【选型】伺服变频半桥互锁驱动推荐国产隔离栅极驱动SLM341，3A驱动能力/30V耐压
在变频器/伺服驱动中后级三相逆变需要给IGBT配套隔离驱动，隔离驱动的选型需要注意一下几点：
（1）电机驱动应用场合复杂，电压波动大，IGBT动态开关过程中的瞬态高压可能会从高压驱动侧带到低压控制侧，所以通常驱动会选择隔离驱动，隔离耐压视工作电压而定，通常会选用5kV或者3.75kV；
（2）逆变IGBT上下半桥需要考虑直通问题，通常需要做硬件互锁设计，要求隔离栅极驱动原边侧二极管能承受一定反向电压。
（3）需要一定的驱动能力，大功率的IGBT模块驱动一般要求达到3-4A。
推荐国产低成本隔离驱动方案：数明半导体SLM341，可以替换市面上常见的型号W341，满足上述要求：
（1）SLM341属于电容式隔离驱动，按照UL1577标准满足5kV隔离耐压要求；
（2）上下桥臂互锁结构如图1所示，栅极驱动器的输入通过两个控制信号驱动。互锁结构可防止两个仿真二极管同时导通，从而防止 IGBT 中发生击穿。它还确保如果两个PWM 信号同时错误地保持高电平（或低电平） ，则两个栅极驱动器输出将被驱动为低电平。能实现这一结构的最主要原因是SLM341仿真二极管能承受30V反向电压，如图2所示。
图1 上下桥臂 硬件互锁结构
图2 SLM341 输入仿真二极管特性
（3）SLM341驱动电流：源电流/灌电流均为3A，满足大功率IGBT模块驱动应用。
数明半导体SLM341可以兼容光耦隔离驱动ACPL-W341，下面为参数对比：
从上述对比可以看出：
（1）SLM341共模抑制比CMTI更大，瞬态抑制能力更强；
（2）SLM341信号传输速率更快，传输延迟更短；
（3）可以做到封装兼容，国产器件成本优势明显。
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国产隔离式栅极驱动器SLMI8233BDCG-DG用在射频仪中实现斩波功能，最高输出电流可达4A
对于射频仪来说，其电源供电需要格外注意，市电220V交流电输入，然后通过开关元件进行斩波，再整流成直流电给芯片供电，其中需要隔离驱动器来实现斩波功能，本文介绍数明半导体的隔离栅极驱动器SLMI8233BDCG-DG在射频仪中的使用优势。
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SLM34x系列隔离栅极驱动器是一款光耦合型单通道隔离MOSFET、IGBT栅极驱动器，具有不同的驱动电流能力和欠压锁定电压级别。该系列产品提供从1.0A到4.0A的峰值输出电流，在保持与标准光电耦合器隔离栅极驱动器的引脚兼容性的同时，提升了性能和可靠性。
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SILM825x双通道4A/40V、5.0kVRMS隔离式栅极驱动器
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【产品】峰值输出电流1A/4A的双通道隔离栅极驱动器SLMi823x系列
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SLMI823x双通道隔离栅极驱动器
SLMi823x系列隔离栅极驱动器是一款双通道隔离式栅极驱动器，具有不同的配置选项。该系列产品包括高边/低边驱动器和双通道驱动器，峰值输出电流为1.0A或4.0A。具备可编程死区时间（DT）功能，并支持同时关闭两个输出以实现安全关断。适用于AC和BLDC电机驱动、可再生能源逆变器、工业电源等领域。
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SLMI823XC双通道4A/40V、5.0kVRMS隔离式栅极驱动器
SLMi823xC是一款隔离式双通道门驱动器，适用于高侧/低侧或双通道配置。该系列产品具有4.0A峰值源电流和7.0A峰值吸收电流的能力，支持可编程死区时间（DT）功能。其输入电压范围为3V至18V，输出电压可达40V，并具备5kVRMS隔离能力。SLMi823xC适用于各种隔离MOSFET/IGBT和SiC或GaN FET栅极驱动应用。
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可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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