【产品】铨力半导体推出N沟道增强型功率MOSFET AP3205系列，采用TO-220封装，具有低导通电阻和快速开关特性
铨力半导体推出的AP3205系列采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于各种电源应用领域。
TO-220封装广泛适用于所有商业和工业通孔应用。低热阻和低封装成本使它在世界范围内广受欢迎。
示意图
封装图
特性
●驱动简单
●低导通电阻
●快速开关特性
●符合RoHS标准且无卤素
绝对最大额定值参数@Tj=25℃（除非特别说明）
热参数
电气参数@Tj=25℃（除非特别说明）
漏-源二极管
注：
1.脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试
3.Tj=25℃，VDD=30V，L=0.14mH，RG=25Ω开始
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