【产品】最高速率达1600Mb/s的DDR3L SDRAM

时间： 2016-11-06 来源：世强

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存储器,AS4C512M8D3L,AS4C512M8D3L-12BAN,AS4C512M8D3L-12BCN

——最高时钟频率达800MHz，可为新一代微处理器提供更高的带宽

专业RAM 全球知名供应商ALLIANCE Memory推出的第三代低压双倍数据率同步动态随机存储器（DDR3L SDRAM）——AS4C512M8D3L，其内存容量达4Gb (512M×8bit)，内置8个I/O口，8个Bank。相比起普通设备，这款同步设备能够实现高速双倍速率数据转换，最高时钟频率为800MHz，最高速率可达1600Mb/s。除此之外，AS4C512M8D3L符合JEDEC时钟抖动规范，具备DDR3L SDRAM的典型特点，所有控制和地址输入与一对外部差分时钟（CK&CK#）同步，所有I/O接口与双向差分数据控制对（DQS&DQS#）同步。

AS4C512M8D3L商业级工作温度范围为0~+95℃，工业级工作温度范围为-40~+95℃。该芯片采用78PIN球形FBGA封装，尺寸为9mmx10.5mmx1.2mm。因此，其尺寸小容量高，能适应市场对存储器的要求。目前，AS4C512M8D3L可以为工业、医疗、网络、电信和航空航天等领域的新一代微处理器提供更高的带宽。

AS4C512M8D3L的主要特点：
• 内部容量：4Gb（512M x 8bit）
• 供电电压：+1.35V
• 向下兼容：1.5V±0.075V
• 工作温度范围：商业级（0~+95℃），工业级（-40~+95℃）
• 最高时钟速率800MHz
• 差分时钟，CK & CK#
• 最高数据率(以每个I/O口的数据率计)：1600Mb/s
• 预充电和主动断电
• 支持自动刷新和自我更新
• 采用78-ball FBGA封装，封装尺寸：9mm x 10.5mm x 1.2mm
• 符合JEDEC时钟抖动要求
• 兼容JEDEC标准

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用户18396822 Lv8 2018-03-09

还可以
scjzlq Lv6. 高级专家 2018-01-03

速度还可以

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【产品】4M（256K×16bit）低功率CMOS静态随机存取存储器，存取速度可达45 ns

Alliance的AS6C4016A是4M（256 K × 16 bit）存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。与CYPRESS赛普拉斯存储器CY62147EV30LL-45ZSXI、CY62146GN30-45ZSXI、CY621472G30-45ZSXI属于pin对pin关系，但是AS6C4016A-45ZIN价格相比它们要便宜10%以上，在工业及汽车领域非常有优势。

2018-07-28 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】容量为4G的DDR3 SDRAM，数据传输快速又稳定

这两款DDR3存储器符合JEDEC要求，读写速率可达1866Mb/sec/pin。

2017-06-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】512Mbit单数据速率的同步动态随机存储器，存储器配置为4个bank

ALLIANCE最近推出了一款新型512Mbit 单数据速率的同步动态随机存储器（SDRAM——AS4C32M16SA。AS4C32M16SA的存储器配置为4个bank，内存组织形式为4banks×8Mbit×16

2016-07-22 - 新产品代理服务技术支持采购服务

ALLIANCE 存储器选型表

提供存储器、存储芯片、SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3、DDR4选型，VCC(V)：0.6-5，MSL LEVEL：0-5，CLOCK(MHz)：133-1866，可支持商业级/工业级/汽车级。

产品型号	品类	Product Family	DENSITY	ORGANISATION	VCC(V)	TEMPERATURE RANGE(°C)	PACKAGE	MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN	存储器	FAST-Asynch	64K Fast	8K x 8	5V	Commercial (0 ~ 70°C)	28pin SOJ(300mil)	3

选型表 - ALLIANCE 立即选型

Alliance Memory AS4C16M16SA-C&I数据手册

描述- 该资料为AS4C16M16SA-C&I型同步动态随机存取存储器（SDRAM）的数据手册。内容包括产品概述、特性、关键规格参数、引脚分配图、功能框图、引脚描述、操作模式、命令说明等。

型号- AS4C16M16SA-6TIN,AS4C16M16SA-6BIN,AS4C16M16SA-6TAN,AS4C16M16SA-6BAN,AS4C16M16SA-6TCN,AS4C16M16SA-C&I,AS4C16M16SA,AS4C16M16SA-7TCN,AS4C16M16SA-7BCN

2015年03月01日 - ALLIANCE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

AT24C16D串行电可擦除编程只读存储器

描述- AT24C16D是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具备2048个字节的存储空间，适用于仪器仪表及工业自动化控制等领域。其特点包括宽电压工作范围、低功耗设计、自定时编程周期、施密特触发器和硬件数据写保护等功能。

型号- AT24C16,AT24C16D

2022年5月 - 英锐芯 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

公司及新型存储器产品介绍

描述- 舜铭存储公司专注于新型铁电存储器研发与销售，拥有多项专利技术，产品涵盖小至4Mb以下、中至8Mb-256Mb、大至Gb级别市场。公司通过材料技术创新和存储器架构创新，实现高密度、低成本、低功耗，满足消费级、工控级等不同应用需求。舜铭存储产品已广泛应用于5G通信、工控仪表、可穿戴设备、工业4.0、网络设备等领域。

230412 - 舜铭存储 - 商品及供应商介绍 - Ver.230412 代理服务技术支持采购服务

MICRON美光禁售、内存条又涨价？不涨价、不缺货的替代存储器产品了解一下

世强代理的Alliance Memory供货稳定、产品生命周期长，在存储器涨价的浪潮下也能保持价格基本不浮动的，产品涵盖SRAM、SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3。Alliance坚守 “不停产、不缩die、不改版”的“三不”原则，且世强备货充足，杜绝断供问题。

2018-07-16 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【产品】512Kb串行电可擦除编程只读存储器AD24C512，可存储65536个字节数据，数据掉电不丢失

英锐芯推出的AD24C512是一款串行电可擦除编程只读存储器，可存储65536个字节数据，分为512页每页128字节，随机字寻址需要16位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。

2023-04-02 - 产品代理服务技术支持采购服务

NOR FLASH+PSRAM合成芯片 64Mb以上容量，数据及地址线并行，有没有两颗可以兼容的型号。

NOR FLASH主要用于存储程序，而PSRAM（或SDRAM）则是用于存储运行时的数据，单独的NOR FLASH 和PSRAM（或SDRAM）芯片，在引脚封装、接口定义、主频上是不兼容的，所以不能用一个元器件的封装来兼容两个不同类别的存储器。但针对手机应用，由于体积和重量限制，是有用将NOR FLASH 和PSRAM封装到一起的存储器芯片的。目前我们代理的存储器品牌ALLIANCE，有用于手机的存储器DDR1（256Mb,512Mb,1Gb和2Gb，宽度16位和32位，主频166MHZ和200MHZ）,DDR2（1Gb,2Gb,4Gb和8Gb，宽度16位和32位，主频400MHZ和533MHZ）如：4Gb的AS4C128M32MD2，8Gb的AS4C256M32MD2和DDR3（16Gb,宽度32位，主频667MHZ）：16Gb的AS4C512M32MD3-15BCN，没有这种将NOR FLASH 和PSRAM（SDRAM）封装到一起的存储器芯片。

2017-02-22 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【产品】可存储8192个字节数据的串行电可擦除编程只读存储器AD24C64，宽电压工作范围1.8～5.5V

英锐芯推出的AD24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器（EEPROM）。存储器可存储8192个字节数据，分为256页每页32字节，随机字寻址需要13位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。

2023-03-28 - 产品代理服务技术支持采购服务

AD24C02串行电可擦除编程只读存储器

描述- AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具备256个字节的存储容量，采用低功耗CMOS技术和自定时编程周期。产品适用于多种封装形式，包括SOT23-5、SOP-8和PDIP-8，广泛应用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制等领域。

型号- AD24C02

2022年5月 - 英锐芯 - 数据手册 - Ver1.1 代理服务技术支持采购服务

主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作，存在概率性失败。从Flash存储器中读数据也是异常，请问这时什么原因导致的？

检查程序中的中断设置，发现是有一处读操作没有关闭中断导致的，将中断关闭后，对EFM8BB10F8G MCU的Flash进行读、写，存在概率性失败的情况得到解决。因为主控MCU用的是ARM芯片，运行的是linux操作系统，所以主控MCU通过C2接口对EFM8BB10F8G MCU的Flash存储器进行读写操作的函数也是以驱动程序的形式存在的，并且系统中各种软硬中断也比较频繁，因此相对时序控制上也需要更加严格，才能保证可靠的读写操作。

2016-10-25 - 技术问答

【产品】英锐芯推出的串行电可擦除编程只读存储器AD24C16，可存储2048个字节数据，具有接口方便、体积小等优势

英锐芯推出的AD24C16是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储2048个字节数据，分为128页每页16字节。具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。该产品为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

2023-03-26 - 产品代理服务技术支持采购服务

铁电随机存储器FRAM 具有丰富量产业绩的、高质量、高可靠性存储器FRAM

描述- 本文介绍了FRAM（铁电随机存取存储器）的技术特点和应用。FRAM具有非易失性、高速读写、低功耗等优点，适用于汽车电子、RFID等领域。文章详细阐述了FRAM的工作原理、性能参数、封装形式以及与EEPROM、FLASH等存储器的比较。此外，还介绍了FRAM在汽车电子、RFID等领域的应用案例。

型号- MB85RS128B,MB97R8110,MB97R8130,MB85RS16N,MB97R8050,MB85RS64TU,MB85R256F,MB85RDP16LX(*),MB89R119B,MB85RS256B,MB85RC16,MB85RC512T,MB85RS2MTA,MB85RC1MT,MB85RC64V,MB85RS64,MB97R8120,MB85RDP16LX,MB85RS128T,MB85RS512T,MB85RS256TY,MB85RC64TA,MB85RC128A,MB89R112B,MB94R330,MB85RS128TY,MB89R112A,MB85R4M2T,MB85RS64T,MB89R118C,MB85RC256V,MB85RQ4ML,MB85RC04V,MB85RC16V,MB85RS1MT,MB85RS64V

September 2017 - FUJITSU - 技术文档代理服务技术支持采购服务