【应用】延迟时间低至15ns的复合MOS芯片CJQ4953助力LED显示屏,连续漏极电流可达5A

2021-12-04 世强
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在LED显示屏显示系统中,除了LED能主要决定屏的显示效果外,LED的驱动也占主导地位;驱动的好坏也决定了LED能否正常的显示,可见其重要性。


如图1所示,是一个LED显示屏的原理框图,显示信号从模组接口进来,通过IC245放大缓冲后分为行信号和列信号,列信号通过驱动IC进行驱动LED灯珠;行扫描信号经过3-8线译码芯片,再控制MOS芯片通断从而驱动LED;实际显示时,行信号是在快速的扫描切换,这也对MOS开关时间有着严格的要求。

图1 LED显示屏原理框图

长晶科技其前身为长电科技分立器件部门。专注于功率器件、分立器件、频率器件、电源管理芯片、汽车电子等产品的研发制造商,长晶科技主营产品包括二极管、三极管、MOSFETLDODC-DC、频率器件、功率器件等,广泛应用于各消费类、工业类电子领域。本文将重点介绍长晶科技CJQ4953复合MOS芯片用于LED显示屏的设计。

图2 复合MOS管内部原理图

如图2所示,CJQ4953内部由两个规格一样的P沟道MOS管封装在一起;VDS为-30V,连续漏极电流达到了5A,打开延迟时间15nS,关断延迟时间80nS,上升时间为20nS,下降时间40nS,正好满足LED显示屏系统的使用;

图3 应用电路

实际在显示屏应用中,只需要把MOS管的使能脚(Gate极)接到前级译码器的输出脚进行控制其开断,从而起到驱动LED灯珠的目的。


综上,长晶科技CJQ4953应用于LED显示屏上的优势主要体现:

1.    VDS为-30V,连续漏极电流达到了5A,满足LED驱动大电流的条件;

2.    纳秒级延迟时间,适合显示屏高动态扫描信号,显示效果更佳;

3.    外围简单,一颗能代替普通两个MOS管使用;

4.    长晶科技前身为长电科技分立器件部门,功率器件研发专注性高,产品性能佳,同时能够提供及时的技术服务支持。


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SERIES,CJ5123J8A,ESDU5V0N4,CJ09,CESD5V0D3,CJ08,CESD5V0D1,LMV324,CJ03,ESDBL12VAE1,CESD5V0D5,CJ02,CJAC35N03,CJ6605SP,CJU04N65,CESDLC3V0L4,CJU1117B-XX,LM321,SBD40120TCTB,LM324,CJ79XX,CJAC70N03,CJBE5005,CJU80SN10,CJP140N04,CJQ12SN06,CJ17,CESD3V3AP,CJ16,CJ15,CJ40562,ESDE24VP1,CJAC40SN03,CJ13,CJ11,CJ10,CJS8810,DSS34,DSS36,CJP08N65,ESDTU5V0AG4B,CJ6300,CJS8804,SS36,SS34,CJP200N04,CJPF02N65,SBD30100TCTB,CJO06 SERIES,CJP180SN10,CESD5V0AP,ESDBL24VA1,ESDQ12VFA1,ESDHB5V0AE1,SBDF30100SCTB,CJFB30H20,ESDU5V0K4,CJU100N03S,SBD40150TCTB,CJT1117B-XX,CESDLC5V0K5,CJK09 SERIES,CJ6211 SERIES,CJ78M12,LMV358,2N7002K,ESDBM3V3A1,SMAJ18CA,CJQ18SN06,RC4558,CJ9313,CJ78M05,CJ9311,BAT54S,ESDBL3V3Y1,ESDU3V3AG4,ESDBW712C2,ESDBM24VD3,CESDLC5V0J4,CJPF08N65,CJD04N65,CJ86LXX,CJBD3020,CJP110SN10,ESDBL8V0Y1,CJ03 SERIES,ESD15VAE1,CJ9321,ESDBVD5V0F2,CJP07N65,ESDBM24VC2,CJD80SN10S,ESDBS3V3AE1,SBD30100SCTB,ESDBL5V0Y1,CJ6206 SERIES,CJAB35N03S,CJL8820,ESDBM12VD3,B1040A1,MURW3060CTB,CJ6617SP,CJM05 SERIES,ESDM5V0Y1,CJPF08N80,CJAC13THQ06,RS3MBF,CJ6206系列,ESDM6V3A1,ESDU5V0L2,CJK05 SERIES,CJAC80SN10,CJ40562A420ES,CJAC110SN10A,CJAC110SN10H,SCJA1117B-XX-A,CJAC110SN10L,CJ63,US1M,CJ9340,ESDU5V0G3,6101系列,CESD7V0D7,ESDSU5V0AE1,CJAC65SN10L,SMAJ5.0CA,CESD7V0D5,CJ5123L5F,CJB85SN08C,CJ75,SBD40100TCTB,ESD5V0AE1,CJ4616SP,ESDBL7V0Y1,CJS9004A,CJO07 SERIES,CJZ253PL,CJAC80SN10H,ESDM24VCP,CJL8810,CJ88,CJ86,CJPF10N65,CJAA3134K,CJ6376,CJ6377,SBDF4060TCTB,RMSB30MA,CJ40541A420M,CJU60SN08,CJAC75SN10L,CESDLC5V0M5,CJP160N04,CJ6205 SERIES,ESDBT4V5D3,CJM06 SERIES,CJ6109系列,CJ78XX/CJ78LXX,CJ6386,CESD12VAP,ESDU5V0H3,CJ6388,CJ86XX,CJL2019,OP07C,ESDU5V0H4,CJL2016,ESDD5V0D3,CJ9460T6,CJBA3134K,CESDLC5V0L4,CJL2013,CJ13 SERIES,CJAC50N06,SBD20H150CTB,CJ02 SERIES,CJAC18SN03,CJK08 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产品型号
品类
Status
Type
Process
ESD(Yes/No)
VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
VGS(TH)(V)
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
Package
2N7000_TO-92
Trench MOS
Active
Single-N
Trench
No
60
-
0.2
0.8~3
-
5000
-
6000
TO-92

选型表  -  长晶科技 立即选型

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产品型号
品类
Status
PD(mW/W)
IF(mA)
VR(V)
VF(V)
IR(uA)
Package
2CZ4007_SOD-123
普通整流二极管
Active
350mW
1000
1000
1.1
5
SOD-123

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产品型号
品类
Status
VDRM(V)
VRRM(V)
IT(RMS)(A)
IGT Min(uA)
IGT Max(uA)
IGT@VAK(V)
VGT(V)
Package
MCR100-8_SOT-89-3L
可控硅
Active
600
600
0.8
5
200
7
0.8
SOT-89-3L

选型表  -  长晶科技 立即选型

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