【产品】专为开关负载应用设计的P沟道增强型MOSFET PJA3449-AU，漏-源电压最大额定值为-40V
PANJIT（强茂）推出的PJA3449-AU 为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-2.2A。
图1 PJA3449-AU P沟道增强型MOSFET的封装图
PJA3449-AU P沟道增强型MOSFET的产品特性：
RDS(ON), VGS@-10V, ID@-2.2A<160mΩ
RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-1.5A<230mΩ
先进的沟槽技术
专为开关负载，PWM应用等设计
符合AEC-Q101标准
符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJA3449-AU P沟道增强型MOSFET的最大额定值特性：
PJA3449-AU P沟道增强型MOSFET的电气特性：
PJA3449-AU P沟道增强型MOSFET的机械参数：
外壳：SOT-23封装
端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0003盎司，0.0084克
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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