【产品】采用GaN HEMT工艺制造的军工级高功率放大器，栅极长度为0.25μm

时间： 2018-07-19 来源：世强

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高功率放大器,双级高功率放大器,军工级高功率放大器,GaN HEMT工艺高功率放大器

全球领先的微波元件供应商UMS推出了一款双级高功率放大器——CHA8710a99F，其工作频率介于8.5和10.5GHz之间，可以以芯片的形式提供及使用，同时亦可提供裸片，工程师可根据设计需要灵活选择。通常可提供25W的饱和输出功率和44％的功率附加效率。CHA8710a99F双级高功率放大器电路采用GaN HEMT工艺制造，栅极长度为0.25μm，采用电子束门光刻技术，具备穿过衬底的通孔和空气桥，提高了器件阈值电压的温度稳定性，适用于从军事到商业通信系统的广泛应用。

图1 CHA8710a99F系列双级高功率放大器原理图

图2 CHA8710a99F系列双级高功率放大器尺寸图（单位：μm）

CHA8710a99F系列军工级高功率放大器在I_dq=0.75A时的直流偏压的典型值为25V，可保证放大器工作在线性范围。其漏极偏置电压为35V，工作温度范围在-40℃~85℃，存储温度范围在-55℃~150℃，结温为230℃，具有出色的耐高温性能和极强的环境适应能力，即使在恶劣的工作环境中也能正常工作，满足工业环境应用要求。

图3 CHA8710a99F系列双级高功率放大器推荐装配图

当T_amb=+25℃，I_dq = 750mA，V_d=+25V时，CHA8710a99F系列双级高功率放大器的线性增益在脉冲模式时的典型值高达28.5dB，拥有超高线性度的优点，频率响应曲线好，具有低失真度的特性。另外，脉冲模式下的功率附加效率的典型值为44%，CW模式时为41.5%，功率损耗较低，不仅能够有效地放大输入信号，还可以提高系统效率。

CHA8710a99F系列双级高功率放大器特点：

·频率范围：8.5~10.5GHz

·高输出功率：25W

·高功率附加效率：44%

·线性增益：28.5dB

·可应用在裸片中

·芯片尺寸：5.1X4.2X0.1mm

·直流偏压：Vd=25V @ Idq=0.75A

CHA8710a99F系列双级高功率放大器应用领域：

·适用于从军事到商业通信系统的广泛应用

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