【产品】采用GaN HEMT工艺制造的军工级高功率放大器，栅极长度为0.25μm
全球领先的微波元件供应商UMS推出了一款双级高功率放大器——CHA8710a99F，其工作频率介于8.5和10.5GHz之间，可以以芯片的形式提供及使用，同时亦可提供裸片，工程师可根据设计需要灵活选择。通常可提供25W的饱和输出功率和44％的功率附加效率。CHA8710a99F双级高功率放大器电路采用GaN HEMT工艺制造，栅极长度为0.25μm，采用电子束门光刻技术，具备穿过衬底的通孔和空气桥，提高了器件阈值电压的温度稳定性，适用于从军事到商业通信系统的广泛应用。
图1 CHA8710a99F系列双级高功率放大器原理图
图2 CHA8710a99F系列双级高功率放大器尺寸图（单位：μm）
CHA8710a99F系列军工级高功率放大器在Idq=0.75A时的直流偏压的典型值为25V，可保证放大器工作在线性范围。其漏极偏置电压为35V，工作温度范围在-40℃~85℃，存储温度范围在-55℃~150℃，结温为230℃，具有出色的耐高温性能和极强的环境适应能力，即使在恶劣的工作环境中也能正常工作，满足工业环境应用要求。
图3 CHA8710a99F系列双级高功率放大器推荐装配图
当Tamb=+25℃，Idq = 750mA，Vd=+25V时，CHA8710a99F系列双级高功率放大器的线性增益在脉冲模式时的典型值高达28.5dB，拥有超高线性度的优点，频率响应曲线好，具有低失真度的特性。另外，脉冲模式下的功率附加效率的典型值为44%，CW模式时为41.5%，功率损耗较低，不仅能够有效地放大输入信号，还可以提高系统效率。
CHA8710a99F系列双级高功率放大器特点：
·频率范围：8.5~10.5GHz
·高输出功率：25W
·高功率附加效率：44%
·线性增益：28.5dB
·可应用在裸片中
·芯片尺寸：5.1X4.2X0.1mm
·直流偏压：Vd=25V @ Idq=0.75A
CHA8710a99F系列双级高功率放大器应用领域：
·适用于从军事到商业通信系统的广泛应用
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Gain(dB)
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IP3(dBm)
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P-1dB OUT(dBm)
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Sat. Output Power(dBm)
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PAE(%)
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Bias(mA)
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Bias(V)
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Case
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CHA1008-99F
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低噪声放大器
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80
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105
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17
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DC
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5
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DC
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DC
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115
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2.5
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Die
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