【产品】最大漏源电压为-20V的P沟道功率MOSFET AP2333，适用于负载开关及PWM应用

2021-12-22 铨力半导体
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铨力半导体推出的型号为AP2333的P沟道功率MOSFET，通过了无铅认证，采用了先进沟槽技术，采用表面贴装的SOT-23封装方式，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于30mΩ（VGS=-4.5V，ID=-6A时），低至2.5V的栅极电压就能运行，是负载开关或PWM应用的理想选择。


AP2333在25℃下的测试条件下的最大漏源电压VDS为-20V，最大栅源电压VGS为±12V，最大漏极电流ID为-6A，最大脉冲漏源电流IDM为-20A，最小漏源击穿电压BVDSS为-20V（VGS=0V，ID=250μA），最大总功耗PD仅为1.8W，总功耗低，结到环境的热阻RθJA最大为69℃/W，散热性能好，存储温度范围和工作结温范围都在-55℃~+150℃之间，能够适应较为恶劣的工业环境。


产品封装图：

 


产品特点：

VDS=-20V， ID=-6A

RDS(ON) <45mΩ@VGS=-2.5V

RDS(ON) <30mΩ@VGS=-4.5V

高功率与电流处理能力

通过无铅认证的产品

表面贴装封装

 

典型应用：

PWM应用

负载开关

电源管理

无卤素应用


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产品型号
品类
Package Type
Configuration
MOSFET Type
VDS (V)
VGS (V)
Vth (V)
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
ID(A) Tc=25℃
ID(A) Tc=100℃
AP2302B
Trench Mos
SOT23
Single
N
20
±8
0.5-1.2
-
45/52
52/67
-
2
-

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