Exploit GaAs Advantages with UMS EC2612 Small GaAs Transistor

2021-10-28 UMS
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UMS EC2612-99F is an ideal small GaAs transistor for low noise application and a switch up to very high frequencies.


The EC2612-99F is a very small high-frequency transistor exhibiting very high gain and very low noise figures from DC to millimeter-wave frequencies.

Fig.1

0.8dB Noise Figure with 12dB associated gain at 18GHz or 1.5dB Noise Figure with 9.5dB associated gain at 40GHz are typical figures of merit.


Such GaAs 0.15µm pHEMT transistor, typically biased at 2 to 3 Volts when used for very low noise amplification, may also be used as a source grounded ideal switch with extremely low parasitics and very wideband capability, the typical pinch-off voltage is -0.7Volt.


This small and compact GaAs transistor is then ideal for many mm-wave applications requiring high-performance low noise amplification and switching small signals up to very high frequencies.

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型号- EC2612,EC2612-99F,EC2612-99F/00

30 Nov 21  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

UMS TRANSISTOR选型表

UMS提供以下技术参数的TRANSISTOR选型,RF Bandwidth (GHz) min为DC,RF Bandwidth max为40GHz,Gain 为9.5dB,Noise Figure 为1.5 dB。

产品型号
品类
RF Bandwidth (GHz) min
RF Bandwidth (GHz) max
Gain (dB)
Noise Figure (dB)
Case
EC2612-99F
TRANSISTOR
DC
40
9.5
1.5
Die

选型表  -  UMS 立即选型

EC2612 RoHS兼容40GHz超低噪声功率因数电子迁移率晶体管伪晶高电子迁移率晶体管

描述- 该资料介绍了EC2612型号的40GHz超低噪声pHEMT(伪晶态高电子迁移率晶体管)器件。它基于0.15µm栅极伪晶态高电子迁移率晶体管技术,具有120µm的栅极宽度和0.15µm T形铝栅极,提供优异的低电阻和可靠性。该器件在18GHz时的最小噪声系数为0.8dB,在40GHz时的最小噪声系数为1.5dB,关联增益分别为12dB和9.5dB。

型号- EC2612,EC2612-99F/00

17-Mar-00  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

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描述- 该资料介绍了EC2612是一款基于0.15μm栅极伪高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术的40GHz超低噪声器件。它具有高增益、低噪声性能,适用于高频应用。

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2016年08月30日  - UMS  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

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产品型号
品类
RF Bandwidth (GHz)min
RF Bandwidth (GHz)max
Gain(dB)
IP3(dBm)
P-1dB OUT(dBm)
Sat. Output Power(dBm)
PAE(%)
Bias(mA)
Bias(V)
Case
CHA1008-99F
低噪声放大器
80
105
17
DC
5
DC
DC
115
2.5
Die

选型表  -  UMS 立即选型

鉴定报告UMS PCN_2023_003:Gelpak制造商搬迁(PCN_2023_003)

描述- 本报告为UMS PCN_2023_003的资格报告,主要涉及GelPak制造商的搬迁。报告概述了GelPak从美国搬迁至马来西亚的背景,包括外箱制造地点变更和Gel & Tray的生产地点变更。报告详细列出了适用的文件、资格测试结果和结论。测试结果显示,马来西亚制造地点的GelPak外箱成功通过了所有资格测试,未观察到当前和新的GelPak外箱之间存在差异。

19/02/2024  - UMS  - 产品变更通知及停产信息  - Versions 1.0 代理服务 技术支持 采购服务

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描述- UMS Foundry提供2024/2025年度的共享晶圆厂服务,支持多种射频产品开发。服务包括GaN和GaAs器件,涵盖不同频率范围。提供多个提交截止日期,支持不同工艺流程。详情请访问UMS官方网站或联系相关邮箱获取更多信息。

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