【产品】30V/16A的N沟道增强型功率MOSFET SW055R03VLT,具有低导通电阻、低栅极电荷等特性

2023-05-10 芯派科技
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SW055R03VLT芯派科技推出的一款基于先进的SAMWIN技术生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP-8封装,得益于该技术,器件具有更好的特性,包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。


 

特点:

高强度

低RDS(ON)

    9.8mΩ(典型值)@VGS=4.5V

    6.4mΩ(典型值)@VGS=10V

低栅极电荷(典型值32nC)

改进的dv/dt能力

100%雪崩测试

 

应用:

同步整流

锂电池保护板

逆变器

 

绝对最大额定值参数

*.漏极电流受结温限制

 

电气参数(TJ=25℃,除非特别说明) 


注:

1.重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制 

2.L=0.5mH,IAS=14A,VDD=50V,RG=25Ω,起始TJ=25℃

3.ISD≤15A,di/dt=100A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25℃

4.脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%

5.基本上与工作温度无关

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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型号- FR106W,US2DBF,RS2ABF,US2DF,FTBL4F-10,FMB10F,FTBL4F-15,DS28W,MB120S,S2MW,SW80N08A,FMB2F,MB120F,TB8F-05,SS120F,SW80N08B,S15DW,S1DBF,RS3BBF,UMB1F-15,FR107W,UMB2S-10,SW260N75T,UMB2S-15,SW F 7N80B,ES2JBF,FMB1F,SW D 6N70P,FTB4F-15,TB10F-10,US2DW,SW830C,SW830D,TB10F-12,SW830A,SW F 12N60D,TB10F-15,UMB1F-10,FTB4F-10,S2MF,DS26W,MB1S-05,SW8N60D,SW7N80B,US2BF,S15GW,MB2S-10,TB10S,SW8N60B,TB34S,MB2S-15,SW7N80K,MB2S-12,US2AW,RSL12KW,SW11N60,TB120S,SW7N80U,TB10F,SW50N06,TB34F,TB120F,SS320BF,US2BW,SW75N75A,MB26S,DS24W,UTB8F-15,S15AW,S2GBF,FTB6S-10,SW634,SW180N75,SW50N10,SW150N06A,SW630,MB26F,SW1N60,MB1F-05,SS26F,SW350N75T,SW740U,RS3DBF,MB210S,S312F,US2AF,SW13N50B,UTB10F-10,UTB10F-15,MB210F,SW1N70A,SW1N70C,SW3N10,MB2S-05,FTB6S-15,SS210F,UTB8F-10,SW5003,MB24S,MB320S,SW7N60D,DS22W,ES1GBF,SW7N60K,SW150N08A,MB24F,SW7N60H,MB320F,SS28F,TB10F-05,SW7N60R,SW110N15T,US3GBF,S15BW,SW5015,S2DF-6,FTB10S-15,MB1F-10,TB8F-10,FTB10S-10,TB8F-12,SW20N50U,MB1F-15,TB8F-15,MB1F-12,SW640,SW I 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