Exploit GaAs Advantages with UMS EC2612 Small GaAs Transistor

时间： 2021-10-28 来源：UMS

代理服务

技术支持

采购服务

UMS EC2612-99F is an ideal small GaAs transistor for low noise application and a switch up to very high frequencies.

The EC2612-99F is a very small high-frequency transistor exhibiting very high gain and very low noise figures from DC to millimeter-wave frequencies.

Fig.1

0.8dB Noise Figure with 12dB associated gain at 18GHz or 1.5dB Noise Figure with 9.5dB associated gain at 40GHz are typical figures of merit.

Such GaAs 0.15µm pHEMT transistor, typically biased at 2 to 3 Volts when used for very low noise amplification, may also be used as a source grounded ideal switch with extremely low parasitics and very wideband capability, the typical pinch-off voltage is -0.7Volt.

This small and compact GaAs transistor is then ideal for many mm-wave applications requiring high-performance low noise amplification and switching small signals up to very high frequencies.

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由三年不鸣转载自UMS，原文标题为:Exploit GaAs advantages with UMS EC2612 transistor，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】关断电压为-0.7伏的GaAs晶体管EC2612-99F，适用于低噪声应用和极高频率的开关

UMS的EC2612-99F是一种理想的小晶体管，从直流到毫米波频率都具有非常高的增益和非常低的噪声系数，适用于低噪声应用和极高频率的开关。

2021-11-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】赝配高电子迁移率晶体管，噪声系数低至1.5dB

EC2612-99F采用0.15μm PHEMT技术，增益9.5dB，可在+175℃环境下连续工作。

2017-06-03 - 新产品代理服务技术支持采购服务

UMS Newly Launched CHA7062-QCB High Power Amplifier with A Large Band 13-20GHz Which is Designed for Point to Point and VSAT Applications

UMS‘ CHA7062-QCB is a large band 13-20GHz High Power Amplifier designed for your Point to Point and VSAT applications. Its consumption is low with 20V @ 216mA.

2022-09-14 - 新产品代理服务技术支持采购服务

UMS 射频MMIC芯片选型指南

UMS has a comprehensive offer based on the supply of either ASIC or catalogue products, in the main based on the Company’s internal III-V technologies and through the provision of a comprehensive foundry service, allowing customers to directly create their own product solutions.

UMS - 混频器,6-18GHZ CHIPSET,S波段芯片组,ANALOG ATTENUATOR,MULTIPLIER,检波器,振荡器,核心芯片,射频前端,砷化镓晶体管,中功率放大器,GAN HEMT TRANSISTOR DIE,OSCILLATOR – VCO,TELECOMS,数码,DIGITAL VGA,RECEIVER,数字VGA,BUFFER,下变频器,INTERNALLY MATCHED GAN POWER TRANSISTOR,ANALOG,振荡器–VCO,GAAS TRANSISTOR,接收机,缓冲器,低噪音放大器,AMPLIFIER,GAN高电子迁移率晶体管裸片,GAN TRANSISTORS,MIXER,HPA,SWITCH,氮化镓晶体管,DIGITAL,IQ DOWN CONVERTER,IQ下变频器,电信,PHASE SHIFTER,模拟衰减器,GAN HEMT PACKAGED TRANSISTOR,射频数字衰减器,内匹配氮化镓功率晶体管,氮化镓高电子迁移率晶体管封装晶体管,ANALOG VGA,OSCILLATOR,KU-BAND CHIPSET,KA-BAND CHIPSET,GAN POWER TRANSISTOR,GAAS TRANSISTORS,模拟,INTERNALLY MATCHED GAN POWER TRANSISTORS,放大器,DOWN - CONVERTER,X-BAND CHIPSET,RF FRONT-END,6-18GHZ芯片组,C-BAND CHIPSET,IQ UP CONVERTER,倍增器,KA波段芯片组,氮化镓功率晶体管,S-BAND CHIPSET,衰减器,IQ上变频器,DETECTOR,CORE CHIP,DIGITAL ATTENUATOR,C波段芯片组,WILKINSON POWER DIVIDER,KU波段芯片组,内部匹配的氮化镓功率晶体管,模拟VGA,ATTENUATOR,移相器,X波段芯片组,威尔金森功率分配器,L波段芯片组,开关,L-BAND CHIPSET,LNA,MPA,CHA7618-99F,CHA2441-QAG,CHV2421-QDG,CHT4016-99F,CHA5618-99F,CHK9013-99F,PPH25,CHA6105-99F,CHA4105-99F,CHR3693-QDG,CHA4314-98F,CHX2095A99F,CHP3015-QDG,CHC2444-QBB,PH25,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHA3664-QAG,CHA7115-99F,CHA3514-99F,CHC6094-QKB,CHV3241-QDG,CHR2411-QDG,CHA5115-99F,CHS5104-QAG,CHA6652-98F,CHA8012-99F,CHA8362-99F,PH10,CHA6551-99F,CHA6652-QXG,CHA5005-QDG,CHP4014-98F,PH15,CHA4253AQQG,CHW4313-QAG,CHA3398-98F,CHA6095-QKB,CHA2494-98F,CHT3029-99F,CHT3091A99F,CHR3762-QDG,CHA7453-99F,CHP4014-QEG,CHT4690-QAG,CHR3364-QEG,CHA3395-98F,CHA2293-99F,CHX1191-QDG,CHV1203-FAB,CHP4010-99F,CHX2089-99F,CHA5266-99F,CHA4253-FAB,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHE1260-QAG,PPH15X,CHA6005-99F,CHA3656-QAG,CHR3662-QDG,CHW4213-QAG,CHU3377-98F,CHR3693-FAB,CHA5014-99F,CHKA012A99F,CHZ180A-SEB,CHT4694-QAG,CHX2092A99F,BES,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHX2193-FAB,CHA2394-99F,CHT4690-FAB,HB20M,CHM2179B98F,CHA3092-99F,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA8252-99F,CHZ180AASEB,CHK015AAQIA,CHP3010A98F,CHA3511-99F,CHA2595-98F,CHX1162-QDG,CHR1080A99F,CHT4016-QEG,CHP1102-QGG,CHA4105-QDG,CHR3693-99F,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6682-98F,CHP1102-98F,CHA2090-99F,CHA1010-99F,CHU2277-99F,CHR3394-QEG,CHA4350-QDG,CHA3801-99F,CHR3663-QEG,CHX2193-99F,CHC1443-QRA,CHX1191-98F,CHA3666-99F,CHM1080-98F,CHR3763-QDG,CHS8618-99F,CHA7452-99F,CHA3409-98F,CHA2362-98F,GH25,CHA5266-QDG,CHR3764-QEG,CHT3029-QEG,CHA3024-QGG,CHA2098B99F,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHR2294-99F,CHA3063-99F,CHA3395-QDG,CHK8015-99F,GH15,CHA6550-98F,CHA2494-QEG,CHA8611-99F,CHR2270-QRG,CHA8710-QDB,CHA2066-99F,CHM1291-99F,CHA3801-FAB,CHP4511-99F,CHA8710A99F,CHS5104-FAB,CHK5010-99F,CHP4012A98F,CHA3080-98F,CHA6550-QXG,CHA5659-98F,CHM1294-99F,CHK8101-SYC,CHX2090-QDG,CHA3512-99F,CHK8013-99F,CHA1008-99F,CHA8618-99F,CHA2190-99F,CHA5350-99F,CHS5100-99F,CHA3565-QAG,CHA6682-QKB,CHV1203A98F,CHA5659-QXG,CHP3010-QFG,CHT4660-QAG,CHA3688AQDG,CHA3024-99F,CHA4253A98F,CHA7062-QCB,CHA3801-QDG,CHR3664-QEG,CHA2110-QDG,CHX2192-99F,CHR3362-QEG,CHA2595-QDG,HP07,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA2069-99F,CHR2421-QEG,CHT4699-QDG,CHZ015AAQEG,CHS5104-99F,CHP1102-QDG,CHT4690-99F,CHR3861-QEG,CHP4012-QEG,CHA8100-99F,CHT3091AQAG,CHX3068-QDG,CHR3894-98F,CHZ8012-QJA,CHA2266-99F,CHS2411-QDG,CHV1206A98F,CHA8352-99F,CHA3218-99F,CHR2295-99F,CHA7455-99F,CHA2069-FAB,CHP6013-SRF,CHA1077A98F,CHX2091-99F,CHA2193-99F,CHA3666-FAB,CHA3024-FDB,CHM1290-99F,CHA8610-99F,CHT4694-99F,CHM2378A99F,CHA6710-FAB,CHA2157-99F,CHU2277A98F,CHS7012-99F,CHA8254-99F,CHA2110-98F,CHA3023-99F,CHKA011ASXA,CHA3656-FAB,CHC3014-99F,CHA6262-99F,CHA8262-99F,CHKA012BSYA,CHM1270A98F,CHT4012-QDG,CHA2411-QDG,CHA6094-QKB,CHP3015-99F,CHE1260-98F,CHA4107-QDG,CHA3513-99F,CHA5115-QDG,CHA2063A99F,CHK9014-99F,CHA7114-99F,CHK8201-SYA,CHA3397-QDG,CHA2080-98F,CHV2411AQDG,CHA3665-QAG,CHE1270-QAG,CHA2292-99F,CHT4660-FAB,CHV2240-99F,CHA8312-99F,CHA6710-99F,CHC2442-QPG,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7215-99F,CHA6354-QQA,CHK8101A99F,CHA4102-QEG,CHA4220-98F,CHC6054-QQA,CHR2291-99F,CHS5105-QAG,CHA6653-98F,CHA6362-QXG,CHA6005-QEG,CHA2066-QAG,CHT4012A98F,CHV2243A99F,CHA8054-99F,CHZ9012-QFA,CHA6282-QCB,CHX2090-99F,CHA3689-99F,CHE1270A99F,CHR3894-QEG,CHA6194-QXG,EC2612-99F,CHR2296-99F,CHE1270A98F,CHA6356-QXG,CHA8612-QDB,CHM1298-99F,CHA6357-QKB,CHA8212-99F,CHA4220-QGG,电信,汽车,仪表,AEROSPACE,航空航天,INSTRUMENTATION,TELECOMS,DEFENSE,AUTOMOTIVE,国防

2024/5/21 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

UMS TRANSISTOR选型表

UMS提供以下技术参数的TRANSISTOR选型，RF Bandwidth (GHz) min为DC，RF Bandwidth max为40GHz，Gain 为9.5dB，Noise Figure 为1.5 dB。

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz) min	RF Bandwidth (GHz) max	Gain (dB)	Noise Figure (dB)	Case
EC2612-99F	TRANSISTOR	DC	40	9.5	1.5	Die

选型表 - UMS 立即选型

EC2612-99F 40GHz超低噪声高电子迁移率晶体管假晶高电子迁移率晶体管数据表

该资料介绍了EC2612-99F型40GHz超低噪声pHEMT（伪晶态高电子迁移率晶体管）的特性。它基于0.15μm栅极伪晶态高电子迁移率晶体管技术，具有120μm的栅宽和0.15μm T形铝栅，提供优异的低电阻和高可靠性。该器件在18GHz时的最小噪声系数为0.8dB，在40GHz时的最小噪声系数为1.5dB，并具备12dB的关联增益。

UMS - 赝晶高电子迁移率晶体管,PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR,超低噪声高电子迁移率晶体管,SUPERLOW NOISE PHEMT,EC2612,EC2612-99F,EC2612-99F/00

30 Nov 21 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

EC2612 RoHS兼容40GHz超低噪声功率因数电子迁移率晶体管伪晶高电子迁移率晶体管

该资料介绍了EC2612型号的40GHz超低噪声pHEMT（伪晶态高电子迁移率晶体管）器件。它基于0.15µm栅极伪晶态高电子迁移率晶体管技术，具有120µm的栅极宽度和0.15µm T形铝栅极，提供优异的低电阻和可靠性。该器件在18GHz时的最小噪声系数为0.8dB，在40GHz时的最小噪声系数为1.5dB，关联增益分别为12dB和9.5dB。

UMS - 40GHZ超低噪声PHIGH电子迁移率晶体管,40GHZ SUPER LOW NOISE PHEMT（PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR ）,EC2612,EC2612-99F/00

17-Mar-00 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

UMS EC2612 数据手册

该资料介绍了EC2612是一款基于0.15μm栅极伪高电子迁移率晶体管（PHEMT）技术的40GHz超低噪声器件。它具有高增益、低噪声性能，适用于高频应用。

UMS - 射频二极管,40GHZ超低噪声PHIGH电子迁移率晶体管,射频三极管,40GHZ SUPER LOW NOISE PHEMT（PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR）,EC2612,EC2612-99F/00,微波通信,办公自动化,光纤传输,广播电视设备系统,光纤接入设备,专网通信设备,国防工业设备,广播电视设备,商业,金融,安全系统,大型游戏设备

2016年08月30日 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

UMS功率放大器（PA）选型表

UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品，频率最高可达105GHz，带宽超过20GHz，Gain(dB)：10-38.5，Bias(mA)：30-2300，Bias(V）：2.5-30.

产品型号	品类	RF Bandwidth (GHz)min	RF Bandwidth (GHz)max	Gain(dB)	IP3(dBm)	P-1dB OUT(dBm)	Sat. Output Power(dBm)	PAE(%)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHA1008-99F	低噪声放大器	80	105	17	DC	5	DC	DC	115	2.5	Die

选型表 - UMS 立即选型

UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表

UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.

产品型号	品类	Glin(dB) @ Freq(GHz)	Operating Frequency(GHz)	Saturated Power(W)	PAE(%) @ Freq(GHz)	Bias(mA)	Bias(V)	Case
CHKA011aSXA	氮化镓功率晶体管	23.5 @ 0.44	Up to 1.5	130	75 @ 0.44	640	50	Ceramic Metal Flange

选型表 - UMS 立即选型

通过UMS展现您的才华，通过UMS Foundry服务打造您成功的射频产品

UMS Foundry提供2024/2025年度的共享晶圆厂服务，支持多种射频产品开发。服务包括GaN和GaAs器件，涵盖不同频率范围。提供多个提交截止日期，支持不同工艺流程。详情请访问UMS官方网站或联系相关邮箱获取更多信息。

UMS

2023/12/6 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

【经验】UMS QFN模压塑料封装GaAs微波芯片的设计注意事项

在QFN封装上，UMS基于CHA3666-QAG器件，详细描述了芯片的引脚分布、通孔分布以及几何尺寸、焊料掩膜技术、模板焊盘尺寸设计原则，以及封装在PCB板上时遵循的SMT流程，能够有效帮助应用设计工程师在使用QFN模压塑料封装上的便利性。

2019-10-17 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

UMS混频器/降频器选型表

UMS混频器/降频器选型：RF Bandwidth (GHz)min：5.5-76，RF Bandwidth (GHz)max：9-86，LO Bandwidth (GHz)-min：3-76，LO Bandwidth (GHz)-max：7.75-77，LO Input Power(dBm)：-4~15，Bias(mA)：1-380.

产品型号

品类

RF Bandwidth (GHz)min

RF Bandwidth (GHz)max

LO Bandwidth (GHz)min

LO Bandwidth (GHz)max

IF Bandwidth (GHz)min

IF Bandwidth (GHz)max