【应用】5KVrms隔离栅极驱动器Si8285、Si8286,助力IGBT电路设计
Si8285/Si8286 ISOdriver隔离栅极驱动器为宽体SO-16封装,采用SILICON LABS备受肯定的CMOS隔离技术,能够在整个工业温度范围内工作,支持长达100年的产品使用寿命,满足严格的UL、VDE、CQC和CSA标准。其输出驱动电流为4A,工业级的安全隔离电压高达5kVrms,通过AEC-Q100汽车级认证。主要特性集成包括:分离输出、软关断、米勒钳位(Miller clamp)防止寄生性栅极导通、故障反馈、可选的DC-DC转换器、业内最快的去饱和检测、良好的定时特性以及卓越的噪声和瞬变抑制能力。
Si8285/Si8286隔离栅极驱动器产品特性
• 工业级隔离等级:高瞬变抑制能力、高可靠性、5kVrms
• 隔离型栅极驱动器市场中最齐全的特性集成度
• 可选的集成DC-DC转换器简化电路板布局布线和驱动器电源设计
• 业内最快的去饱和检测:可比竞争对手产品快达10倍
• 最快、最精确的定时特性,低传输延迟(<55ns):优于光耦解决方案达10倍,并且比竞争对手的CMOS解决方案好2倍
• 高压条件下保持长使用寿命(1000V条件下100年)
Si8285/Si8286隔离栅极驱动器pin脚分布及pin脚定义如下图一所示。
图1:Si8285/Si8286 隔离栅极驱动器pin脚分布及pin脚定义
Si8285/Si8286隔离栅极驱动器建议应用电路如下图二所示。
图2:Si8285/Si8286隔离栅极驱动器建议应用电路
通过Si8285/Si8286隔离栅极驱动器的应用电路,不难看出两者驱动IGBT的方式几乎是一样的,所不同的是副边输出,SI8285有两个输出端VH(pin13)、VL(pin12)通过限流电阻接IGBT栅极,而SI8286只有一个输出端Vo(pin11)。那么SI8285/SI8286驱动IGBT的方式有何特点呢?请看如下说明。
IGBT驱动
IGBT的热耗高一直是困扰工程师的重要难题,一般只选择对IGBT涂导热硅脂加强散热功能。本文现介绍的Si8285/Si8286栅极驱动容耦通过卓越的产品特性,也可以降低IGBT的热耗。
Si8285/Si8286栅极驱动容耦能够提供4A输出电流峰值电流,不用搭配分立的NPN/PNP双极性缓冲器做电流放大,即可直接驱动大电流的IGBT,可实现对IGBT的门极进行快速充电或者放电,达到减小IGBT的开关损耗,进而降低IGBT发热损耗,提升产品整体性能。当然,如果想驱动小电流IGBT,可调整Si8285/Si8286副边驱动端输出(VH/VL、Vo)接限流电阻Rg值得大小来实现。
IGBT保护
DESAT去饱和检测:当Si8285/Si8286副边驱动输出(VH、Vo)高电平时,内部电流源(ICHG)开始工作,这个内部电流源通过DSAT pin向外部C_BL电容器充电。而DSAT pin电压通过一个内部迟滞比较器被监控,同时DSAT pin通过外部二极管D_DSAT和小电阻R_DSAT连接到IGBT的集电极上,DSAT pin上的电压几乎等同于IGBT集电极上的电压。当外部短路发生大电流流过IGBT时,IGBT由饱和导通进入到DESAT工作模式。这样IGBT的VCE电压很快从2V上升很高。一旦超出Si8285/Si8286的内部阈值电压7V,短路故障信号(Fault Signal)输出,同时触发软关断功能。
Miller Clamp:假如IGBT下桥臂关闭,上桥臂打开时(反之一样),在IGBT下桥臂关断瞬间会产生的瞬态高DV/DT尖峰脉冲,出现上下桥臂全部导通,产生的瞬时过电流会造成上下桥臂的IGBT炸管或烧毁,为避免此问题出现,Si8285/Si8286设计有源米勒钳位功能,通过IGBT栅极和集电极间寄生电容C_CG及Si8285/Si8286副边VH pin、外部RH及内部PMOS源极电阻RSS、内部NMOS(可参考图四Miller钳位保护电路)对IGBT门极电荷进行放电来达到软关断效果。直至最后退饱和工作完成,故障通过FLT pin隔离输出,反馈给MCU。其中DESAT检测电路和Miller钳位保护电路请参考如下图三和图四。
图3:DESAT检测电路(即去饱和检测电路)
图4:Miller钳位保护电路
总结
当您还在为高成本的光耦而烦恼时,Si8285/Si8286 ISOdriver隔离栅极驱动器是一个非常好的选择,其更是使门极驱动设计多了一个选择。不但有助于减少设计周期时间,由于其集成短路保护和反馈电路,门极驱动设计也得到简化,同时节省PCB空间和成本。
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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