【产品】基于GaAs的单片三级驱动放大器，专为X波段应用而设计
CHA6105-99F是UMS公司推出的基于GaAs的一款专为X波段应用而设计的单片三级中功率放大器。该驱动器在饱和时提供31.5dBm的输出功率，适用于需要高压缩等级的系统。此外，它还包括一个偏置控制电路，使Pout对扩展和芯片环境不敏感。该电路采用pHEMT工艺制造，栅极长度为0.25μm，具有穿过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻。CHA6105-99F以芯片形式提供。
图1.电路原理图
图2.Pout＆Id @ 3dB增益压缩和线性增益（脉冲25μs10％Tamb.20°C）
三级中功率放大器主要特点：
▪频率范围：8-12GHz
▪31.5dBm饱和输出功率
▪30dB线性增益
▪静态偏置点：8V @ 700mA
▪芯片尺寸：2.80 x 2.21 x 0.07mm
主要特性：
Tamb = + 20°C，Vc = + 8V（脉冲25μs的10％）
符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单元 |
Fop | 工作频率范围 | 8 | 12 | GHz | |
G | 小信号增益 | 30 | dB | ||
Psat | 饱和输出功率 | 31.5 | dBm | ||
ldq | 电源静态电流 | 700 | mA |
三级中功率放大器电气特性
Vd = + 8V，脉冲25μs的10％
符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单元 |
Top | 工作温度范围 | -40 | 85 | ℃ | |
Fop | 工作频率范围 | 8 | 12 | GHz | |
G | 小信号增益(25°C) | 25.5 | 30 | 34 | dB |
ΔG_T | 线性增益VS 温度变化率(25°C) | -0.035 | dB/℃ | ||
P1dB | 在1dB的增益压缩时，输出功率(25°C) | 30.5 | dBm | ||
P3dB | 在3dB的增益压缩时，输出功率(25°C) | 29.5 | 31 | dBm | |
Psat | 饱和输出功率 | 31.5 | dBm | ||
dBS11 | 输入回波损耗 | 2:1 | dB | ||
dBS22 | 输出回波损耗 | 2:1 | dB | ||
Vd | 电源电压 | 8 | V | ||
Idq | 电源静态电流 | 700 | mA | ||
Id_ 3dBc | 3dB增益压缩下的功耗 | 925 | 1150 | mA | |
V_c | 漏电流控制电压 | -5 | V | ||
I_c | 偏置电路消耗 | 25 | mA |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Jady翻译自UMS，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】5.5-11GHz中功率单片微波PA，专为商业通信系统设计
UMS的CHA4250-QDG是5.5-11GHz中功率放大器，pHEMT工艺制造，耐温，较适用于汽车电子，回波损耗低，成本低。
【产品】工作频率17~24GHz的高线性的中功率放大器
CHA4253aQQG是17-24GHz的中功率放大器，pHEMT工艺制造，增益23dB，饱和输出功率为24.5dBm。
【产品】55-60GHz低噪声中功率高灵敏度放大器-GaAs微波芯片
CHA2157-99F两级低噪声中功率放大器， HEMT工艺制造，适用于微弱接收信号的前级放大，灵敏度高。
UMS功率放大器（PA）选型表
UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品，频率最高可达105GHz，带宽超过20GHz，Gain(dB)：10-38.5，Bias(mA)：30-2300，Bias(V）：2.5-30.
|
产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain(dB)
|
IP3(dBm)
|
P-1dB OUT(dBm)
|
Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
|
选型表 - UMS 立即选型
L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
描述- UMS SATCOM Products提供高性能MMICs，涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频率转换器，适用于卫星通信终端。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移，并提供多种封装解决方案，满足传统GEO和新LEO上行链路和下行链路的需求。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
型号- CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA7063-QCB,CHA8252-99F,CHA8254-99F,CHT4660-QAG,CHR3693-QDG,CHA3688AQDG,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4253A98F,CHA4253-QQG,CHR3352-QEG,CHR3693-99F,CHW4212-QKA,CHA8012-99F,CHA2595-QDG,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA4107-QDG,CHA8362-99F,CHA5005-QDG,CHA3666-99F,CHW4313-QAG,CHA8312-99F,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7453-99F,CHA6354-QQA,CHA3395-98F,CHA6653-98F,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHA4253-FAB,CHA3395-QDG,CHW4312-QKA,CHA8352-99F,CHW4213-QAG,CHA6550-98F,CHR3693-FAB,CHA6282-QCB,CHA7455-99F,CHA8710-QDB,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHA2368-98F,CHA8612-QDB,CHA3666-FAB,CHA6357-QKB,CHA6550-QXG
【应用】UMS推出的中功率放大器CHA4350-QDG助力X波段相控阵天线设计，线性增益的典型值为26dB
这里推荐一款用于商用小卫星上的相控阵天线方案，方案主要由收发芯片与放大模块组成，集成为有源天线，其中放大模块中PA推荐UMS的中功率放大器CHA4350-QDG，其频率范围为5.5-11.7GHz。
CHA4396-QDG 24-30GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路
描述- 该资料详细介绍了UMS公司生产的24-30GHz中功率放大器，型号为CHA4396-QDG。该放大器采用GaAs Monolithic Microwave IC技术，具有22dB的最大输出功率和17%的功率附加效率。它适用于电信、卫星通信、雷达、无线电链路和太空等微波应用和系统。
型号- CHA4396-QDG
【元件】UMS新品24-30GHz中功率放大器CHA4396-QDG，非常适合各种微波应用和系统
近期，UMS发布了一款中功率放大器，频率为24-30GHz，型号为CHA4396-QDG。CHA4396-QDG是一款三级GaAs中等功率放大器，工作频率为24GHz至30GHz。该放大器可提供22dBm的最大输出功率和17%的功率附加效率，并在1dB增益压缩点提供21dBm的输出功率。该电路具有22dB的典型小信号增益和31dBm的输出三阶截取点。
利用UMS氮化镓、砷化镓产品和铸造解决方案实现您的5G项目
描述- 该资料主要介绍了UMS公司提供的GaN和GaAs元器件产品及其在5G项目中的应用。内容包括GaN和GaAs的混合技术产品，如前端24-30GHz的线性高功率放大器和超低噪声放大器，以及系统级封装(SiP)解决方案。资料还详细列出了不同频率范围内的产品参数，包括GaN和GaAs的功率放大器、低噪声放大器、开关和混频器等。
型号- CHA5659-98F,CHK8013-99F,CHA2362-98F,CHK9013-99F,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA2157-99F,CHK8101-99F,CHA5659-QXG,CHK015AAQIA,CHA3024-QGG,CHA3688AQDG,CHZ8012-QJA,CHA3395-QDG,CHA4105-QDG,CHZ9012-QFA,CHA2159-99F,CHA2069-QDG,CHA3656-QAG,CHA2494-QEG,CHA2595-QDG,CHA6194-QXG,CHA3396-QDG,CHA6652-QXG,CHM1298-99F,CHA3397-QDG,CHM1080-98F,CHA2080-98F,CHA3398-98F,CHA4220-QGG
CHA3063-99F 5.5-23GHz GaAs单片微波驱动放大器
描述- 该资料介绍了CHA3063-99F是一款5.5-23GHz驱动放大器，采用GaAs单片微波集成电路技术制造。芯片背面同时接地于RF和DC，简化了电路设计。主要特性包括宽带性能、中等功率输出、低噪声系数和高效率。
型号- CHA3063-99F/00,CHA3063-99F
CHA3396-QDG 27-33.5GHz中功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
描述- 该资料介绍了CHA3396-QDG是一款27-33.5GHz频段的单片微波功率放大器，采用pHEMT工艺制造。它具有宽带性能，输出功率为19dBm，增益为22dB。适用于军事和商业通信系统等多种应用。
型号- CHA3396-QDG/21,CHA3396-QDG/20,CHA3396-QDG/XY,CHA3396-QDG
采用贴片无铅封装的CHA3395-qdg21-29.5GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA3395-QDG是一款21-29.5GHz频段的单片微波集成电路（MMIC），具有中等功率放大功能。它采用pHEMT工艺制造，具备宽带的性能，输出功率为20dBm，增益为24dB。适用于军事和商业通信系统等多种应用。
型号- CHA3395-QDG
CHA3398-98F 36-43.5GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路裸片
描述- 该资料介绍了CHA3398-98F是一款36-43.5GHz频段的4级单片微波功率放大器，适用于军事和商业通信系统。其主要特点是宽带性能、高线性度、与数字前失真技术兼容，并具有多种偏置条件以调整性能。此外，该器件具备ESD保护功能。
型号- CHA3398-98F/00,CHA3398-98F
贴片无铅封装GaAs单片微波集成电路CHA4107-QDG C波段中功率放大器
描述- 该资料介绍了CHA4107-QDG是一款适用于C波段应用的GaAs单片微波集成电路（MMIC）中功率放大器。它提供典型的25.5dBm输出功率和30%的功率附加效率，具有线性增益为22.5dB的特点。
型号- CHA4107-QDG/XY,CHA4107-QDG,CHA4107-QDG/21,CHA4107-QDG/20
电子商城
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论