【产品】30V/120A N沟道功率MOSFET RU30120R，采用TO220封装，可用于DC-DC转换器
锐骏半导体的N沟道功率MOSFET-RU30120R，漏源电压30V，持续漏极电流为120A（Tc=25℃，VGS=10V），最大耗散功率为150W（Tc=25℃）/75W（Tc=100℃）。采用TO220封装形式，可应用于DC-DC转换器中。
RU30120R的特性：
30V/120A
RDS（ON）=2.5mΩ（典型值）@VGS=10V
RDS（ON）=3.3mΩ（典型值）@VGS=4.5V
超高密度单元设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
提供无铅绿色器件（符合RoHS标准）
RU30120R的应用：
DC-DC转换器
RU30120R的最大额定值参数（Tc=25℃）：
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