【产品】蓝箭电子推出的N沟道650V超结工艺功率场效应管BRD65R1K0C，采用TO-252塑封封装
蓝箭电子推出的N沟道650V超结工艺功率场效应管BRD65R1K0C，采用TO-252塑封封装。具有RDS(on)小，门电荷低，Crss小，开关速度快的特征。该产品可用于低压电路如：汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换，其VDSS值650V，ID(Tc=25℃)值为5A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃，为无卤产品。
特征：
RDS(on)小，门电荷低，Crss小，开关速度快，无卤产品。
用途：
用于低压电路如：汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换。
极限参数（Ta=25℃）
电性能参数（Ta=25℃）
外形尺寸图：
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BRFL65R600C数据表
描述- 本资料详细介绍了BRFL65R600C型号的N沟道650V超结工艺功率场效应管。该器件具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试、符合ROHS标准等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因素校正等领域。
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BRFL65R190C数据表
描述- 本资料介绍了BRFL65R190C这款N沟道650V超结工艺功率场效应管的数据手册。该器件采用TO-220FL塑料封装，具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试、符合ROHS标准等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因素校正等领域。
型号- BRFL65R190C
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描述- 本资料介绍了BRD65R380C型号的650V超结工艺功率场效应管（MOSFET），该器件采用TO-252塑料封装。它具有低导通电阻、快速开关速度和无卤素等特点，适用于汽车电路、DC/DC转换器和便携式产品的电源管理。
型号- BRD65R380C
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型号- BRD65R800C
BRFL65R380C数据表
描述- 本资料介绍了BRFL65R380C这款N沟道650V超结工艺功率场效应管的数据手册。该器件采用TO-220FL塑料封装，具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试和RoHS标准认证等特点。适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等领域。
型号- BRFL65R380C
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描述- 本资料介绍了BRI65R380C这款N沟道650V超结工艺功率场效应管的数据手册。该器件采用TO-251塑料封装，具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试和RoHS标准认证等特点，适用于开关电源、不间断电源和功率因素校正等领域。
型号- BRI65R380C
采用TO-252塑料封装的BRD65R380C N沟道650V超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了BRD65R380C这款N沟道650V超结工艺功率场效应管的数据手册。该器件采用TO-252塑料封装，具有低RDS(on)×Qg、100%雪崩测试和RoHS标准认证等特点。适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正等领域。
型号- BRD65R380C
BRD65R600C数据表
描述- 本资料为BRD65R600C数据手册，介绍了该型号N沟道650V超结工艺功率场效应管的特性、参数和应用。内容包括极限参数、电性能参数、封装尺寸、标记说明、焊接温度曲线等。
型号- BRD65R600C
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可定制VC厚度最薄0.25±0.03mm，Qmax 650W，0.4mmVC可设计最大散热面积6000 mm2，铜VC可采用复合毛细结构：蚀刻+铜粉烧结。
最小起订量： 10000 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
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