【产品】EPC2218增强型氮化镓功率晶体管,模具尺寸仅3.5x1.95毫米
EPC(宜普电源转换公司)的新款eGaN FET(增强型氮化镓功率晶体管)EPC2218,符合RoHS标准、无铅、无卤素,仅以钝化模具形式提供焊料凸点, 模具尺寸仅3.5x1.95毫米,具有效率高,无反向恢复、超低QG以及占板面积小等优点。该器件实物如图1所示,可用于DC-DC转换器、AC/DC和DC-DC同步整流、USB-C、LED照明以及D类音频等领域的应用。
氮化镓具有极高的电子迁移率和较低的温度系数,因此RDS(on)极低,而横向器件结构和多数载流子二极管则具有极低的QG和零QRR。此外该器件可以胜任开关频率高,导通时间短以及导通损耗很重要的任务。
连续漏源电压最大额定值为100V,连续电流(TA = 25°C)最大额定值为60A,漏源导通电阻最大值为3.2mΩ(VGS = 5 V, ID = 25A条件下)。器件的工作温度和存储温度宽至-40 ~ 150°C,能够在不同环境下可靠工作。
图1 产品示意图
特性:
•超高效率
•无反向恢复
•超低QG
•占板面积小
应用:
•DC-DC转换器
•BLD电机驱动
•AC-DC和DC-DC的同步整流
•负载点转换器
•USB-C
•激光雷达
•D类音频
•LED照明
•电动车
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
|
0.42
|
0
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86
|
67
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20
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3.4
|
28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
增强型氮化镓技术
描述- 本文介绍了eGaN®技术,这是一种基于氮化镓(GaN)的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比,eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势,包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外,还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
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