【产品】30V/120A N沟道功率MOSFET RU30120R，采用TO220封装，可用于DC-DC转换器
锐骏半导体的N沟道功率MOSFET-RU30120R，漏源电压30V，持续漏极电流为120A（Tc=25℃，VGS=10V），最大耗散功率为150W（Tc=25℃）/75W（Tc=100℃）。采用TO220封装形式，可应用于DC-DC转换器中。
RU30120R的特性：
30V/120A
RDS（ON）=2.5mΩ（典型值）@VGS=10V
RDS（ON）=3.3mΩ（典型值）@VGS=4.5V
超高密度单元设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
提供无铅绿色器件（符合RoHS标准）
RU30120R的应用：
DC-DC转换器
RU30120R的最大额定值参数（Tc=25℃）：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由西瓜头头大翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】微源半导体升压DC-DC转换器LP6255，支持大功率输出，具有外部N沟道MOSFET
微源半导体推出的LP6255是一款同步电流模式的升压DC-DC转换器，其具有外部N沟道MOSFET，可支持大功率输出。可编程的高开关频率可通过几个电容器或电阻器进行轻松设置，可以用于广泛的应用。
【产品】漏源电压为30V的N沟道功率MOSFET器件RU3040M3，存储温度-55℃~+150℃
深圳锐骏半导体股份有限公司（Ruichips）是一家专注从事功率半导体研发、生产、销售的国家高新技术企业。其推出的N沟道功率MOSFET——RU3040M3，采用DFN3333封装，其漏源电压VDSS为30V，栅源电压VGSS为±20V。
【产品】40V/40A双N沟道功率MOSFET RUH40D40M，可用于DC-DC转换器和锂电池保护等应用
锐骏半导体推出的双N沟道功率MOSFET RUH40D40M，漏源电压40V，持续漏极电流为40A，具有超低导通电阻和开关速度快等特性，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）@VGS=10V，RDS（ON）=8mΩ（典型值）@VGS=4.5V。
RU6188S N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RU6188S型N通道增强型功率MOSFET的特性。该器件具有高密度细胞设计、超低导通电阻，适用于直流转换器和离线UPS等开关应用。
型号- RU6188S-R,RU6188S
ZM098N06M 60V N沟道功率MOSFET
描述- ZMJ半导体公司推出的ZM098N06M是一款60V N-Channel Power MOSFET，采用沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。该产品具有低导通电阻、低栅极电荷和低热阻等特点，适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用。
型号- ZM098N06M
RU8049R N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RU8049R型N通道增强型功率MOSFET的特性。该器件具有高耐压（80V）、低导通电阻（12mΩ Typ. @10V），适用于直流转换器和离线UPS等应用。
型号- RU8049R
ZMA430N06M 60V N沟道功率MOSFET
描述- ZMJ半导体公司推出的ZMA430N06M是一款60V N-Channel功率MOSFET，采用沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。该产品具有低导通电阻、低栅极电荷、低热阻等特点，适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和电池保护等应用。
型号- ZMA430N06M
SFX3N80 3A，800V N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了SFX3N80型N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用Hi-semic公司专有的F-CellTM结构VDMOS技术制造。该晶体管具有800V的漏源电压和3.0A的漏源电流，适用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H-bridge PWM电机驱动器。
型号- SFX3N80,SFP3N80,SFD3N80,SFU3N80,SFF3N80
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
|
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术
锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。
ZMDA68801N 80V N沟道功率MOSFET
描述- ZMJ半导体公司推出的ZMDA68801N是一款80V N-Channel Power MOSFET，采用沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。该产品适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用。
型号- ZMDA68801N
ZMDA68401N 40V N沟道功率MOSFET
描述- ZMJ半导体公司推出的ZMDA68401N是一款40V N-Channel Power MOSFET，采用沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。该产品符合AEC-Q101标准，具有低导通电阻、低栅极电荷、低热阻等特点，适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用。
型号- ZMDA68401N
ZMDA68602S 60V N沟道功率MOSFET
描述- ZMJ半导体公司推出的ZMDA68602S是一款60V N-Channel Power MOSFET，采用沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。产品特点包括低导通电阻、低栅极电荷、低热阻，适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和电池保护等应用。
型号- ZMDA68602S
ZMA280N06D 60V N沟道功率MOSFET
描述- ZMJ半导体公司推出的ZMA280N06D是一款60V N-Channel Power MOSFET，采用沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。该产品适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和电池保护等应用。
型号- ZMA280N06D
ZMDA68603S 60V N沟道功率MOSFET
描述- ZMJ半导体公司推出的ZMDA68603S是一款60V N-Channel Power MOSFET，采用沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)。该产品适用于BLDC电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用。
型号- ZMDA68603S
电子商城
现货市场
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论