【产品】基于GaAs的单片三级驱动放大器,专为X波段应用而设计

2018-12-20 UMS
中功率放大器,单片三级中功率放大器,GaAs中功率放大器,CHA6105-99F 中功率放大器,单片三级中功率放大器,GaAs中功率放大器,CHA6105-99F 中功率放大器,单片三级中功率放大器,GaAs中功率放大器,CHA6105-99F 中功率放大器,单片三级中功率放大器,GaAs中功率放大器,CHA6105-99F

CHA6105-99FUMS公司推出的基于GaAs的一款专为X波段应用而设计的单片三级中功率放大器。该驱动器在饱和时提供31.5dBm的输出功率,适用于需要高压缩等级的系统。此外,它还包括一个偏置控制电路,使Pout对扩展和芯片环境不敏感。该电路采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.25μm,具有穿过基板的通孔,空气桥和电子束栅极光刻。CHA6105-99F以芯片形式提供。

图1.电路原理图


图2.Pout&Id @ 3dB增益压缩和线性增益(脉冲25μs10%Tamb.20°C)

 


三级中功率放大器主要特点:

▪频率范围:8-12GHz

▪31.5dBm饱和输出功率

▪30dB线性增益

▪静态偏置点:8V @ 700mA

▪芯片尺寸:2.80 x 2.21 x 0.07mm


主要特性:

Tamb = + 20°C,Vc = + 8V(脉冲25μs的10%)

符号

参数

最小值

典型值

最大值

单元

Fop

工作频率范围

8


12

GHz

G

小信号增益


30


dB

Psat

饱和输出功率


31.5


dBm

ldq

电源静态电流


700


mA

 

三级中功率放大器电气特性

Vd = + 8V,脉冲25μs的10%

符号

参数

最小值

典型值

最大值

单元

Top

工作温度范围

-40


85

Fop

工作频率范围

8


12

GHz

G

小信号增益(25°C)

25.5

30

34

dB

ΔG_T

线性增益VS 温度变化率(25°C)


-0.035


dB/℃

P1dB

在1dB的增益压缩时,输出功率(25°C)


30.5


dBm

P3dB

在3dB的增益压缩时,输出功率(25°C)

29.5

31


dBm

Psat

饱和输出功率


31.5


dBm

dBS11

输入回波损耗


2:1


dB

dBS22

输出回波损耗


2:1


dB

Vd

电源电压


8


V

Idq

电源静态电流


700


mA

Id_ 3dBc

3dB增益压缩下的功耗


925

1150

mA

V_c

漏电流控制电压


-5


V

I_c

偏置电路消耗


25


mA

 

 

 

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产品型号
品类
RF Bandwidth (GHz)min
RF Bandwidth (GHz)max
Gain(dB)
IP3(dBm)
P-1dB OUT(dBm)
Sat. Output Power(dBm)
PAE(%)
Bias(mA)
Bias(V)
Case
CHA1008-99F
低噪声放大器
80
105
17
DC
5
DC
DC
115
2.5
Die

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