蓉矽半导体碳化硅场效应管荣获2023中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件!

2023-08-26 蓉矽半导体公众号
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3月30日,由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的2023中国IC设计成就奖颁奖典礼在上海进行。蓉矽半导体自主设计研发的1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT荣获“年度最佳功率器件/宽禁带器件”奖项!蓉矽半导体将继续保持自主创新,专注碳化硅(SiC)功率器件设计与研发,推动中国功率半导体产业的发展。


中国IC设计成就奖

2023年是第21年连续举办IC设计调查及奖项评选,因其秉持公正、客观的评选标准,成为我国半导体产业IC设计领域极具公信力的社会品牌,同时是最具专业性和影响力的技术奖项之一,受到业界的广泛认可。“中国IC设计成就奖”分为IC设计公司奖项、热门IC产品奖项、上游服务供应商奖项和分析师推荐奖项四大类,旨在表彰业内优秀的中国IC设计公司、半导体器件和热门IC产品。蓉矽半导体1200V/75mΩ 碳化硅场效应管-NC1M120C75HT获此殊荣,证明了蓉矽半导体在引领电子设计创新中做出的杰出贡献。



碳化硅场效应管

1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT

具有全面优异的电学性能、鲁棒性、可靠性,在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗,可以提高系统整体功率密度,降低系统总成本,产品特点如下:

1.低比导通电阻:

Ron,sp@(VGS=20V)=4.6mΩ·cm2

2.短路耐受时间>3μs

3.低密勒电容:Cgd=5pF

4.栅氧化层长期可靠,电场强度远小于常规4.0MV/cm限制

5.阈值电压(Vth)高达2.8V,抗串扰能力强


成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业,拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障,致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。


蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC”和高可靠性“DuraSiC”产品系列,涵盖碳化硅二极管EJBS™碳化硅MOSFET;硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR,应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。


蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证,建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链,严格按照AEC-Q101标准考核验证。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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本文由玉鹤甘茗转载自蓉矽半导体公众号,原文标题为:蓉矽半导体SiC场效应管荣获2023中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件!,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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选型指南  -  SLKOR  - 2022/10/9 PDF 中文 下载

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品类:碳化硅二极管

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品类:碳化硅二极管

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品类:碳化硅二极管

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

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