【产品】规格为900V/60A的N沟道SiC MOSFET ASC60N900MT4，适用于开关电源

时间： 2022-07-27 来源：爱仕特

代理服务

技术支持

采购服务

ASC60N900MT4是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。因此，系统的优点包括效率更高，工作频率更快，功率密度增加，电磁干扰降低，以及系统尺寸减小。

ASC60N900MT4采用TO247-4封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为900V，连续漏极电流为60A，耗散功率为325W。

产品外观和内部电路图

特点：

●低电容高速开关

●高阻断电压，低导通电阻RDS_(on)

●易于并联和驱动简单

●符合ROHS标准，无卤素

应用：

●电动汽车充电

●DC/DC转换器

●开关电源

●UPS

●太阳能光伏逆变器

绝对最大额定参数(Tc=25℃)：

电气特性(T_J=25℃，除非另有说明)：典型性能—静态

典型性能—反向二极管(T_J=25℃，除非另有说明)

热特性

订购信息：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由小背篓翻译自爱仕特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准

ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。

2022-03-11 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】漏源电压1200V的N沟道SiC MOSFET ASC30N1200MT7，耗散功率145W

ASC30N1200MT7是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，提供优越的开关性能和更高的可靠性，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷；优点包括更高的效率，更快的工作频率，更高的功率密度，更低的电磁干扰以及系统尺寸减小。

2022-09-03 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】用TO-247封装的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，适用于开关电源

爱仕特推出的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，采用TO-247封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1200V，耗散功率为550W。可用于EV电机驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。

2022-08-23 - 产品代理服务技术支持采购服务

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

2023-04-14 - 活动

爱仕特（AST）SiC碳化硅芯片及模块选型指南

目录- 公司简介和芯片/模块产品规则芯片模块参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍

型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200

2021/11/26 - 爱仕特 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

爱仕特SiC Chips选型表

提供爱仕特SiC Chips选型，覆盖TO-247-3，TO247-4L，TO-247-4，DFN8*8，DFN 10*12等常规封装，覆盖常规功率段，电压650V-3300V，电流5A-100A

产品型号	品类	Package	Voltage（V）	RON(mohm)	Temperature Range(℃)	Status
ASC8N650MT3	SiC Chips	TO-247-3	650V	320mohm	-40~175℃	Development

选型表 - 爱仕特立即选型

【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT4，漏源电压VDS达到1700V

深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V，TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A，耗散功率PD=420W。

2022-03-10 - 新产品代理服务技术支持采购服务

爱仕特科技有限公司: 第三代半导体碳化硅芯片及模块

描述- 深圳爱仕特科技有限公司致力于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块生产及其在新能源领域的应用系统开发，包括新一代移动大功率充电机、车载双向OBC、新能源汽车电机控制器及动力总成系统，是高速成长的高科技技术创新型企业。

型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC800N1200,ASC700N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200

爱仕特 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务