【产品】漏源电压高达650V的N沟道MOSFET SLP8N65C/SLF8N65C，栅极电荷典型值低至29nC
美浦森推出的SLP8N65C/SLF8N65C是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森（Maple semi）先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。器件非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。产品绝对最大额定参数（TC=25°C除非另有说明）方面，器件漏源电压高达650V；持续漏极电流高达7.5A@TC=25℃；脉冲漏极电流高达30A（脉宽受限于最大结温）；栅源电压为±30V；工作结温与存储温度范围宽至-55℃~+150℃，最高焊接温度支持300℃（距离外壳1/8"，持续5s）。对于SLP8N65C/SLF8N65C两款器件，结至外壳热阻值分别为0.6℃/W和3.1℃/W，结至环境热阻值均为62.5℃/W。器件封装和电路图如下所示：
产品特性：
TC=25℃时，漏源电压650V，持续漏极电流7.5A
典型值RDS(on)=1.2Ω@VGS=10V
低栅极电荷（典型值29nC）
高鲁棒性
快速开关特性
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
Notes：
1.重复额定值：脉宽受限于最大结温
2.L=8mH，IAS=7.5A，VDD=50V，RG=25Ω，Starting TJ=25℃
3.ISD≤7A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，Starting TJ=25℃
热阻特性
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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