【产品】30V/120A N沟道功率MOSFET RU30120R，采用TO220封装，可用于DC-DC转换器
锐骏半导体的N沟道功率MOSFET-RU30120R，漏源电压30V，持续漏极电流为120A（Tc=25℃，VGS=10V），最大耗散功率为150W（Tc=25℃）/75W（Tc=100℃）。采用TO220封装形式，可应用于DC-DC转换器中。
RU30120R的特性：
30V/120A
RDS（ON）=2.5mΩ（典型值）@VGS=10V
RDS（ON）=3.3mΩ（典型值）@VGS=4.5V
超高密度单元设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
提供无铅绿色器件（符合RoHS标准）
RU30120R的应用：
DC-DC转换器
RU30120R的最大额定值参数（Tc=25℃）：
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产品型号
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品类
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Channel
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ESD Diode (Y/N)
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VDSS(V)
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VTH(V)
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IDS(A)@TA=25℃ (A)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
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Package
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RU207C
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MOSFET
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N
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N
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20
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0.5-1.1
|
6
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10
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15
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SOT23-3
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选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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