【产品】耐辐射光耦合器HCC100x，深空环境中可提供高度可靠的电路隔离
——HCC1000x设备支持卫星，运载火箭，航天器和行星漫游器
TT Electronics 是一家全球性工程电子器件供应商，最近宣布推出了HCC100x系列的耐辐射光电耦合器。该器件是在高辐射深空飞行应用中（包括卫星，运载火箭，宇宙飞船和行星漫游器）隔离电路的理想选择。
HCC100x光耦合器使用光敏接口，在输入和输出电路之间提供高可靠性的电气隔离。它们非常性能非常稳定，在非常恶劣，肮脏的环境中也能运行良好。芯片在0.1rad/s的低剂量率条件下可以承受100Krad TID（总电离剂量），增强版本甚至可达300Krad，而中子照射可达1E12 neutrons/cm，同样可以扩展到2E12 neutrons/cm。
光耦合器的坚固设计包括红外LED和NPN硅光电晶体管，封装的选择可以是密封的TO-78金属外壳，6引脚SMD，密封陶瓷4引脚或6引脚LCC，高压隔离器封装，或定制设计的封装。这些器件具有1kV电隔离和其他延伸到50 kV的光隔离器组件。
HCC1000和HCC1001型号包含了一个为常规晶体管偏置提供的基极供电触点，而HCC1002具有密封陶瓷LCC 4引脚，无基极接触。器件还可以进一步配备高压隔离器组件或定制设计的包装选择，TX和TXV处理符合MIL-PRF-19500一致要求。
HCC100x光耦合器系列还可以支持接地回路消除，电平转换，线路接收器开关，电源隔离，以及高压电力系统，核环境中的电机控制，和任何其他恶劣的工业环境，其中辐射的存在可能造成电路性能降低的额外风险。
耐辐射光耦合器特性：
• 总电离剂量（TID）耐辐射从100 Krad（Si）/ cm 2 ELDERS（0.1rad / s）
• 中子照射1E12中子（14 MeV）
• 1000V电气隔离（光隔离器组件至50,000 V
• TX和TXV，满足MIL-PRF-19500一致性要求
• 为常规晶体管偏置提供基极接触
• 可选高压隔离器组件或定制设计的封装
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产品型号
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品类
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Package
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Forward Voltage(V)
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Forward DC Current(mA)
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Collector Saturation Voltage(V)
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Collector-Emitter Breakdown Voltage(V)
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On-State Collector Current(mA)
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CTR Min(%)
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CTR Max(%)
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Operating Temperature(℃)
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3C91C
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Hi-Reliability Optically Coupled Isolator
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TO-72
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1000V
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1.2V
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50mA
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0.4V
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50V
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30mA
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30%@10mA
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200%@10mA
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