【产品】铨力半导体推出N沟道增强型功率MOSFET AP3205系列，采用TO-220封装，具有低导通电阻和快速开关特性

时间： 2023-05-30 来源：铨力半导体

技术问答

铨力半导体推出的AP3205系列采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于各种电源应用领域。

TO-220封装广泛适用于所有商业和工业通孔应用。低热阻和低封装成本使它在世界范围内广受欢迎。

示意图

封装图

特性

●驱动简单

●低导通电阻

●快速开关特性

●符合RoHS标准且无卤素

绝对最大额定值参数@Tj=25℃（除非特别说明）

热参数

电气参数@Tj=25℃（除非特别说明）

漏-源二极管

注：

1.脉冲宽度受最大结温限制

2.脉冲测试

3.T_j=25℃，V_DD=30V，L=0.14mH，R_G=25Ω开始

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