【产品】蓝箭电子推出的N沟道650V超结工艺功率场效应管BRD65R1K0C，采用TO-252塑封封装
蓝箭电子推出的N沟道650V超结工艺功率场效应管BRD65R1K0C，采用TO-252塑封封装。具有RDS(on)小，门电荷低，Crss小，开关速度快的特征。该产品可用于低压电路如：汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换，其VDSS值650V，ID(Tc=25℃)值为5A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃，为无卤产品。
特征：
RDS(on)小，门电荷低，Crss小，开关速度快，无卤产品。
用途：
用于低压电路如：汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换。
极限参数（Ta=25℃）
电性能参数（Ta=25℃）
外形尺寸图：
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BRFL65R600C数据表
描述- 本资料详细介绍了BRFL65R600C型号的N沟道650V超结工艺功率场效应管。该器件具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试、符合ROHS标准等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因素校正等领域。
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BRFL65R190C数据表
描述- 本资料介绍了BRFL65R190C这款N沟道650V超结工艺功率场效应管的数据手册。该器件采用TO-220FL塑料封装，具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试、符合ROHS标准等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因素校正等领域。
型号- BRFL65R190C
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描述- 本资料介绍了BRD65R380C型号的650V超结工艺功率场效应管（MOSFET），该器件采用TO-252塑料封装。它具有低导通电阻、快速开关速度和无卤素等特点，适用于汽车电路、DC/DC转换器和便携式产品的电源管理。
型号- BRD65R380C
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型号- BRD65R800C
BRFL65R380C数据表
描述- 本资料介绍了BRFL65R380C这款N沟道650V超结工艺功率场效应管的数据手册。该器件采用TO-220FL塑料封装，具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试和RoHS标准认证等特点。适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等领域。
型号- BRFL65R380C
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描述- 本资料介绍了BRI65R380C这款N沟道650V超结工艺功率场效应管的数据手册。该器件采用TO-251塑料封装，具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试和RoHS标准认证等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因素校正等领域。
型号- BRI65R380C
采用TO-252塑料封装的BRD65R380C N沟道650V超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了BRD65R380C这款N沟道650V超结工艺功率场效应管的数据手册。该器件采用TO-252塑料封装，具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试和RoHS标准认证等特点。适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等领域。
型号- BRD65R380C
BRD65R600C数据表
描述- 本资料为BRD65R600C数据手册，介绍了该型号N沟道650V超结工艺功率场效应管的特性、参数和应用。内容包括极限参数、电性能参数、封装尺寸、标记说明、焊接温度曲线等。
型号- BRD65R600C
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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