【产品】采用SOT-23S封装的P沟道增强型MOSFET AM2319，最大耗散功率1.1W
AIT推出的AM2319是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则AM2319的绝对最大额定参数为：当环境温度为25℃时：漏源电压-40V、栅源电压±20V、二极管连续正向电流-1A；当芯片表面温度为25℃时：脉冲漏极电流-12A、连续漏极电流-3A、最大耗散功率1.1W；最高结温150℃，存储温度-55°C~150°C。
AM2319采用SOT-23S封装，引脚分布如下图：
产品特性：
● -40V/-3A,
RDS(ON)= 80mΩ(最大值) @ VGS= -10V
RDS(ON)= 120mΩ(最大值) @ VGS= -4.5V
● 产品可靠且稳固
● 产品无铅且绿色环保(符合RoHS要求)
● 采用 SOT-23S 封装
产品应用：
负载开关
DC/DC转换器
订购信息：
P沟道MOSFET引脚描述：
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