【应用】耗尽型MOSFET DMZ0615E用于Type-C PD充电器，减少PCB占用空间和面积
随着5G通信、云计算、人工智能等应用的逐渐普及，智能手机的功能变得日益强大。强大的计算力和持久的续航能力，使得手机需要配备大容量电池。采用QC和Type-C PD充电协议的快速充电器具有宽电压、大电流输出，可以实现手机电池的快速充电。Type-C PD快速充电器可提供3.3V~20V的充电电压以及最高5A的充电电流，输出功率可达100W。
传统的PWM主控芯片供电电路
图1显示了一个典型的Type-C PD充电器原理，电路中采用了附加绕组为PWM主控芯片供电。由于充电器的输出电压可能在3.3V~20V之间的范围变化，那么三极管Q的输入电压也可能会有超过6倍的变化，其值可高达40、50V或更高，对于许多PWM IC，其工作电压一般就是十几伏，因此要用齐纳二极管Z进行钳位保护。此方案采用较多的元件，占用宝贵的PCB空间和面积，同时也增加了BOM成本。
采用DMZ0615E的PWM主控芯片供电电路
如图2所示，采用超高阈值电压耗尽型MOSFET DMZ0615E，替代上述方案的多个元件，不仅简化了方案，减少PCB占用空间和面积，也节约了BOM成本。
DMZ0615E工作原理
DMZ0615E是方舟微利用其专有技术开发的具有超高阈值电压（超高关断电压）的耗尽型 MOSFET。其工作原理如下：
由于在零栅偏时，器件处于导通状态，因此耗尽型器件又称为“常开”（Normally On）器件。利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，可以很方便的建立一个电压源或电流源。
DMZ0615E的漏源耐压BVDSX高达70V，关断电压VGS(OFF)的典型值约为-16V，当∣VGS(OFF)∣＜VSG时， DMZ0615E关断。当附加绕组提供的输入电压VD＜∣VGS(OFF)∣时，则DMZ0615E的输出电压VS，也就是提供给负载RL的电压会跟随VD变化，即VRL=VS≈VD。
负载RL两端的电压为VRL=IDS×RL，当附加绕组提供的输入电压VD增加时，流过电路的电流IDS增加，因此DMZ0615E源极电位VS相应升高，即VSG增加，并引起DMZ0615E导电沟道变窄，电流增加减缓。在此过程中负载RL两端的电压VS无限接近器件的关断电压∣VGS(OFF)∣，VS≈∣VGS(OFF)∣，此时提供给负载RL的电压VRL被钳位在∣VGS(OFF)∣=16V处（以DMZ0615E关断电压VGS(OFF)的典型值为-16V计），不再随输入电压VD的增加而增加。负载RL流过的电流IRL（IRL=VS/RL）也不随输入电压VD的增加而变化。因此不需要齐纳二极管进行电压钳位。
DMZ0615E漏极电压最大值：
由此可以看出利用DMZ0615E耗尽型MOSFET可以组成一个简单稳定的宽电压输入的电压调节器或电流源，特别适合QC或Type-C PD的变电压输出的快速充电器应用。
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|
产品型号
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品类
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ID (A)
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RDSON(Ω) Typ.
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Package
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VGS (V)
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BVDSS (V)
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|
DMZ1511NE
|
耗尽型MOSFET
|
0.1
|
10~25
|
SOT-23
|
-3.3~-1.5
|
150
|
选型表 - 方舟微 立即选型
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型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E
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产品型号
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品类
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阈值电压(V)
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击穿电压(V)
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导通电阻(Ohm)最大值
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额定电流(A)
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导通电阻(Ohm)典型值
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备注
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封装形式
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FTX30P35G
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增强型MOSFET
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-1～-3
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-350
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30
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-0.2
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18
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P Channel MOS
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SOT-89
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选型表 - 方舟微 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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