图2，TH25Q-80HA支持标准的SPI接口，也支持DSPI、QSPI接口，而且最高时钟频率104MHz，最高等效速率可达惊人的416Mbps！这些因素极大方便400G光模块的算法设计，极大提升了400G光模块的性能。
图2 TH25Q-80HA支持104MH在的QSPI接口
TH25Q-80HA安全特性也很好，支持软件、硬件写保护功能，最小擦除寿命为100K次，数据可保存20年时间。每颗芯片还提供一个128位的全球唯一ID号，可用于用户的其他安全措施。
最后，如下图3，NOR FLASH TH25Q-80HA支持USON8封装，体积可做到2*3mm，体积小，这对要求小体积的400G光模块非常有利。
图3 USON8 2*3MM封装
综上述，紫光青藤推出的NOR FLASH TH25Q-80HA具有擦除时间短、接口速率快、体积小、安全措施丰富等特性，相较普通NOR FLASH，可以显著400G光模块性能。
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