【应用】 高压SiC MOSFET用于固态变压器,“智能”化取代传统线频率分布变压器

2021-11-20 瞻芯电子
SiC MOSFET,瞻芯电子 SiC MOSFET,瞻芯电子 SiC MOSFET,瞻芯电子 SiC MOSFET,瞻芯电子

固态变压器(SST)是一种集高频变压器、电力电子转换器和控制电路为一体的新兴技术。它的目标是用“智能”解决方案取代传统的线频率分布变压器。SST技术可能会影响许多领域的发展,比如:智能电网、牵引系统、可再生能源系统(RESs)等等。虽然SST的结构比传统变压器复杂得多,但它可以消除一些缺点,并增加一个目前还没有的全新功能,例如:


• DC-link允许直接连接直流电网以及额外的储能组件,无需使用额外的电力转换器;

• SST在运行中遇到电压不平衡、电压下降和其他干扰时,不会从变压器一侧转移到另一侧;

• SST可以完全控制能量的大小和方向,可以独立对两侧无功功率进行补偿;

• SST可以动态控制低压侧电压,补偿非线性负载扰动引起的扰动;

• SST可以相互通讯,也可以与电网的其他单元通讯,形成所谓的智能电网(SG)。SSTs相互交换数据,还可以控制能量流及其参数,在发生故障时重新配置电网,使其适应新的工作条件,减少对最终用户的负面影响。


SST的工业实现需要使用标准组件,以及设计上的灵活性。使用电力电子模块(PEBB)方法可以满足这些目标,由于受现有功率开关器件的额定电压限制,本文仅关注1200V SiC MOSFET和中压(MV)应用。对于配电系统,中压MV主要指线路间2kV~35kV的电压范围。


SST用于取代传统的配电变压器,这些变压器可以在几百KVA到几MVA的功率水平下将中压交流电转换为低压交流电和低压直流电,具有三级转换的典型架构如图1所示。SST可进行非隔离的MV AC /DC、隔离的DC/DC和非隔离的DC/LV AC交流功率转换,三级转换的智能电网架构如图2所示。

图 1.    SST三级转换架构

 图 2. SST在智能电网的典型应用

针对中压和高压的应用,常用一种特定的转换器——基于单相半桥转换器和全桥三电平转换器。模块化多电平转换器(MMC)如图3所示,更多电平的转换器由于其复杂性而不常用。

半桥提供+Vdc和0V输出,而全桥提供三电平输出:+Vdc、-Vdc、0V。它们的MOSFET的额定电压为Vdc。其他电容分压的拓扑,如半桥和三电平NPC半桥,都存在均压困难的共同问题,也不常用。二电平单极半桥和三电平双极全桥是最可靠的模块拓扑,也将在所有后续讨论中使用。

图4  隔离双向MV-to-LV半桥AC/DC变换器。

图5  隔离双向MV-to-LV全桥AC/DC变换器

图4和图5为模块化的中压AC到低压直流变换器。半桥变换器使用的开关模块(SM) 少二个功率管,但系统使用的模块数量翻倍。图5a和图5b使用三电平双极全桥SMs,是一种更紧凑的解决方案。对于超过10kV的交流输入,单个10kV以上的高频电感器是很难设计,需要一些特殊而昂贵的处理。图5b的SMs有自己的内置电感器,它只需要与SiC器件同等的额定电压。图5b所示的AC/DC变换器是SST中压交流转低压直流级最实用的解决方案之一。


低压直流到交流输出级通常采用T型或I型(如图6所示)三电平三相逆变器拓扑。根据输出电压等级和电源设备的额定电压,选择T型或I型来使用。由于不同负载和电网电压条件下,三相输出电压或电流会不平衡,因此可能需要附加电压平衡电路,使三电平电路的电容电压保持平衡。  

图6. 带电容电压平衡电路的I-型三相逆变器

高压SiC MOSFET的出现为固态变压器开辟了一个全新的领域。固态变压器是智能电网、储能、直流数据中心、可再生能源系统和电动汽车大功率充电站的关键部件。随着直流电力系统越来越普及,SiC MOSFET和SST技术都在以前所未有的快速步伐向前发展。在可预见的未来,它们将在工业应用中发挥重要作用。


瞻芯电子是一家由海归博士领衔的碳化硅(SiC)高科技芯片公司,致力于开发以碳化硅为核心、高性价比的功率半导体器件和驱动控制IC产品,为电源和电驱动系统的小型化、轻量化和高效化,提供完整的半导体解决方案。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由剑藏锋转载自瞻芯电子,原文标题为:固态变压器,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率,且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时,1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后,终端应用的系统可靠性大大提升,而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

应用方案    发布时间 : 2024-06-18

【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%

新能源汽车的快速发展,带来充电的需求,为了满足电动汽车的快速充电,充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用,本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%。

应用方案    发布时间 : 2022-03-05

【应用】使用TO-247封装SiC MOSFET的光伏升压变换器解决方案,效率达到99.4%

SiC二极管在光伏升压变换器设计中已得到了广泛的应用,SiC MOSFET在许多高性能逆变器的开发中也开始得到应用。本文介绍了使用TO-247封装SiC MOSFET和瞻芯电子IV1E系列SiC模组的150kW逆变器解决方案。

应用方案    发布时间 : 2021-05-03

SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制(上)

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一,这能显著提升系统效率,但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡,从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰,成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此,我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因,然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分:驱动电压尖峰复现与分析。

设计经验    发布时间 : 2024-01-02

瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上,产品的长期可靠性得到市场验证

近日,自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来,瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上,其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场,标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。

原厂动态    发布时间 : 2024-09-29

SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制(下)

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一,这能让系统效率显著提升,但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡,从而在驱动电压上产生更大的尖峰。抑制驱动电压尖峰,成为发挥SiC MOSFET优势的关键课题。本篇主要介绍驱动电压尖峰的抑制方法。

设计经验    发布时间 : 2024-01-02

SiC Power Device Hammer and Burn-In System

型号- MLX90614ESF-BCC,IVCR1401

技术文档  -  瞻芯电子  - 2021/06/01 PDF 英文 下载

瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产

近日,瞻芯电子基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证;同时,瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产,后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC)晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。

产品    发布时间 : 2024-06-26

数据手册  -  瞻芯电子  - Rev0.5  - Jul. 2020 PDF 英文 下载 查看更多版本

数据手册  -  瞻芯电子  - Rev1.0  - Sep. 2020 PDF 英文 下载 查看更多版本

数据手册  -  瞻芯电子  - Rev1.0  - Oct. 2021 PDF 英文 下载 查看更多版本

数据手册  -  瞻芯电子  - 版本 1.2  - 2023 年 12 月 PDF 中文 下载

数据手册  -  瞻芯电子  - Rev 1.0  - Nov. 2022 PDF 英文 下载 查看更多版本

数据手册  -  瞻芯电子  - Rev1.0  - Sep. 2020 PDF 英文 下载 查看更多版本

【元件】瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品,具备业界较低的损耗水平

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片,具备业界较低的损耗水平,且驱动电压为15V~18V,兼容性更好。

产品    发布时间 : 2024-03-13

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥64.0000

现货: 24

品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥50.0000

现货: 21

品牌:瞻芯电子

品类:SIC MOSFET

价格:¥17.0000

现货: 20

品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥32.0000

现货: 20

品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥62.0000

现货: 17

品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥56.0000

现货: 10

品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥43.0000

现货: 10

品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥100.0000

现货: 6

品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥126.0000

现货: 5

品牌:瞻芯电子

品类:SiC MOSFET

价格:¥46.6000

现货: 5

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:CREE

品类:Silicon Carbide Power MOSFET

价格:¥30.2621

现货:287

品牌:CREE

品类:晶体管

价格:¥13.5799

现货:27

品牌:CREE

品类:Six Channel SiC MOSFET Driver

价格:¥2,765.7315

现货:3

品牌:CREE

品类:晶体管

价格:¥25.2282

现货:2

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

高热流密度液冷板定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

最小起订量: 1片 提交需求>

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面