蓉矽半导体碳化硅场效应管荣获2023中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件!
3月30日,由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的2023中国IC设计成就奖颁奖典礼在上海进行。蓉矽半导体自主设计研发的1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT荣获“年度最佳功率器件/宽禁带器件”奖项!蓉矽半导体将继续保持自主创新,专注碳化硅(SiC)功率器件设计与研发,推动中国功率半导体产业的发展。
中国IC设计成就奖
2023年是第21年连续举办IC设计调查及奖项评选,因其秉持公正、客观的评选标准,成为我国半导体产业IC设计领域极具公信力的社会品牌,同时是最具专业性和影响力的技术奖项之一,受到业界的广泛认可。“中国IC设计成就奖”分为IC设计公司奖项、热门IC产品奖项、上游服务供应商奖项和分析师推荐奖项四大类,旨在表彰业内优秀的中国IC设计公司、半导体器件和热门IC产品。蓉矽半导体1200V/75mΩ 碳化硅场效应管-NC1M120C75HT获此殊荣,证明了蓉矽半导体在引领电子设计创新中做出的杰出贡献。
碳化硅场效应管
1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT
具有全面优异的电学性能、鲁棒性、可靠性,在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗,可以提高系统整体功率密度,降低系统总成本,产品特点如下:
1.低比导通电阻:
Ron,sp@(VGS=20V)=4.6mΩ·cm2
2.短路耐受时间>3μs
3.低密勒电容:Cgd=5pF
4.栅氧化层长期可靠,电场强度远小于常规4.0MV/cm限制
5.阈值电压(Vth)高达2.8V,抗串扰能力强
成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业,拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障,致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。
蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC”和高可靠性“DuraSiC”产品系列,涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET;硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR,应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。
蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证,建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链,严格按照AEC-Q101标准考核验证。
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基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
基本半导体 - 工业级全碳化硅功率模块,单通道智能带功率器件短路保护检测驱动芯片,双通道隔离驱动芯片,低边驱动芯片,碳化硅MOSFET,栅极驱动器ICS,碳化硅MOSFET晶圆,功率模块,SIC功率半导体器件,碳化硅二极管,GATE DRIVER ICS,碳化硅功率器件,晶圆,汽车级TPAK碳化硅MOSFET模块,裸片,混合碳化硅分立器件,半桥MOSFET模块,单开关模块,碳化硅功率模块,SIC POWER SEMICONDUCTOR DEVICES,门极驱动芯片,全碳化硅,汽车级HPD碳化硅MOSFET模块,隔离驱动芯片,单通道隔离驱动芯片,碳化硅二极管晶圆,汽车级全碳化硅功率模块,汽车级DCM碳化硅MOSFET模块,B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1,储能设备,电机控制器,电源系统,车载电源,新能源汽车主逆变器,空调压缩机,光伏发电,大功率快速充电桩,OBC,车载充电器,不间断电源,电动汽车,UPS,混合动力汽车,光伏储能,PFC电源,字母S,PD快充,储能,电机驱动,工业控制,ESS,光伏组串逆变器,新能源汽车主驱逆变器,光储一体机,数据中心UPS,充电桩,新能源汽车,新能源汽车电机控制器,医疗电源,电力电子系统,EV充电,燃料电池DCDC,隔离式DC-DC电源,线性驱动器,家用电器,DC-AC太阳能逆变器,智能电网,AC-DC电源,轨道交通,通信电源,光伏逆变器
蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机,整体系统效率提升约为2%,峰值可达97%以上
蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,支持11kW/22kW大功率主流充电,适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度,总损耗可降低50%以上,磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%,峰值可达97%以上。
蓉矽1200V 30A SiC EJBS™应用于40kW单向充电桩模块,整机损耗降低180W
蓉矽碳化硅二极管EJBS产品采用PiN与SBD的复合结构,具有高抗浪涌电流能力、低反向漏电、低正向导通压降、零反向恢复电流、最高工作结温达175℃等优势。本次测试中,采用蓉矽NC1D120C30KT(1200V 30A)SiC EJBS™产品替换原机UFRD,在损耗和温升方面蓉矽的SiC EJBS™在维也纳整流电路应用中具有明显优势。
碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例:可显著改善效率和功率密度
碳化硅功率器件的不断发展,为光伏逆变器的性能提升和成本优化带来了新的可能。碳化硅器件应用于大功率集成度要求高的场合,可显著改善微型逆变器效率和功率密度。本文SMC介绍碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例。
科普 | 碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来
光伏发电是碳化硅器件除电动汽车以外的第二大应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备,主要作用是将太阳电池组件产生的直流电转化为交流电。本文中SMC将为大家分析碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来,希望对各位工程师朋友有所帮助。
中国新能源汽车的几何式发展,倒推SiC碳化硅市场扩张
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。
蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩,减少50%器件用量,助力800V高压快充充电桩行业发展
基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便,可简化系统拓扑,减少50%的器件用量,助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A。
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品类:Enhanced Junction Barrier Schottky Diode
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品类:SiC EJBS™ SiC Schottky Diode Bare die
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