【技术】解析瞬态抑制二极管的特性、工作原理、分类、选用方法及在ESD保护中的应用

优恩半导体在本文将对瞬态抑制二极管的特性、工作原理、分类、选用方法及在ESD保护中的应用进行详细的讲解，为工程师们的设计提供理论基础。详细介绍内容如下：

随着电子信息技术的迅速发展，当前半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能化，特别是像时尚消费电子和便携式产品等对主板面积要求比较严格的应用，很容易受到静电放电的影响。电路保护元件的选择根据所要保护的布线情况、可用的电路板空间以及被保护电路的电特性来决定。因为利用先进工艺技术制造的IC电路里氧化层比较薄，栅极氧化层更易受到损害。而且一些采用深亚微米工艺和甚精细线宽布线的复杂半导体功能电路，对电路瞬变过程的影响更加敏感，这将导致上述问题加重。因此要求保护器件必须具备低箝位电压以提供有效的ESD保护；而且响应时间快以满足高速数据线路的要求；封装集成度高以适用便携设备印制电路板面紧张的情况；同时还要保证多次ESD过程后不会劣化以保证高档设备应有的品质。优恩半导体瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppresser)正是为解决这些问题而产生的，它已成为保护电子信息设备的关键性技术器件。

一、瞬态抑制二极管的特性与工作原理:
瞬态抑制二极管是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，瞬态抑制二极管能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，从而把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。正因为如此，瞬态抑制二极管可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生的过电压。下图为瞬态抑制二极管伏安特性曲线。

图1. 瞬态抑制二极管伏安特性曲线

瞬态抑制二极管和稳压管一样，也是反向应用的。其中VR称为最大转折电压，是反向击穿之前的临界电压。VB是击穿电压，其对应的反向电流IT一般取值为1mA。VC是最大箝位电压，当瞬态抑制二极管中流过的峰值电流为IPP的大电流时，管子两端电压就不再上升了。因此瞬态抑制二极管能够始终把被保护的器件或设备的端口电压限制在VB～VC的有效区内。与稳压管不同的是，IPP的数值可达数百安培，而箝位响应时间仅为1×10-12s。瞬态抑制二极管的最大允许脉冲功率为PM=VCIPP，且在给定最大钳位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大。

图2. 瞬态抑制二极管电压、电流时间特性图

上图是在双踪示波器上观察到的瞬态抑制二极管在承受大电流冲击时的电流及电压波形。图中，曲线1是瞬态抑制二极管中的电流波形，可以看出：其流过瞬态抑制二极管的电流由1mA突然上升到峰值后，然后按指数规律下降。曲线2是瞬态抑制二极管两端的电压波形，它表示瞬态抑制二极管中的电流突然上升时，瞬态抑制二极管两端电压也随之上升。在浪涌电压的作用下，瞬态抑制二极管两极间的电压由额定反向关断电压VRWM上升到击穿电压VB而被击穿。随着击穿电流的出现，流过瞬态抑制二极管的电流将达到峰值脉冲电流IPP，同时其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压VC以下。其后，随着脉冲电流按指数衰减，该过程中，瞬态抑制二极管两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态，这就是瞬态抑制二极管抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的过程。事实上，当瞬态抑制二极管两极受到反向高能量冲击时，它能以10-12s级的速度，将其两极间的阻抗由高变低，以吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电位箝位于预定值，从而有效地保护电子设备中的元器件免受ESD的损害。

二、瞬态抑制二极管的分类
瞬态抑制二极管器件按极性可分为单极性和双极性两种；按用途可分为通用型和专用型；按封装和内部结构可分为轴向引线二极管、双列直插瞬态抑制二极管阵列、贴片式和大功率模块等。轴向引线的产品峰值功率可达200W、400 W、500 W、600W、1500W、3000W、5000W、8000W、15000W、20000W、3000W、3600W和6600W等，其中大功率的产品主要用在电源馈线上，汽车电子上，低功率产品主要用在高密度安装场合。对于高密度安装的场合，也可以选择双列直插和表面贴装等封装形式。

三、在选用瞬态抑制二极管时，应考虑以下几个主要因素：
(1)若瞬态抑制二极管有可能承受来自两个方向的尖峰脉冲电压(浪涌电压)冲击时，应当选用双极性的，否则可选用单极性。
(2)所选用瞬态抑制二极管的Vc值应低于被保护元件的最高电压。Vc是二极管在截止状态的电压，也就是在ESD冲击状态时通过瞬态抑制二极管的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则器件面临被损坏的危险。
(3)瞬态抑制二极管在正常工作状态下不要处于击穿状态，最好处于VR以下，应综合考虑VR和VC两方面的要求来选择适当的瞬态抑制二极管。
(4)如果知道比较准确的浪涌电流IPP，则可利用VCIpp来确定功率；如果无法确定IPP的大致范围，则选用功率大些的瞬态抑制二极管为好。PM是瞬态抑制二极管能承受的最大峰值脉冲功率耗散值。在给定的最大箝位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM下，箝位电压VC越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。
(5)瞬态抑制二极管所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率(持续时间与间歇时间之比)为0.01％。如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，不然有可能损坏瞬态抑制二极管。

(6)对于小电流负载的保护，可有意识地在线路中增加限流电阻，只要限流电阻的阻值适当，一般不会影响线路的正常工作，但限流电阻对干扰所产生的电流却会大大减小。但这样可能选用峰值功率较小的瞬态抑制二极管来对小电流负载线路进行保护。
(7)电容量C是由瞬态抑制二极管雪崩结截面决定的，这是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与瞬态抑制二极管的电流承受能力成正比，C太大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用瞬态抑制二极管的重要参数。对于数据／信号频率越高的回路，二极管的电容对电路的干扰越大，形成噪声或衰减信号强度也大，因此，需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。高频回路一般选择电容应尽量小(如LC瞬态抑制二极管、低电容瞬态抑制二极管，电容不大于3pF)，而对电容要求不高的回路，电容的容量选择可高于40pF。
(8)为了满足IEC61000-4-2国际标准，瞬态抑制二极管必须达到可以处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击，有的半导体生产厂商在自己的产品上使用了更高的抗冲击标准。而对于某些有特殊要求的便携设备应用，设计者可以按需要挑选器件。

四、基于瞬态抑制二极管的ESD防护：

处理瞬时脉冲对器件损害的最好办法，就是将瞬时电流从敏感器件引开。方法是瞬态抑制二极管在线路板上与被保护线路并联。这样当瞬时电压超过电路正常工作电压后，瞬态抑制二极管便发生雪崩，以提供给瞬时电流一个超低电阻通路，其结果是瞬时电流通过二极管被引开，从而避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。当瞬时脉冲结束以后，瞬态抑制二极管自动同复高阻状态，整个回路进入正常电压状态。