【产品】采用SOT23-6封装的P沟道功率MOSFET RU30P4C6，漏源电压最大额定值为-30V

时间： 2022-04-07 来源：锐骏半导体

技术问答

锐骏半导体推出一款采用SOT23-6封装的先进P沟道功率MOSFET--RU30P4C6，其漏源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-4A（T_A=25°C），该器件采用超高密度单元设计和具有低导通电阻等特性，适用于负载开关和DC/DC转换器。

产品封装及内部电路图

产品特点

-30V/-4A

R_DS(ON)=50mΩ（典型值）@V_GS=-10V

R_DS(ON)=75mΩ（典型值）@V_GS=-4.5V

低导通电阻

超高密度单元设计

可靠且坚固

无铅、绿色环保器件

符合RoHS标准

应用

负载开关

DC/DC转换器

绝对最大额定参数(T_A=25℃，除非特别说明)

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