【产品】最大漏源电压为-20V的P沟道功率MOSFET AP2333，适用于负载开关及PWM应用
铨力半导体推出的型号为AP2333的P沟道功率MOSFET，通过了无铅认证，采用了先进沟槽技术，采用表面贴装的SOT-23封装方式，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于30mΩ（VGS=-4.5V，ID=-6A时），低至2.5V的栅极电压就能运行，是负载开关或PWM应用的理想选择。
AP2333在25℃下的测试条件下的最大漏源电压VDS为-20V，最大栅源电压VGS为±12V，最大漏极电流ID为-6A，最大脉冲漏源电流IDM为-20A，最小漏源击穿电压BVDSS为-20V（VGS=0V，ID=250μA），最大总功耗PD仅为1.8W，总功耗低，结到环境的热阻RθJA最大为69℃/W，散热性能好，存储温度范围和工作结温范围都在-55℃~+150℃之间，能够适应较为恶劣的工业环境。
产品封装图：
产品特点：
VDS=-20V， ID=-6A
RDS(ON) <45mΩ@VGS=-2.5V
RDS(ON) <30mΩ@VGS=-4.5V
高功率与电流处理能力
通过无铅认证的产品
表面贴装封装
典型应用：
PWM应用
负载开关
电源管理
无卤素应用
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