【产品】高灵敏度无源磁记忆双极锁存TMR磁开关传感器系列,是低功耗、高性能应用的理想选择

2020-09-16 多维科技
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多维科技TMR1212/TMR1213/TMR1215集成了隧道磁阻(TMR)传感器和CMOS技术,是为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的无源磁记忆双极锁存TMR磁开关传感器系列产品。与常规的磁开关相比,TMR1212/TMR1213/TMR1215带有磁记忆功能,在掉电情况下依然可以探测磁场极性变化,并存储在磁存储单元中,上电后可以立刻读取最近一次的磁场极性状态。

 

左:产品图      右:功能框图


采用的TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。还可通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源,并允许宽的工作电压范围。其低电压工作、微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。封装形式采用SOT23-3和TO92S,以TMR1215为例,所对应的产品型为TMR1215S和TMR1215T。


产品特性

隧道磁电阻(TMR)技术

超低功耗(1.5μA)

掉电磁存储

1kHz 高频率响应

双极锁存型开关 

宽工作电压范围

卓越的温度稳定性 

优越的抗外磁场性能 


典型应用 

计量仪表(水表、气表、热量表)

电梯门机双稳开关 

固态开关 

速度检测

线性及旋转位置检测


型号参数比较:

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
兼容型号
类型
供电电压(V)
功耗(nA、μA、mA)
工作模式
敏感方向
B_op(Gs,25°C)(Gs)
B_rp(Gs,25°C)(Gs)
输出接口
封装形式
TMR1102
TMR磁开关传感器芯片
单极
1.8~5.5 V
1.5μA
连续供电
X轴
17
13
CMOS
SOT23-3

选型表  -  多维科技 立即选型

MDT Released Bi-stable TMR Magnetic Switch Sensors MR1212/TMR1213/TMR1215 with Passive Magnetic Memory Effect

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2020/09/08  - 多维科技  - 数据手册  - 版本1.1
2020/09/08  - 多维科技  - 数据手册  - V1.0
2020/09/08  - 多维科技  - 数据手册  - 版本1.1
2020/09/08  - 多维科技  - 数据手册  - 版本1.1
2020/09/08  - 多维科技  - 数据手册  - V1.0
2020/09/08  - 多维科技  - 数据手册  - V1.0

多维科技推出高灵敏度无源磁记忆TMR磁开关传感器

描述- 江苏多维科技有限公司推出新型TMR磁开关传感器TMR1215,具备无源磁记忆功能,适用于电梯、液位计等工业应用。该传感器在断电情况下仍能记忆磁场极性变化,上电后可立即读取。产品系列包括多种磁传感器芯片和模组,满足不同应用需求。MDT致力于提供高性能、低成本磁传感器,拥有多项专利技术和先进制造能力。

型号- TMR1212,TMR1215,TMR1213

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压力传感器定制

可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压;数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O,温度补偿范围-20~85ºС;模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信,具备多种小型SIP和DIP封装可选择。

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